Как сделать транзистор из двух диодов

от admin

Диод заменим транзистором?


У транзистора — два электронно-дырочных перехода,
у диода — один.
Можно ли транзистор использовать
в качестве диода?

54 комментария »

Да
Это немного, зато честная работа

Сообщение от Люцко Валерка — 2 марта, 2021 @ 8:21 дп

Транзистор можно использовать в качестве диода для выпрямление больших токов, но у этого способа есть существенные минусы; первый минус это падение напряжения на открытом транзисторе, второй минус это перегрев полупроводника, который приводит к выходу из строя трансформатора.

Сообщение от Рудой Давид — 2 марта, 2021 @ 5:01 пп

Можно, возможно пять вариантов диодного включения транзистора:
1)замкнуть коллектор и базу
2)использовать только эмиттерный переход
3)закоротить базу и эмиттер
4)параллельное соединение обоих переходов
5)использовать только коллекторный переход

Сообщение от Илья Сипачев — 2 марта, 2021 @ 9:25 пп

Можно. Например, биполярный транзистор при диодном включении.

Сообщение от Матусевич Полина — 2 марта, 2021 @ 11:53 пп

Можно. Главное не притрагиваться голыми руками к оголенным проводам

Сообщение от vath? — 3 марта, 2021 @ 8:44 дп

Сообщение от Константин Зубаревич — 3 марта, 2021 @ 8:46 дп

Теоретически можно использовать транзистор вместо диода.

Сообщение от Астремский Максим — 3 марта, 2021 @ 8:52 дп

Сообщение от Анна Захарченко — 3 марта, 2021 @ 9:26 дп

Можно, более того, существует несколько вариантов такого использования при которых параметры транзистора буду отличаться(например, время восстановление, минимальное пробивное напряжение).
Одни из популярных вариантов использования транзистора в качестве диода является БК-Э(база и коллектор замкнуты накоротко) и Б-Э(только эммитерный переход).

Сообщение от Николай Кухарский — 3 марта, 2021 @ 6:57 пп

По сути транзистор — это два диода. ��
По моему мнению есть как минимум 5 способов использовать транзистора как диода
1способ это когда БК-Э накаратко замкнуты коллектор и база.у этого диода время восстановления т е время переключения из открытого состояния в закрытое , наименьшее единицы
2 способ где Б-Э используется только эмиттерный переход. В этом случае время переключения намного больше единицы. В этих двух способах минимальная ёмкость и минимальный обратный ток (0.5-1нА) ,а также мало напряжения пробоя
3 способ это когда закорочены база и эмиттер
4 способ Б-ЭК когда они параллельно соединены два перехода . Они имеют наибольшее время переключения ( примерно 100нс) , а также и наибольший обратный ток до 40нА , несколько большую ёмкость и малое пробивное напряжение .
Ну и 5 способ просто купить обычный диод ��

Сообщение от Анастасия Ломако — 3 марта, 2021 @ 8:53 пп

Нельзя, потому что у транзистора база одна, и когда электроны из эмиттера попадают в базу, они способствуют открытию перехода база-коллектор, который изначально закрыт, и сразу почти все устремляются через этот открытый переход к плюсу источника питания. С диодом такого сделать не получится.

Сообщение от Олег Готенко — 4 марта, 2021 @ 9:03 дп

Можно, но коллекторный переход транзистора при смещении его в прямом направлении имеет довольно большое время восттановления обратного сопротивления, измеряемое десятыми долями микросекунды, т. е. значительно хуже чем у быстрого диода

Сообщение от Алина — 4 марта, 2021 @ 9:41 дп

Сравнивая элементы схемы, можно обнаружить следующие отличия : транзистор может усиливать мощность, а диод — нет… Транзисторной схеме необходим внешний источник питания, тогда как диод — пассивный элемент и свои функции выполняет сам по себе, без внешнего источника. Также, при параллельном подключении транзистор мешает работе схемы.

Сообщение от Куделько Егор — 4 марта, 2021 @ 11:55 дп

Сообщение от Козел Матвей — 4 марта, 2021 @ 12:46 пп

Сообщение от Аннушка — 4 марта, 2021 @ 12:47 пп

Сообщение от Утовка Эдуард — 4 марта, 2021 @ 12:47 пп

Сообщение от Мойсиевич Алексей — 4 марта, 2021 @ 12:54 пп

Можно. Самые часто используемые варианты замены диода транзистором это вариант с замкнутой накоротко базой и коллектором и вариант, где используется только эмиттерный переход.

Сообщение от Гулич Андрей — 4 марта, 2021 @ 12:56 пп

Нет, диоды нельзя заменить транзисторами. Это совершенно разные приборы.

Сообщение от Санец Татьяна — 4 марта, 2021 @ 3:32 пп

Сообщение от Андрей Пылило — 4 марта, 2021 @ 3:37 пп

Сообщение от Пукало А.Г. — 4 марта, 2021 @ 6:42 пп

Да, возможно(биополярный транзистор в диодном включении)

Сообщение от Голуб Вячеслав — 4 марта, 2021 @ 7:58 пп

можно, возможны 5 вариантов диодного включения транзистора

Сообщение от Бобок Артём — 4 марта, 2021 @ 10:31 пп

Да, можно использовать транзистор в качестве диода

Сообщение от Могильницкая Анастасия — 4 марта, 2021 @ 11:24 пп

транзистор можно использовать в качестве диода. Например в диодном включении можно использовать биполярный транзистор.

Сообщение от Шешко Мирослав — 4 марта, 2021 @ 11:39 пп

Сообщение от Антон Хутко — 5 марта, 2021 @ 8:52 дп

По сути транзистор- это и есть два диода.
По этому транзистор можно использовать в качестве диода. Сделать диод можно 6-ю способами:
1. Использовать перход эмитер-база.
2. Использовать переход коллектор-база.
3. Объединить коллекторс эмитером.
4. Сжечь переход эмитер база.
5. сжечь переход коллектор база.
6. Купить обычный диод

Можно,если ,например,замкнуть накоротко базу и коллектор или использовать только эмиттерный переход

Сообщение от Козин Глеб — 5 марта, 2021 @ 5:40 пп

Можно , если использовать только эммитерный переход или замкнуть накоротко базу

Сообщение от Харлан Константин — 5 марта, 2021 @ 8:09 пп

Можно. Возможны следующие варианты диодного включения транзистора:
1) замкнутые накоротко база и коллектор
2) использование только эмиттерного перехода
3) закороченные база и эмиттер
4) использование одного коллекторного перехода
5) вариант с параллельным соединением двух переходов

Сообщение от Алексей Мишкович — 5 марта, 2021 @ 8:26 пп

Транзистор можно использовать в качестве диода. Больше всего используют замену диода транзистором в варианте с использованием эмиттерного перехода, а также в варианте с замкнутой накоротко базой и коллектором

Сообщение от Шлыкович Кирилл — 5 марта, 2021 @ 8:52 пп

Можно (Полевые транзисторы вместо диодов Шоттки)

Сообщение от Аникейчик Илона — 5 марта, 2021 @ 9:14 пп

Транзистор можно использовать в качестве диода, так как у транзистора 2 электронно-дырочных перехода, и мы можем использовать один из двух.
Возможны 5 вариантов диодного включения транзисторов, но мы рассмотрим только 2 варианта, которые чаще всего используются. 1) Накоротко замкнуть базу и коллектор. У такого диода время восстановления наименьшее — единицы наносекунд.
2) Использовать только эмиттерный переход. Время переключения в этом случае в несколько раз больше. Оба эти варианта имеют минимальную емкость и минимальный обратный ток (0,5-1 нА), однако и минимальное пробивное напряжение.
Транзисторы можно использовать как диоды, но это не целесообразно, так как получить ток как у диодов будет крайне сложно. Проще купить диод и не мучаться.

Сообщение от Павел Ратькович — 5 марта, 2021 @ 9:24 пп

Да, в некоторых схемах диоды заменяют транзисторами(синхронный выпрямитель), которые подключаются как диоды(диодным включением).

Сообщение от Шелег Николай — 5 марта, 2021 @ 9:25 пп

Да, транзистор используется в качестве диода.
Транзисторы в диодном включении. Ранние диоды ИС выполнялись в виде структуры из двух областей с различным типов электропроводности, т.е. в виде обычного n – p перехода. В последние годы в качестве диодов стали применяться биполярные транзисторы в диодном включении. Это оказалось удобным для производства. Возможны 5 вариантов диодного включения транзистора. В варианте БК – Э замкнуты накоротко база и коллектор. У такого диода время восстановления, т.е. время переключения из открытого состояния в закрытое, наименьшее – единицы наносекунд. В варианте Б – Э используется только эмиттерный переход. Время переключения в этом случае в несколько раз больше. Оба этих варианта имеют минимальную ёмкость, минимальный обратный ток (0,5 – 1 нА), однако и минимальное пробивное напряжение. Последнее несущественно для низковольтных ИС. Вариант БЭ – К, в котором закорочены база и эмиттер, вариант Б – К с использованием одного коллекторного перехода по времени переключения и ёмкости примерно равноценны варианту Б – Э, но имеют более высокое пробивное напряжение (40 – 50 В) и большой обратный ток (15 — 30 нА). Вариант Б – ЭК с параллельным соединением обоих переходов имеет наибольшее время переключения, наибольший обратный ток (до 40 нА), несколько большую ёмкость и такое же малое пробивное напряжение, как и в первых двух вариантах. Чаще всего используются варианты БК – Э и Б – Э.

Сообщение от Васильков Никита — 5 марта, 2021 @ 9:58 пп

Транзистор используется в качестве диода в следующих случаях:используется эмиттерный переход; закорочены база и эмиттер; замкнуты база и коллектор; используется один коллекторный переход

Сообщение от Ярослав Борисов — 5 марта, 2021 @ 10:10 пп

В принципе можно с помощью одного перехода использовать транзистор вместо диода. Но это не совсем удобно хотя бы потому, что транзистор может сильно перегреваться

Сообщение от Никита Стрижиченко — 5 марта, 2021 @ 10:37 пп

Сообщение от Руслан Пыпоть — 5 марта, 2021 @ 10:46 пп

Да, можно. Включение транзистора диодом дает обычный диод со всеми свойствами обычного диода, с обратным восстановлением.Достаточно знать понятия «время рассасывания» и «время выключения». Эти времена будут примерно определять и время обратного восстановления перехода коллектор-база, который только и можно использовать в качестве диода, поскольку эмиттерный переход имеет очень маленькое допустимое обратное напряжение.

Сообщение от Алеся Кажецкая — 5 марта, 2021 @ 11:01 пп

Как правило, у транзистора 2 электронно-дырочных перехода. Исключением является Однопереходный транзистор (двухбазовый диод, ОПТ) — полупроводниковый прибор с тремя электродами и одним p-n переходом.
Так как для диода необходим один p-n переход, то можно сделать вывод, что транзистор использовать в качестве диода нельзя

Сообщение от Радюк Катя (10602119) — 6 марта, 2021 @ 12:20 дп

Сообщение от Степанюк Алексей — 6 марта, 2021 @ 1:04 дп

Сообщение от Лизуля Громакова — 6 марта, 2021 @ 8:03 дп

Сообщение от Рукавишников Илья — 6 марта, 2021 @ 8:04 дп

Сообщение от Дмитрий Можейко — 6 марта, 2021 @ 8:04 дп

Сообщение от Мария Черевако — 6 марта, 2021 @ 8:07 дп

Сообщение от Александр — 6 марта, 2021 @ 8:07 дп

Сообщение от Дмитрий Фёдоров — 6 марта, 2021 @ 8:09 дп

Можно использовать, потому что существует диодное подключение у транзисторов.

Сообщение от Даниил Шульга — 6 марта, 2021 @ 8:50 дп

Да, транзистор используется как диод ,

Сообщение от Костя Коновалов 1219 — 6 марта, 2021 @ 8:51 дп

Да,можно. Как пример,биполярный транзистор можно замкнить диод в диодном включпнии.

Сообщение от Олег — 6 марта, 2021 @ 9:34 дп

Сообщение от Дорда Алексей — 6 марта, 2021 @ 9:56 дп

Ответ: да, можно.
Прежде всего необходимо заметить, что для успешной замены элементов конструкции нужно хорошо представлять принцип её работы, уметь оценивать предельные характеристики (токи, напряжения и т. д.), которые определяют режимы работы различных узлов. В общем случае дать рекомендации по замене диодов и транзисторов практически невозможно. Здесь подойдет, пожалуй, лишь общее утверждение, что замена заведомо не ухудшит параметров устройства, если заменяющий элемент имеет одновременно лучшие, чем оригинал, характеристики сразу по целому комплексу данных:
*по предельно допустимым токам и напряжениям,
*по предельно допустимой рассеиваемой мощности,
*по частотным и шумовым свойствам и т. д.
Найти такую замену крайне трудно, да и обычно в этом нет необходимости. Дело в том, что, ориентируясь на свои возможности, автор конструкции порой использует, если так можно сказать, «слишком хорошие» для данного применения элементы.
При замене диодов в большинстве случаев бывает достаточно оценить воздействующее на диод обратное напряжение (постоянное и/или импульсное), протекающий через него прямой ток (постоянный и/или импульсный), допустимый обратный ток («обратное сопротивление диода») и, наконец, максимальные частоты воздействующих на диод сигналов.

Сообщение от Коршун Виктория или просто Виктория — 6 марта, 2021 @ 6:26 пп

Ответ: да, теоретически возможна.
Замена диода на стабилитрон в устройстве возможна, если транзистор имеет не уступающие диоду, характеристики сразу по целому комплексу данных:
по предельно допустимым токам и напряжениям, по предельно допустимой рассеиваемой мощности, по частотным и шумовым свойствам и т. д.
Прежде чем производить такую замену, следует учесть особенности применения транзистора и диода: диод является пассивным элементом и предназначен для выпрямления, детектирования или коммутации сигналов, а транзистор является активным элементом и предназначен для усиления тока, напряжения или мощности сигнала в зависимости от схемы включения.

Читать:
Aref arduino что такое

Теоретически диод можно заменить транзистором, используя лишь один p-n-переход транзистора. Однако данная замена неэффективна, поскольку функциональный потенциал транзистора при этом не будет полностью раскрыт, а также при такой замене необходимо учитывать тип включения элемента в цепь, т.к. в определенных случаях цепь может не работать (пример: параллельное включение в цепь двух транзисторов, использующихся для преобразования сигнала внутри телефонной сети)

Как сделать транзистор из двух диодов

_________________
Этот пост оказался полезен? Не поленись, нажми слева!

Куплю индикаторы ИТС-1А, ИТС-1Б , ИГВ1-8х5Л, ИГПС1-222/7 , ИГПС1-111/7 и подобные.

_________________
Если хотите, чтобы жизнь улыбалась вам, подарите ей своё хорошее настроение

_________________
Этот пост оказался полезен? Не поленись, нажми слева!

Куплю индикаторы ИТС-1А, ИТС-1Б , ИГВ1-8х5Л, ИГПС1-222/7 , ИГПС1-111/7 и подобные.

Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет

_________________
Если хотите, чтобы жизнь улыбалась вам, подарите ей своё хорошее настроение

Ведущий производитель электрического оборудования компания MORNSUN выпустила серию источников питания на DIN-рейку LI100-20BxxPR3 c выходами на 12, 15, 24 и 48 В. ИП позиционируются для умных домов, а так же используются в составе оборудования для промышленной автоматизации, различных производственных машин, рельсовых систем транспортировки и другого оборудования, работающего в условиях неблагоприятной окружающей среды.

_________________
Этот пост оказался полезен? Не поленись, нажми слева!

Куплю индикаторы ИТС-1А, ИТС-1Б , ИГВ1-8х5Л, ИГПС1-222/7 , ИГПС1-111/7 и подобные.

Компания MEAN WELL продолжает активное развитие номенклатуры, осваивая новые направления и обновляя существующую продукцию с учетом возрастающих требований. В настоящий момент в Компэл представлено множество недавно вышедших новинок MEAN WELL.
MEAN WELL выпустил ряд таких новинок как мощные высоковольтные управляемые источники питания, DC/DC-преобразователи со сверхшироким входом (с креплением на DIN-рейку и на шасси), полностью обновил линейку зарядных устройств (ЗУ), DC/AC-преобразователей (инверторов) и ИБП для охранно-пожарных систем. Кроме того, выпущены специальные источники питания с выходным напряжением в виде ШИМ для светодиодных лент и модулей управляемых по DALI2 и 0…10 В, а также другая продукция.

Изображение

А насчет транзистора на диодах, так в транзисторе оба перехода на одном кристалле, а не на двух, как получится если диоды соединить.

Как сделать транзистор из двух диодов

Можно ли из двух отдельных диодов получить транзистор?

Нет.
Слой, к которому подключена база, очень тонкий

1951 г. Шокли продемонстрировал миру первый надежный транзистор, представлявший собой трехслойный гераниевый «сэндвич» толщиной около 1 см, заключенный металлический корпус. В этой модели транзистора, которая получила впоследствии наиболее широкое распространение — так называемая модель npn, — тонкий слой полупроводника p-типа зажат между двумя слоями полупроводника n-типа. Один из слоев n-типа служил эмиттером, другой — коллектором; средний слой p-типа представлял собой базу.

На двух переходах, эмиттер-база и база-коллектор, происходят сложные, характерные для полупроводников процессы обмена электронами и дырками. В результате этих процессов по каждую сторону от перехода образуются так называемые зоны обеднения (носителями заряда) . Когда транзистор находится в нейтральном состоянии, зона обеднения слишком широка, чтобы через переход эмиттер-коллектор мог протекать ток. Однако если на n-слои подать достаточный отрицательный потенциал относительно p-слоя, то зона обеднения сужается — и начинает идти ток. Более того, прикладывая к базе невысокое управляющее напряжение, можно переключать или усиливать ток в основной цепи.

Как сделать транзистор из двух диодов

_________________
Этот пост оказался полезен? Не поленись, нажми слева!

Куплю индикаторы ИТС-1А, ИТС-1Б , ИГВ1-8х5Л, ИГПС1-222/7 , ИГПС1-111/7 и подобные.

_________________
Если хотите, чтобы жизнь улыбалась вам, подарите ей своё хорошее настроение

_________________
Этот пост оказался полезен? Не поленись, нажми слева!

Куплю индикаторы ИТС-1А, ИТС-1Б , ИГВ1-8х5Л, ИГПС1-222/7 , ИГПС1-111/7 и подобные.

Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет

_________________
Если хотите, чтобы жизнь улыбалась вам, подарите ей своё хорошее настроение

Источники питания MORNSUN удовлетворяют всем необходимым требованиям промышленной и домашней автоматизации. Используя их, можно не только организовать электропитание устройств, но и обеспечить надежное резервирование по питанию, используя предлагаемые компанией модули резервирования.

_________________
Этот пост оказался полезен? Не поленись, нажми слева!

Куплю индикаторы ИТС-1А, ИТС-1Б , ИГВ1-8х5Л, ИГПС1-222/7 , ИГПС1-111/7 и подобные.

В статье на примере схемотехнических особенностей и рабочих характеристик LED-драйверов MEAN WELL рассмотрены вопросы, связанные с устройством современных светодиодных светильников и их комплектующих – осветительных светодиодов и LED-драйверов . Поставки продукции MEAN WELL в Россию продолжаются. Наш материал поможет вам выбрать LED-драйвер, соответствующий вашим задачам. Вы также можете задать свои вопросы.

Изображение

А насчет транзистора на диодах, так в транзисторе оба перехода на одном кристалле, а не на двух, как получится если диоды соединить.

Делаем из «идеального диода» настоящий идеальный диод

Такие схемы называют идеальными диодами или «супер-диодами». Почему? В теории, диод — простая штука. В одном направлении пропускает ток, в другом — не пропускает. Но на практике, на при прохождении через диод тока, между его анодом и катодом возникает падение напряжения. Для кремниевого диода это 0,5-1В, для германиевого — 0,3-0,5В. Существуют еще диоды Шотки, там падение самое низкое, но и у них меньше 0,25 мне не попадалось. На первый взгяд, это не проблема — какая-то там четвертушка вольта. Но бывают ситуации, когда ее-то нам и не хватает. К примеру, при зарядке литиевого аккумулятора. Четверть вольта — это 25-40% недозаряда аккумулятора. Некоторые контроллеры даже не начнут зарядку, если напряжение источника питания ниже определенного уровня. А зачем ток питания пропускать через диод? Если мы хотим заяжать наш аккумулятор из двух разных источников (солнечной батареи и сетевой зарядки) и требуется гарантировать, что они не будут влиять друг на друга.

Есть еще одна ситуация, при которой нам критически важно падение напряжения на p-n переходе диода — когда мы пропускаем большие токи. Выделяемая на диоде мощность, как известно, равна произведению тока на падение напряжения. А мощность — это нагрев. Это проблемы охлаждения и потеря полезной энергии. Нам такое надо? Нет, нам такого не надо.

Для уменьшения падения напряжения на p-n переходе человечество изобрело полевой трандистор. Полевой, т.е. управляемый электрическим полем, читай — напряжением. В отличии от биполярного, который управляется током базы. Преимущесто такого транзистора — очень низкое падение напряжения в открытом состоянии. Он почти как реле, и по изолированию управляющего контакта от силового и по падению напряжения в силовой цепи. Но его выгодно отличают от реле низкие токи потребления, быстрота срабатывания и отсутвие дребезга контактов.

Но транзистор — не диод. Транзистором нужно научиться управлять. Для этого приходится сооружать специальную схему. Она будет открывать транзистор, когда приложено напряжение в одном направлении и закрывать — когда в противоположном.

Одна из таких схем перед нами.

Я не стал вникать в принцип ее работы и сразу решил испытать ее в действии.
Надо сказать, что в отличии от классчического диода, для работы таких схем нужно подключение и к "+" и к "-". Так что на плате 4 контакта — вход и выход. Собираем тестовую цепь:

Нагрузкой будет резистор. До напряжения в 3 вольта ток не идет. Все 3 вольта приходятся на «супер-диод». Это важное обстоятельство, коммутировать цепи с напряжением ниже 3 вольт таким устройством неполучится.

Выше трех вольт ток пошел и сразу падение напряжения 0,171В. Это меньше чем на обычном диоде, но многовато для идеального диода. Не о том я мечтал, не о том.

При 4 вольтах ситуация заметно веселее: на резистор потек ток 108мА, а на плате спотыкается всего 59мВ. Но к 550мА надение снова растет, достигая почти «диодных» 183мВ.
Обратимся к описанию продавца:

Input voltage: DC3-30V, the input voltage is within this range
Output voltage: the difference with the input voltage, maximum 0.2V
Output current: 4A, MAX, peak current maximum 6A
Dimensions: length 24mm, width 16mm

В принципе, даже наши 183мВ укладываются в заявленные 0,2В. Но интуиция подтолкнула меня поднять документацию на мосфет. Здесь применяются 2 мосфета 4407. Вот выдержка из pdf:

17мОм! Да у нас раз в 30 больше тут! Явно что-то не то.

Я когда-то собрал аналогичную по назначению схему, но поменьше и работающую сразу как два диода с объединенным катодом. Служит она для направления питания на потребитель от любого из двух источников. Вот что у меня тогда получилось:

На одной стороне — один «диод», на другой — другой. Выходные контакты сквозные и подключаются к потребителю.
Сердечко этой малютки — транзитор IRLML6402, годен для коммутации напряжения до 20В с током в 2,2А (ого!) Для управления служат 2 биполярных транзистора. Сопротивления в цепях базы завершают композицию. И все превосходно работало у меня. Конечно, заявленного падения напряжения в 0,065 вольта на ампер достичь не удалось, но что-то около получалось.

И я заказал на Али новые мосфеты. Вскоре приехала вот такая ленточка:

Даже на первый взгляд было видно, что они совсем не похожи на те, что установлены на моей плате. Отличается и маркировка и точка. Греем, снимаем старые, ставим новые, остужаем, промываем флюс.

Not good, not terrible. Припой там и так был как куча оловянных шариков, так что лишний раз прогреть пошло на пользу. Итак, тестируем:

Ба! Да это же другое дело!

Я прогнал тест в интересном для меня диапазоне токов, составил график и вот что получилось:

Дальше проверил лишь одну точку — при 2А падение напряжения было 0,16В, стало 0,07В.
Так и есть. На плате были поддельные транзисторы. Но сама схема работает превосходно, надо только поменять 4407.

Выводы:
1. «Идеальные диоды» существуют. Они радикально лучше обычных, с точки зрения падения напряжения, но у них есть свои особенности (порог открытия, утечки в закрытом состоянии, необходимость подключения к двум полюсам).
2. Купленные «идеальные диоды» используют поддельные мосфеты. Они тоже работают, но по падению напряжения в 2-3 раза хуже.
3. После установки нормальных мосфетов схема обретает полную работоспособность.

Ссылки:

Транзистор MOSFET 4407: 70 рублей за 10 штук

Если тема интересная, расскажу про свой вариант «идеального диода». Моя первая изготовленная на 3Д принтере плата.

Можно ли из двух отдельных диодов получить транзистор?

Нет.
Слой, к которому подключена база, очень тонкий

1951 г. Шокли продемонстрировал миру первый надежный транзистор, представлявший собой трехслойный гераниевый «сэндвич» толщиной около 1 см, заключенный металлический корпус. В этой модели транзистора, которая получила впоследствии наиболее широкое распространение — так называемая модель npn, — тонкий слой полупроводника p-типа зажат между двумя слоями полупроводника n-типа. Один из слоев n-типа служил эмиттером, другой — коллектором; средний слой p-типа представлял собой базу.

На двух переходах, эмиттер-база и база-коллектор, происходят сложные, характерные для полупроводников процессы обмена электронами и дырками. В результате этих процессов по каждую сторону от перехода образуются так называемые зоны обеднения (носителями заряда) . Когда транзистор находится в нейтральном состоянии, зона обеднения слишком широка, чтобы через переход эмиттер-коллектор мог протекать ток. Однако если на n-слои подать достаточный отрицательный потенциал относительно p-слоя, то зона обеднения сужается — и начинает идти ток. Более того, прикладывая к базе невысокое управляющее напряжение, можно переключать или усиливать ток в основной цепи.

Похожие публикации