Кт819гм транзистор как подключить в схему

10

Транзисторы КТ819 и КТ818 (А-Г, АМ. ГМ) характеристики, цоколевка (datasheet)

Транзисторы КТ819 , 2Т819 и КТ818 , 2Т818 широко применяются в радиоаппаратуре в качестве ключевых элементов или выходных транзисторов в звуковоспроизводящих устройствах. Транзисторы достаточно дешевы и имеют сравнительно неплохие параметры что способствовало их широкому распространению в странах СНГ.

В статье представлены основные параметры и характеристики (даташиты) транзисторов КТ819 , 2Т819 и КТ818 , 2Т818. Для каждого транзистора представлена цоколевка при выполнении в пластмассовом и металлическом корпусе.

КТ819 , 2Т819 — кремниевый транзистор структуры n-p-n.

Рис. 1. Изображение транзистора КТ819 на принципиальных схемах.

Рис. 2. КТ819 (А. Г), 2Т819 (А2. В2) в пластиковом корпусе, внешний вид и цоколевка.

Рис. 3. КТ819 (АМ. ГМ), 2Т819 (А. В) в металлическом корпусе, внешний вид и цоколевка.

Основные технические характеристики транзисторов КТ819:

КТ818 , 2Т818 — кремниевый транзистор структуры p-n-p

Рис. 4. Изображение транзистора КТ818 на принципиальных схемах.

Рис. 5. КТ818(А. Г), 2Т818(А-2. В-2) в пластиковом корпусе, внешний вид и цоколевка.

Рис. 6. КТ818(АМ. ГМ), 2Т818(А. В) в металлическом корпусе, внешний вид и цоколевка.

Транзистор КТ819: Характеристики и аналоги

Транзистор КТ819 – кремниевый мезо-эпитаксиально-планарный транзистор типа NPN. Используется в усилителях и переключателях. Изготавливается в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами. Параметры изделия зависят от класса (помечается маркировкой в названии – А…Г и др.). Изделие относится к устройствам повышенной мощности – от 60 до 100 Вт.

Распиновка

Цоколевка выводов КТ819 зависит от сферы применения транзистора. В Советском союзе изделие производили в двух форматах корпуса – пластиковый КТ-28 и металлостеклянный КТ-9. Подобное разделение актуально и сегодня, оно встречается в ряде технических описаний. Для начала стоит остановиться на распиновке транзистора в пластмассовом корпусе (КТ-28). Начиная с левой стороны, у него предусмотрены вывода:

• эмиттер;
• коллектор;
• база.

Подобные изделия в любом, особенно в металлическом корпусе, достаточно сложно отыскать на отечественном рынке. Виной тому – практическое полное упразднения их производства в России и наличие большого объёма дешёвых зарубежных аналогов.

Характеристики

Разные транзисторы из семейства КТ819 отличаются в зависимости от модификации. У изделий есть максимальные эксплуатационными характеристиками. Допускаемое напряжение:

• На участке коллектора и базы – от 25 до 60В;
• На участке К-Э – от 40 до 100В (если RБЭ меньше либо равно 100 Ом);
• На участке Б-Э – 5 В.

Характеристики КТ819:

• Показатель постоянного тока на коллекторе – от 10 до 15А;
• Ток, следующий через базу – 3А;
• Импульсный ток (условие: tи ≤ 10 мс, Q ≥ 100): на участке коллектора – от 15 до 20А, базы – 5А;
• Предельная рассеиваемая мощность (если ТК ≤ 25°C): с механизмом отвода тепла – от 60 до 100 Вт, без – от 1,5 до 3 Вт;
• Температура совершения p-n перехода – от +125 до +150°C;
• Допускаемые рабочие температуры – от -45 до +150°C.

Все базовые характеристики описываются в технической документации от изготовителя. Параметры представлены с расчётом нагрева окружения до +25°C. При этом параметры будут отличатся при изменении классификации прибора.

Транзистор считается устаревшим, потому современные изготовители приводят в техническом описании лишь базовый набор характеристик. Обширные сведения по конкретной серии можно найти в старых вариантах Datasheet. В них информация указана рядом с графиками передаточных параметров, связанными зависимостями и другими полезными сведениями.

Маркировка

Это семейство транзисторов может маркироваться и по-другому. Если следовать регламенту отраслевых стандартов, то некоторые российские производители помечали изделие как 2Т819. Первые два знака – это кремневые биполярные транзисторы. В ранних технических документах информацию об устройствах с этой маркировкой публикуют совместно со сведениями о параметрах КТ819.

Аналоги

Практически полноценными аналогами транзистора КТ819 (в исполнении ТО-220) можно назвать модели от зарубежных производителей:

• BD243;
• BD243A и др.

Среди российских производителей замены не получится найти. Зато в металлостеклянном корпусе ТО-3 есть схожие по параметрам устройства. Например:

• КТ834;
• КТ841 и др.

Содержание драгоценных металлов

Транзисторы являются привлекательным товаров для скупщиков. Многие считают, что в них содержатся драгоценные металлы, которые можно продать. Однако в реальности их содержание достаточно мало. Исходя из справочника, точная масса золота, серебра, платины и металлов платиновой группы рассчитывается из единицы изделия в граммах. Таким образом, в КТ819 содержится:

• 0,009521 г золота;
• 0,045371 г серебра.

Платины и металлов платиновой группы в транзисторе нет. Учитывая это, изделие непривлекательно для скупки для извлечения драгоценных металлов.

Способ проверки

Важно проверить транзистор на работоспособность. Для этого используется мультиметр. Устройство переключается в режим диодного теста. Биполярный транзистор функционирует как 2 диода. Исходя из этого, нужно отыскать базу – остальное пустяки. Например:

1. Включить прибор и разместить щупы. Включить режим диодного теста или измерения сопротивления.
2. Трогать шупами контакты транзистора. Красный устанавливается на центральный, чёрный – на крайние. Если на экране прибора отображается падение напряжения на крайних контактах – это говорит о структуре NPN типа.
3. Если падение напряжение примерно одинаково или вообще есть, то транзистор исправен.

Это элементарный вариант проверки. Если в мультиметре нет функции тестирования диодов, то можно воспользоваться измерением сопротивления. Если устройство исправно, то ток будет следовать от базы к коллектору или эмиттеру. В обратном направлении он идти не будет. Если ток следует в оба направления, то транзистор не работает. Проблема может быть в одном переходе или сразу в нескольких.

Datasheet

Транзисторы формата КТ819 производятся маленькими партиями на нескольких заводах в СНГ. Производители:

– расположен в Брянске;
• (Datasheet) Белорусская организация «Интеграл» — находится в Минске.

Ежегодно их количество снижается из-за малого спроса на рынке и появления на прилавках более новых и надёжных вариантах.

Параметры транзистора КТ819, его цоколевка и аналоги

Транзистор КТ819 представляет собой кремневый полупроводниковый прибор структуры n — p — n . Конструктивно транзистор выполняется в двух вариантах – в металлическом и пластиковом корпусах. Основная сфера применения: работа в качестве ключевого элемента, работа в выходных каскадах мощных усилителей звуковой частоты.

Отличительной особенностью является дешевизна при относительно высоких технических характеристиках. Именно поэтому данный полупроводниковый прибор нашел широкое распространение при производстве радиотехнической аппаратуры в республиках бывшего СССР и после его распада – в странах СНГ. Более того, несмотря на достаточно большой ассортимент зарубежных транзисторов, которые предлагает современный рынок радиоэлектронных компонентов, КТ819 активно применяется радиолюбителями при конструировании различных устройств.

Цоколевка транзистора

Цоколевка полупроводникового прибора показана на рисунке 1. Как можно заметить, вывод коллектора соединен с корпусом транзистора. Для возможности крепления на радиатор предусмотрены лепестки с отверстиями диаметром 4,1мм. При исполнении в пластиковом корпусе для крепления к охлаждающему радиатору предусмотрен один лепесток с отверстием 3,6 мм .

Основные параметры

Основные характеристики КТ819 отражены в таблице 1.

Возможные аналоги

Транзистор КТ819 нельзя назвать дефицитной деталью. Тем не менее, встречаются случаи, когда по тем или иным причинам необходимо подобрать его аналог – то есть транзистор, который больше всего соответствует его характеристикам. В целом при подборе аналога для любого отечественного или импортного транзистора основополагающими характеристиками являются:

• допустимое напряжение между выводом коллектора и выводом эммитера;
• допустимый ток коллектора;
• коэффициент усиления;
• рабочая частота.

Чем можно заменить КТ819? Рассмотрим возможную замену теми или иными отечественными и зарубежными транзисторами.

Отечественные аналоги

Заменить КТ819 можно следующими отечественными транзисторами:

• КТ834;
• КТ841;
• КТ844;
• КТ847.

Зарубежные аналоги

Заменить КТ819 можно следующими зарубежными полупроводниковыми приборами:

• 2 N6288 ;
• BD705 ;
• TIP41 ;
• BD533 .

Отдельно стоит сказать об аналоге для КТ819ГМ. Все дело в том, что в большинстве схем усилителей звуковой частоты используются именно КТ819ГМ. Чем заменить КТ819ГМ? Полного аналога этого транзистора не существует. Однако наиболее близким по параметрам является зарубежный транзистор – 2 N 3055. Кроме этого, некоторые схемы на КТ819ГМ могут успешно работать с В D 183, 2 N 6472, КТ729.

Проверка транзистора

Проверить КТ819 можно обыкновенным тестером. Для проверки измерительный прибор переводится в режим измерения сопротивлений. Согласно схеме КТ819ГМ (расположению выводов) или другого компонента этой серии подключаем плюсовой щуп прибора к выводу базы, а минусовой – к выводу коллектора. Измерительный прибор должен показать пробивное напряжение. Далее, не отсоединяя плюсовой щуп от базы, подключаем минусовой щуп к выводу эмиттера. В данном случае прибор должен показать практически то же значение, что и при измерении перехода база-коллектор.

После описанной выше процедуры следует проверить переходы при обратном включении. Согласно схеме КТ819 (расположению выводов) подключаем минусовой щуп тестера к выводу базы, а плюсовой – к выводу коллектора. Каких-либо показаний на приборе быть не должно. После этого, не отключая минусовой щуп от базы, подключаем плюсовой щуп к эмиттеру – как и в случае с переходом база-коллектор, показаний на тестере быть не должно. Проверку можно считать успешной, а транзистор – исправным, если переходы не повреждены.

Важный момент: проверять любой полупроводниковый элемент следует исключительно при демонтаже его из схемы. Проще говоря – проверка элемента, соединенного с другими компонентами схемы, может быть некорректной.

Усилитель на КТ819

В качестве «бонуса» приведем простую схему усилителя, в котором используется КТ819 и его комплементарная пара КТ818. Схема простейшего усилителя показана на рисунке 2.

Отличительной особенностью усилителя, изображенного на рисунке 2, является питание его от двухполярного источника. Благодаря такому схемотехническому решению обеспечивается возможность подключения нагрузки непосредственно между выходом усилительного каскада и общим проводом. Также стоит отметить и то, что входной каскад является дифференциальным и обладает высокой термостабильностью.

При использовании элементов, указанных на схеме, при питании напряжением ±40 В и при нагрузке сопротивлением 4 Ом выходная мощность может достигать 55 Вт. Коэффициент нелинейных искажений – 0,07%.

После сборки усилителя каких-либо операций по его настройке не требуется. Для облегчения теплового режима выходные элементы усилителя ( VT 6 и VT 7) должны быть установлены на радиаторах. Если будет использован один общий радиатор, транзисторы должны быть закреплены к нему через изоляционные прокладки.

Транзисторы кт819 и кт818 (а-г, ам…гм) характеристики, цоколевка (datasheet)

Распиновка КТ818 зависит от его исполнения. Как говорилось ранее, эти транзисторы бывают двух видов: пластиковой упаковке КТ-28 (аналог импортного ТО220) и металлостеклянной КТ-9(ТО3). Обозначение типа приводится на корпусе. Таким устройство впервые появилось еще во времена СССР и с тех пор никак не изменилось. В техническом описании обычно указаны оба варианта.

Внимательно рассмотрим цоколевку у КТ-28. Если смотреть на обозначение транзистора, то слева будет эмиттер (Э), в центре коллектор (К), а справа база (Б).

В металлостеклянном корпусе КТ818 практически перестали выпускать. Связано это с их моральным устареванием и непригодностью применения при создании новой техники. Старое оборудование, в котором они использовались ранее, уже сильно уступает современным техническим новинкам по своим параметрам. В тоже время их можно использовать в учебных целях и ремонта оборудования советских времен.

На рисунке ниже указано расположение выводов для КТ818(КТ-9). Если перевернуть транзистор и посмотреть на него, то вывод Б будет слева, а Э справа. Корпус устройства – это контакт К.

Технические характеристики

Сначала рассмотрим предельно допустимые характеристики. В них приведены максимальные значения, превышать которые нельзя, так как транзистор выйдет из строя. Стандартная температура, при которой производились измерения равна 25°С. Вот они:

• напряжение К-Б:
• 2Т819(А) U_{КБ max} = 25 В;
• 2Т819(Б) U_{КБ max} = 40 В;
• 2Т819(В_ U_{КБ max} = 60 В;
• напряжение К-Э (R_БЭ ≤ 100 Ом, Т = Т_мин – 323 К)
• КТ819(А, АМ) U_{КЭ max} = 40 В;
• 2Т819(Б) U_{КЭ max} = 80 В;
• КТ819(Б, БМ) U_{КЭ max} = 50 В;
• КТ819(В, ВМ) U_{КЭ max} = 70 В;
• 2Т819(В) U_{КЭ max} = 60 В
• 2Т819(А), КТ819(Г, ГМ) U_{КЭ max} = 100 В.
• напряжение Б-Э U_{ЭБ max} = 5 В;
• постоянный ток через коллектор
• КТ819(А, Б, В, Г) I_{K max} = 10 А;
• 2Т8І9(А, Б, В), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) I_{K max} = 15 А.
• импульсный ток через коллектор (t_и < 10 мс. Q ≥ 100)
• КТ819(А, Б, В, Г) I_{К , и max} = 15 А;
• 2Т8І9(А, Б, В), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) I_{К , и max} = 20 А.
• ток через базу I_{Б max} = З А;
• импульсный через ток базу (t_и < 10 мс, Q > 100) I_{Б и max} = 5 А;
• мощность (с теплоотводом при Т_к ≤ 298 К)
• КТ819(А, Б, В, Г) P_{K Т max} = 60 Вт;
• 2Т8І9(А, Б, В), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) P_{K Т max} = 100 Вт.
• мощность (без теплоотвода при Т_к ≤ 298 К)
• КТ819(А, Б, В, Г) P_K = 1,5 Вт;
• 2Т8І9(А, Б, В) P_K = 3 Вт;
• КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) P_K = 2 Вт.
• т-ра перехода
• 2Т8І9(А, Б, В) T_п= 423 К;
• КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) T_п = 398 К.

Для того, чтобы понять возможности транзистора, нужно рассмотреть также и его электрические характеристики. Они так же, как и в предыдущем случае измерялись при температуре +25°С. Все остальные параметры приведены рядом с результатами тестирования.

• граничное напряжение (I_К = 0,1 А, t_И ≤ 300 мкс, Q ≥ 100)
• KT8I9(A, АМ) U_КЭОгр ≤ 25 В;
• КТ819(Б, БМ), 2Т819(В) U_{КЭО гр} ≤ 40 В;
• КТ819(В, ВМ), 2Т819(Б) U_{КЭО гр} ≤ 60 В;
• КТ819(Г, ГМ), 2Т819(А) U_{КЭО гр} ≤ 60 В.
• напряжение насыщения К – Э

• 2Т8І9(А, Б, В) U_{КЭ нас} = 1 В;
• КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) U_{КЭ нас} = 2 В.

2Т8І9(А, Б, В) UКЭ нас = 5 В;

• КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) U_{КЭ нас} = 4 В.
• напряжение насыщения база-эмиттер (I_К = 5 А, I_Б = 0,5 А)
• 2Т8І9(А, Б, В) U_{БЭ нас} = 1,5 В;
• КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) U_{БЭ нас} = 3 В.
• Статический к-т передачи тока в схеме с ОЭ (U_КБ = 5 В, I_К = 5 А),

при Т = 298 К и Т= Т_{к макс}:

• 2Т8І9(А, Б, В) h_21э = 20;
• KT8I9(A, В, AM, ВМ) h_21э = 15;
• КТ819(Б, БМ) h_21э = 20;
• КТ819(Г, ГМ) h_21э = 12.

2Т8І9(А, Б, В) h21э = 9;

• KT8I9(A, В, AM, ВМ) h_21э = 10;
• КТ819(Б, БМ) h_21э = 15;
• КТ819(Г,(ГМ) h_21э = 7.
• частота к-та передачи в схеме с ОЭ при U_КБ=5 В, I_э = 05 А f_гр = 3 (min), 5 (typ), 12 (max) МГц;
• время выкл. (I_К = 5 А, I_Б = 0,5 А) t_вкл = 2,5 мкс;
• ёмкость на коллекторе (U_КБ=5 В) c_к = 360 (min), 600 (typ), 1000 (max) пФ;
• пробивное напряжение К-Б (Т = 213 — 298 К, I_К,= 1 мА)
• 2Т819(А) U_{КБО проб} = 100 В;
• 2Т8І9(Б) U_{КБО проб} = 80 В;
• 2T8I9(B) U_{КБО проб} = 60 В.
• Обратный ток через коллектор при (U_КБ =40 В)
• КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) I_КБО = 1 мА.

Datasheet Download — Integral

Номер произв
KT816

Описание
PNP Transistor
Производители
Integral
логотип

1Page
No Preview Available !
КТ816

биполярный транзистор
Назначение

Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в

ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

• Прототип КТ816Б – BD234

• Прототип КТ816В – BD236

• Прототип КТ816Г – BD238

• Диапазон рабочих температур корпуса от — 60 до + 150°C

• Комплиментарная пара – КТ817

Обозначение технических условий

• аАО. 336.186 ТУ / 02

• пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126) – КТ816А, Б, В, Г

• пластмассовый корпус КТ-89 (DPAK) — КТ816А9, Б9, В9, Г9

Назначение выводов
Вывод

Эмиттер
Коллектор
База
Вывод

База
Коллектор
Эмиттер

КТ816 (январь 2011г., редакция 1.0)

No Preview Available !
Таблица 1. Основные электрические параметры КТ816 при Токр. среды = 25 °С

Граничное напряжение колл-эмит

Обратный ток коллектора

Обратный ток коллектор-эмиттер

Статический коэффициент передачи тока

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Ед. изм. Режимы измеpения Min

B Iэ=0,1A, tи=0,3÷1 мс

Uкэ=40 В, Rбэ≤ 1 кОм —

Uкэ=45 В, Rбэ≤ 1 кОм

Uкэ=60 В, Rбэ≤ 1 кОм

Uкэ=100В, Rбэ≤ 1 кОм

Таблица 2. Предельно допустимые электрические режимы КТ816

Напряжение коллектор-эмиттер (Rэб ≤ 1кОм)

Постоянный ток коллектора
Импульсный ток коллектора
Максимально допустимый постоянный ток базы
Рассеиваемая мощность коллектора
Температура перехода
Обозначение

КТ816 (январь 2011г., редакция 1.0)

No Preview Available !
ОАО «ИНТЕГРАЛ», г

Минск, Республика Беларусь

Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой

учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.

ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик

изделий без предварительного уведомления.

Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные прототипы не подразумевают

полного совпадения конструкции иили технологии

Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является

ближайшим или функциональным аналогом.

Контактная информация предприятия доступна на сайте

КТ816 (январь 2011г., редакция 1.0)

Всего страниц
3 Pages
Скачать PDF

Технические характеристики

КТ818Г является самым мощным транзистором в своей серии, если не брать во внимание устройства в металлостеклянном корпусе. Среди своих собратьев он способен выдерживать наибольшее возможное напряжение между коллектором (К) и эмиттером (Б) (Uкэ макс), однако имеет самый низкий коэффициент усиления по току (H21э)

Далее рассмотрим максимальные параметры поподробнее.

Максимальные параметры

Максимальные параметры КТ818Г:

• постоянное напряжение: К-Э U_{кэ макс} до 90 В (при R_эб < 1 кОм); К-Б U_{кб макс} до 90 В; Э-Б U_{кэ макс} до 5 В;
• коллекторный ток: I_к до 10 А; импульсный I_кимп. до 15 А;
• ток базы: I_б до 3 А; импульсный I_бимп. до 5 А;
• рассеиваемая мощность ограничена корпусом (при Т_Корп. до +25 oC) P_{к макс} до 1,5 Вт; до 60 Вт (с радиатором);
• диапазон температур окружающей среды (Т_{окр. среды}): -40 … +100 oC;
• температура кристалла до +125 oC.

Превышение указанных максимальных параметров недопустимо, чаще всего приводит к порче и выходу устройства из строя

Для переменного тока длительность импульса (tи) должна быть менее 10 мс, а скважности (Q) более 100

Для предотвращения перегрева устройства, особенно при больших нагрузках, желательно применение радиатора. В случае превышения Т_Корп. более +25 oC рассеиваемая на коллекторе мощность P_{к макс} снижается линейно на 0,015 Вт/ oC, с применением теплоотвода на 0,6 Вт/оС.

При монтаже на плату, находящуюся под напряжением, вывод базы (Б) должен паяться в первую очередь, а отпаиваться в последнюю. Допустимый статический потенциал до 1 кВ.

Электрические параметры

Ниже представлены основные электрические характеристики взятые из даташит на КТ818Г белорусского предприятия электронной промышленности ОАО «Интеграл». Аналогичные параметры будут и у других современных производителей. Все значения представлены для температуры окружающей среды до +25 oC.

Аналоги

Многие радиолюбители, разочаровавшиеся в качестве отечественного КТ818Г, ищут его импортный аналог, но не находят полноценной замены. Вместе с тем, технологии изготовления подобных устройств ушли далеко вперёд и на рынке как отечественной, так и зарубежной радиоэлектроники появилось много достойных для него альтернатив. Вот самые популярные: BD304, MJE2955T, 2SA1962, MJL21193, MJL21195, 2SA1386, BD911, 2SA1943N. С меньшим коллекторным током возможной заменой могут быть: 2N6107, TIP42С.

Из отечественных транзисторов функциональным аналогом считается КТ8102. Немного другой корпус (КТ-431) имеет новый КТ818Г1, но по остальным характеристикам он практически идентичен рассматриваемому. В случае наличия места на плате, можно рекомендовать более мощный транзистор в металлостеклянном корпусе КТ818ГМ (он же зарубежный BDX18).

Распиновка

Цоколевка КТ819 зависит от его назначения. В советские времена устройство выпускали в двух вариантах корпусов: пластиковом КТ-28 (аналог зарубежного ТО-220) и металлостеклянном КТ-9(ТО-3). В настоящее время такое разделение продолжается и встречается в некоторых технических описаниях. Рассмотрим поподробней расположение выводов у указанного транзистора в пластмассовой упаковке КТ-28, cлева на право у него: эмиттер (Э), коллектор (К), база (Б).

Подобные устройства, особенно в металлическом корпусе, встречаются на российском рынке с каждым годом все реже. Это происходит из-за практически полного сокращения их производства в нашей стране и наличия в большом количестве недорогих аналогов от зарубежных компаний. Вот так выглядит КТ819 в корпусе КТ-9.

Если смотреть на него снизу, то база расположена слева, эмиттер справа. Металлическая подложка-корпус — это коллектор. Рассмотрим другие данные этой серии полупроводниковых триодов.