3878 транзистор чем заменить
2SK3878 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2SK3878
Тип транзистора: MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 60 nC
Время нарастания (tr): 25 ns
Выходная емкость (Cd): 190 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.3 Ohm
2SK3878 Datasheet (PDF)
2SK3878 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (- MOSIV) 2SK3878 Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.0 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 7.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (max) (VDS = 720 V) Enhancement model: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, mA)
isc N-Channel Mosfet Transistor 2SK3878FEATURESDrain Current I = 9A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 900V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.3(Max)DS(on)Avalanche Energy SpecifiedFast SwitchingSimple Drive RequirementsMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for a
2SK3879 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (-MOSIV) 2SK3879 Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 1.35 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 5.2 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (max) (VDS = 640 V) Enhancement model: Vth = 2.0
4.0 V (VDS = 10 V, mA) Absolu
2SK3875-01N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings (mm) 200407FUJI POWER MOSFETSuper FAP-G SeriesFeaturesHigh speed switching, Low on-resistanceLow driving power, Avalanche-proofNo secondary breakdownApplicationsSwitching regulatorsUPS (Uninterruptible Power Supply)DC-DC convertersMaximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25C unless other
2SK3871-01MRN-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings (mm) 200406TO-220FFUJI POWER MOSFETSuper FAP-G SeriesFeatures High speed switching Low on-resistance No secondary breakdown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators DC-DC converters UPS (Uninterruptible Power Supply)Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25
2SK3874-01RN-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings (mm) 200406FUJI POWER MOSFETSuper FAP-G SeriesFeatures High speed switching Low on-resistance No secondary breakdown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators DC-DC converters UPS (Uninterruptible Power Supply)Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25C unless o
2SK3876-01RN-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings (mm) 200407FUJI POWER MOSFETSuper FAP-G SeriesFeaturesHigh speed switching, Low on-resistanceLow driving power, Avalanche-proofNo secondary breakdownApplicationsSwitching regulatorsUPS (Uninterruptible Power Supply)DC-DC convertersMaximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25C unless othe
2SK3872-01L,S,SJN-CHANNEL SILICON POWER MOSFET200406Outline Drawings (mm)FUJI POWER MOSFETSuper FAP-G SeriesFeatures High speed switching Low on-resistanceSee to P4 No secondary breakdown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators DC-DC converters UPS (Uninterruptible Power Supply)Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings
2SK3870-01N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings (mm) 200406TO-220ABFUJI POWER MOSFETSuper FAP-G SeriesFeatures High speed switching Low on-resistance No secondary breakdown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators DC-DC converters UPS (Uninterruptible Power Supply)Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25C
2SK3873-01N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings (mm) 200407FUJI POWER MOSFETSuper FAP-G SeriesFeaturesHigh speed switching, Low on-resistanceLow driving power, Avalanche-proofNo secondary breakdownApplicationsSwitching regulatorsUPS (Uninterruptible Power Supply)DC-DC convertersMaximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25C unless other
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3875-01FEATURESDrain Current : I = 13A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 900V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.0(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3874-01RFEATURESDrain Current : I = 56A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 280V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 61m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3870FEATURESDrain Current : I = 40A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 230V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 76m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.ABS
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3872-01SFEATURESDrain Current : I = 40A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 230V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 76m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3872-01LFEATURESDrain Current : I = 40A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 230V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 76m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK387DESCRIPTIONDrain Current I =12A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 150V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh speed applications.such as off-line switching power supplies , UPS,AC and DCmotor controls,rel
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3879FEATURESDrain Current : I = 6.5A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.7(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.AB
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3873-01FEATURESDrain Current : I = 56A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 280V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 61m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.
Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Аналоги транзистора 2SC3878.
Справка об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора 2SC3878.
Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора 2SC3878 .
Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.
Можно попробовать заменить транзистор 2SC3878
транзистором 2N3247;
транзистором BC168;
транзистором КТ315Г, kt315g;
Коллективный разум.
Добавить аналог транзистора 2SC3878.
Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора 2SC3878? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения.
Разделы справочника:
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
3878 транзистор чем заменить
2SK3878 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (- MOSIV) 2SK3878 Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.0 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 7.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (max) (VDS = 720 V) Enhancement model: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, mA)
..2. 2sk3878.pdf Size:216K _inchange_semiconductor
isc N-Channel Mosfet Transistor 2SK3878FEATURESDrain Current I = 9A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 900V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.3(Max)DS(on)Avalanche Energy SpecifiedFast SwitchingSimple Drive RequirementsMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for a
8.1. 2sk3879.pdf Size:292K _toshiba
2SK3879 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (-MOSIV) 2SK3879 Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 1.35 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 5.2 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (max) (VDS = 640 V) Enhancement model: Vth = 2.0
4.0 V (VDS = 10 V, mA) Absolu
2SK3875-01N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings (mm) 200407FUJI POWER MOSFETSuper FAP-G SeriesFeaturesHigh speed switching, Low on-resistanceLow driving power, Avalanche-proofNo secondary breakdownApplicationsSwitching regulatorsUPS (Uninterruptible Power Supply)DC-DC convertersMaximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25C unless other
2SK3871-01MRN-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings (mm) 200406TO-220FFUJI POWER MOSFETSuper FAP-G SeriesFeatures High speed switching Low on-resistance No secondary breakdown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators DC-DC converters UPS (Uninterruptible Power Supply)Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25
2SK3874-01RN-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings (mm) 200406FUJI POWER MOSFETSuper FAP-G SeriesFeatures High speed switching Low on-resistance No secondary breakdown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators DC-DC converters UPS (Uninterruptible Power Supply)Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25C unless o
2SK3876-01RN-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings (mm) 200407FUJI POWER MOSFETSuper FAP-G SeriesFeaturesHigh speed switching, Low on-resistanceLow driving power, Avalanche-proofNo secondary breakdownApplicationsSwitching regulatorsUPS (Uninterruptible Power Supply)DC-DC convertersMaximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25C unless othe
2SK3872-01L,S,SJN-CHANNEL SILICON POWER MOSFET200406Outline Drawings (mm)FUJI POWER MOSFETSuper FAP-G SeriesFeatures High speed switching Low on-resistanceSee to P4 No secondary breakdown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators DC-DC converters UPS (Uninterruptible Power Supply)Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings
2SK3870-01N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings (mm) 200406TO-220ABFUJI POWER MOSFETSuper FAP-G SeriesFeatures High speed switching Low on-resistance No secondary breakdown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators DC-DC converters UPS (Uninterruptible Power Supply)Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25C
2SK3873-01N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings (mm) 200407FUJI POWER MOSFETSuper FAP-G SeriesFeaturesHigh speed switching, Low on-resistanceLow driving power, Avalanche-proofNo secondary breakdownApplicationsSwitching regulatorsUPS (Uninterruptible Power Supply)DC-DC convertersMaximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25C unless other
8.9. 2sk3875-01.pdf Size:330K _inchange_semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3875-01FEATURESDrain Current : I = 13A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 900V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.0(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.
8.10. 2sk3874-01r.pdf Size:274K _inchange_semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3874-01RFEATURESDrain Current : I = 56A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 280V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 61m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.
8.11. 2sk3870.pdf Size:286K _inchange_semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3870FEATURESDrain Current : I = 40A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 230V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 76m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.ABS
8.12. 2sk3872-01s.pdf Size:286K _inchange_semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3872-01SFEATURESDrain Current : I = 40A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 230V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 76m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.
8.13. 2sk3872-01l.pdf Size:283K _inchange_semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3872-01LFEATURESDrain Current : I = 40A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 230V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 76m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.
8.14. 2sk387.pdf Size:235K _inchange_semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK387DESCRIPTIONDrain Current I =12A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 150V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh speed applications.such as off-line switching power supplies , UPS,AC and DCmotor controls,rel
8.15. 2sk3879.pdf Size:357K _inchange_semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3879FEATURESDrain Current : I = 6.5A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.7(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.AB
8.16. 2sk3873-01.pdf Size:283K _inchange_semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3873-01FEATURESDrain Current : I = 56A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 280V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 61m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.
Uc3842bn как проверить
Микросхема ШИМ-контроллера UC3842 является самой распространенной при построении блоков питания мониторов. Кроме того, эти микросхемы применяются для построения импульсных регуляторов напряжения в блоках строчной развертки мониторов, которые являются и стабилизаторами высоких напряжений и схемами коррекции растра. Микросхема UC3842 часто используется для управления ключевым транзистором в системных блоках питания (однотактных) и в блоках питания печатающих устройств. Одним словом, эта статья будет интересна абсолютно всем специалистам, так или иначе связанным с источниками питания.
Выход из строя микросхемы UC 3842 на практике происходит довольно часто. Причем, как показывает статистика таких отказов, причиной неисправности микросхемы становится пробой мощного полевого транзистора, которым управляет данная микросхема. Поэтому при замене силового транзистора блока питания в случае его неисправности, настоятельно рекомендуется проводить проверку управляющей микросхемы UC 3842.
Существует несколько методик проверки и диагностики микросхемы, но наиболее эффективными и простыми для применения на практике в условиях слабо оснащенной мастерской являются проверка выходного сопротивления и моделирование работы микросхемы с применением внешнего источника питания.
Для этой работы потребуются следующие приборы:
Можно выделить два основных способа проверки исправности микросхемы:
Функциональная схема приводится на рис.1, а расположение и назначение контактов на рис.2.
Проверка выходного сопротивления микросхемы
Очень точную информацию об исправности микросхемы дает ее выходное сопротивление, так как при пробоях силового транзистора высоковольтный импульс напряжения прикладывается именно к выходному каскаду микросхемы, что в итоге и служит причиной ее выхода из строя.
Выходное сопротивление микросхемы должно быть бесконечно большим, так как ее выходной каскад представляет собой квазикомплиментарный усилитель.
Проверить выходное сопротивление можно омметром между контактами 5 (GND) и 6 (OUT) микросхемы (рис.3), причем полярность подключения измерительного прибора не имеет значения. Такое измерение лучше производить при выпаянной микросхеме. В случае пробоя микросхемы это сопротивление становится равным нескольким Ом.
Если же измерять выходное сопротивление, не выпаивая микросхему, то необходимо предварительно выпаять неисправный транзистор, так как в этом случае может «звониться» его пробитый переход «затвор-исток». Кроме того, при этом следует учесть, что обычно в схеме имеется согласующий резистор, включаемый между выходом микросхемы и «корпусом». Поэтому у исправной микросхемы при проверке может появиться выходное сопротивление. Хотя, оно обычно не бывает меньше 1 кОм.
Таким образом, если выходное сопротивление микросхемы очень мало или имеет значение близкое к нулю, то ее можно считать неисправной.
Моделирование работы микросхемы
Такая проверка проводится без выпаивания микросхемы из блока питания. Блок питания перед проведением диагностики необходимо выключить!
Суть проверки заключается в подаче питания на микросхему от внешнего источника и анализе ее характерных сигналов (амплитуды и формы) с помощью осциллографа и вольтметра.
Порядок работы включает в себя следующие шаги:
-
1) Отключить монитор от сети переменного тока (отсоединить сетевой кабель).
-
2) От внешнего стабилизированного источника тока подать на контакт 7 микросхемы питающее напряжение более 16В (например, 17-18 В). При этом микросхема должна запуститься. Если питающее напряжение будет менее 16 В, то микросхема не запустится.
-
3) С помощью вольтметра (или осциллографа) измерить напряжение на контакте 8 (VREF) микросхемы. Там должно быть опорное стабилизированное напряжение +5 В постоянного тока.
-
4) Изменяя выходное напряжение внешнего источника тока, убедиться в стабильности напряжения на контакте 8. (Напряжение источника тока можно изменять от 11 В до 30 В, при дальнейшем уменьшении или увеличении напряжения микросхема будет отключаться, и напряжение на контакте 8 будет пропадать).
-
5) Осциллографом проверить сигнал на контакте 4 (CR). В случае исправной микросхемы и ее внешних цепей на этом контакте будет линейно изменяющееся напряжение (пилообразной формы).
-
6) Изменяя выходное напряжение внешнего источника тока, убедитесь в стабильности амплитуды и частоты пилообразного напряжения на контакте 4.
-
7) Осциллографом проверить наличие импульсов прямоугольной формы на контакте 6 (OUT) микросхемы (выходные управляющие импульсы).
Если все указанные сигналы присутствуют и ведут себя в соответствии с вышеприведенными правилами, то можно сделать вывод об исправности микросхемы и ее правильном функционировании.
В заключение хочется отметить, что на практике стоит проверить исправность не только микросхемы, но и элементов ее выходных цепей (рис.3). В первую очередь это резисторы R1 и R2, диод D1, стабилитрон ZD1, резисторы R3и R4, которые формируют сигнал токовой защиты. Эти элементы часто оказываются неисправными при пробоях
Всем привет. На днях в ремонт приносили сварочный инвертор, возможно моя заметка об этом ремонте кому то будет полезной.
Это уже не первый сварочный аппарат который пришлось делать, но если в одном случае неисправность проявилась так: Включил инвертор в сеть… и бабах, выбило автоматы защиты в электро щитке. Как показало вскрытие в сварочнике пробило выходные транзисторы, после замены всё заработало.
Но в этом случае всё было несколько иначе, со слов хозяина аппарат временами переставал варить хотя индикатор включения светился. Эти ребята сами вскрыли корпус — пытались определить неисправность и заметили, что инвертор реагировал на изгибание платы т.е. при её изгибе мог заработать. Но когда сварочный инвертор попал ко мне, он уже не включался вообще, даже индикатор включения не светился.
Сварочный инвертор не включается
«Титан — БИС — 2300»- именно эта модель инвертора поступила в ремонт, схемотехника повторяет сварочный аппарат аналогичной мощности «Ресанта» и как я предполагаю ещё многие другие инверторы. Посмотреть и скачать схему можно здесь.
В этом сварочном аппарате для питания низковольтных цепей применяется импульсный блок питания, как раз он и был неисправен. ИБП выполнен на ШИМ контролере UC 3842BN. Аналоги — отечественный 1114ЕУ7, Импортные UC3842AN отличается от BN только меньшим потребляемым током, и КА3842BN (AN). Схема ИБП ниже. (Кликните по ней для увеличения) Красным отмечены напряжения которые выдавал уже рабочий ИБП. Обратите внимание на то, что измерять напряжения 25V нужно не относительно общего минуса, а именно с точек V1+,V1- и также V2+,V2- они не связанны с общей шиной. 
Ключ ИБП выполнен на транзисторе, полевик 4N90C. В моём случае транзистор остался целым, а вот микросхема потребовала замены. Также был в обрыве резистор R 010 — 22 Om/1Wt. После этого блок питания заработал.
Однако радоваться было рано, замерив напряжение на выходе сварочника, оказалось что его нет, а в режиме холостого хода должно быть примерно 85 вольт. Попробовал пошевелить плату, помните со слов хозяина это влияло, но ничего.
Дальнейшие поиски выявили отсутствие одного из напряжений 25 вольт в точках V2-,V2+. Причина, обрыв в трансформаторе обмотки 1-2. Пришлось выпаивать транс, использовал медицинскую иглу для освобождения выводов.
В трансформаторе один из концов обмотки был оборван от вывода.
Аккуратно восстанавливаем соединение используя подходящий проводок, восстановленное соединение не будет лишним зафиксировать капелькой клея или герметика. У меня под руками оказался полиуретановый клей им и воспользовался, делаем ревизию других выводов, если необходимо пропаиваем.
Перед установкой трансформатора следует подготовить плату, чтобы он без усилий вошёл в своё место. Для этого нужно очистить от остатков припоя отверстия, сделать это можно так же иглой от шприца подходящего диаметра.
После установки трансформатора сварочный инвертор заработал.
Как проверить микросхему
Как проверить микросхему не выпаивая её из платы и на что ещё обратить внимание.
Частично проверить микросхему можно при наличии вольтметра и регулируемого стабилизированного источника постоянного напряжения. Для полной проверки нужны генератор сигналов и осциллограф.
Поговорим о том, что проще. Перед проверкой обязательно выключите инвертор от сети питания. Далее — от внешнего регулируемого блока питания на вывод 7 микросхемы подаём напряжение 16 — 17 вольт, это напряжение запуска МС. При этом на выводе 8 должно быть 5 В. это опорное напряжение от внутреннего стабилизатора микросхемы.
Оно должно оставаться стабильным при изменении напряжения на 7 выводе. Если это не так МС неисправна.
Изменяя напряжение на микросхеме имейте в виду, что ниже 10 В микросхема отключается, и включится при 15-17 вольт. Не следует повышать напряжение питания МС выше 34 В Внутри микросхемы стоит защитный стабилитрон и при сильно завышенном напряжении его просто пробьёт.
Ниже приведена структурная схема UC3842.
Дополнение к этой статье: Через некоторое время принесли ещё один аппарат. Вышел из строя из за падения на бок. Это произошло потому, что за время работы винты скрепляющие корпус разболтались, а некоторые просто потерялись, поэтому при падении плата сыграла и коснулась корпуса монтажной стороной В результате замыкания вышли из строя все 4 выходных транзистора K 30N60HS Аналоги G30N60A4D, G40N60UFD. После замены всё заработало.
3878 транзистор чем заменить
Группа: Cоучастник
Сообщений: 466
Пользователь №: 105499
Регистрация: 8-March 14
Здравствуйте форумчане!Сгорел тут у меня сварочник MIKRO-СВИ250 домашний,карманный такой.Схемы есс-но нет-перерыл все!Лазил на всевозможных форумах-толком подсказок и советов не дают,а тут на форуме ВРТП смотрю про эти аппараты вроде нет разговора,а знающие ведь тут есть наверняка!!!Может поможете . Да и глядишь тема прорастет. ведь многим же будет полезно. ну и интересно.
Присоединённое изображение (Нажмите для увеличения)
Группа: Cоучастник
Сообщений: 2450
Пользователь №: 47771
Регистрация: 4-May 09
Место жительства: Краснодар
Группа: Cоучастник
Сообщений: 5277
Пользователь №: 34556
Регистрация: 3-July 08
Место жительства: валить отсюда надо.
Группа: Cоучастник
Сообщений: 2371
Пользователь №: 78989
Регистрация: 31-March 11
Место жительства: красноярск
Группа: Cоучастник
Сообщений: 466
Пользователь №: 105499
Регистрация: 8-March 14
Неее. это MIKRO-СВИ250 Малюсенький. Ключи на радиаторах улетели все четыре-уже впаял другие помощнее.он включается,реле клацает,а на выходе-ноль.Греются кренки 7815 и7915.Вот на этой платке стоят опера, один TL082 и два TL084.Две ТЛки 084 греются тоже.Я у них поднимал ноги питания,кренки стали греться на треть меньше. может они улетели.
Присоединённое изображение (Нажмите для увеличения)
Группа: Cоучастник
Сообщений: 466
Пользователь №: 105499
Регистрация: 8-March 14
Присоединённое изображение (Нажмите для увеличения)
Группа: Cоучастник
Сообщений: 466
Пользователь №: 105499
Регистрация: 8-March 14
Присоединённое изображение (Нажмите для увеличения)
Группа: Cоучастник
Сообщений: 466
Пользователь №: 105499
Регистрация: 8-March 14
Присоединённое изображение (Нажмите для увеличения)
Группа: Cоучастник
Сообщений: 2450
Пользователь №: 47771
Регистрация: 4-May 09
Место жительства: Краснодар
Группа: Cоучастник
Сообщений: 466
Пользователь №: 105499
Регистрация: 8-March 14
Группа: Cоучастник
Сообщений: 4905
Пользователь №: 53418
Регистрация: 30-September 09
Место жительства: Украина
| QUOTE (Svoboda @ Mar 16 2014, 02:46 PM) |
| Ключи на радиаторах улетели все четыре-уже впаял другие помощнее.он включается,реле клацает,а на выходе-ноль. |
Группа: Cоучастник
Сообщений: 1482
Пользователь №: 69484
Регистрация: 14-August 10
Место жительства: Серпухов
| QUOTE (Svoboda @ Mar 16 2014, 02:46 PM) |
| Неее. это MIKRO-СВИ250 Малюсенький. Ключи на радиаторах улетели все четыре-уже впаял другие помощнее.он включается,реле клацает,а на выходе-ноль. |
Группа: Cоучастник
Сообщений: 770
Пользователь №: 81750
Регистрация: 14-June 11
Группа: Cоучастник
Сообщений: 770
Пользователь №: 81750
Регистрация: 14-June 11
Вот для начала от 165
Присоединённый файл ( Кол-во скачиваний: 1338 )
_165________________828.pdf
Группа: Cоучастник
Сообщений: 770
Пользователь №: 81750
Регистрация: 14-June 11
Присоединённый файл ( Кол-во скачиваний: 826 )
____165_196.rar
Группа: Cоучастник
Сообщений: 770
Пользователь №: 81750
Регистрация: 14-June 11
Удалоси выяснить,што этот аппарат почти копия ресанты,только в другом обличии
Присоединённый файл ( Кол-во скачиваний: 658 )
____165.zip
Группа: Cоучастник
Сообщений: 466
Пользователь №: 105499
Регистрация: 8-March 14
Ну как же Я ж выложил фото аппарата. А ключи впаял другие ну не от балды. родные стояли GW45HF60WD. а я поставил RJH60F5.Cейчас допроверялся. улетел К3878 на раскачку стоял. и стабилитрон. не пойму на сколько,замаркирован поперек С20 и ниже 5Т. на 20 вольт. Стоял в цепи на затвор К3878.СЕРЖАНТ а схема не такая у меня.Детали другие и ключей,диодов на выходе меньше.
Это сообщение отредактировал Svoboda — Mar 16 2014, 04:22 PM
Группа: Cоучастник
Сообщений: 466
Пользователь №: 105499
Регистрация: 8-March 14
Группа: Cоучастник
Сообщений: 770
Пользователь №: 81750
Регистрация: 14-June 11
Сварочный Аппарат Темп Иса-250
Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.
Примечание: Ваш пост будет проверен модератором, прежде чем станет видимым.
Последние посетители 0 пользователей онлайн
- Ни одного зарегистрированного пользователя не просматривает данную страницу
- Ответов 75
- Создана 10 г
- Последний ответ 6 г
Топ авторов темы
KRAB 11 постов
oleg1ma 8 постов
antoncrimea 6 постов
sekrik 16 постов
Популярные посты
". реристор сгоревший 2.2 ома заменил на 51 ом когда поставил 2 ома транзистор 3878 нагрелся сильно вернул 51 ом схема пестала работать а транзистор слегка прогревается запутался дальше некуда если е
РАДІОЕЛЕКТРОНЩИК
Добрый день форумчане, подскажите пожалуйста может кто знает из за какой причины сгорело две дорожки на плате по которым подается питание на трансформатор блока питания. Со строя вышло то что показано