50jr22 чем заменить в ресанте
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 230
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 25
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 50
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.55
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 180
GT50JR22 Datasheet (PDF)

GT50JR22Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBTGT50JR22GT50JR22GT50JR22GT50JR221. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Dedicated to Current-Resonant Inverter Switching ApplicationsNote: The product(s) described herein should not be used for any other application.2. Features2. Features2. Features2. Features(1) 6.5th generation(2) The RC-IGB

GT50J301 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT50J301 HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS Unit: mmMOTOR CONTROL APPLICATIONS Third generation IGBT Enhancement mode type High speed : tf = 0.30s (Max.) Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.7V (Max.) FRD included between emitter and collector ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) CHA

GT50J121 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT50J121 High Power Switching Applications Unit: mmFast Switching Applications Fourth-generation IGBT Enhancement mode type Fast switching (FS): Operating frequency up to 50 kHz (reference) High speed: tf = 0.05 s (typ.) Low switching loss: Eon = 1.30 mJ (typ.) : Eoff = 1.34 mJ

GT50J328 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT50J328 Current Resonance Inverter Switching Application Unit: mmFourth Generation IGBT Enhancement mode type High speed : tf = 0.1 s (Typ.) Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.0 V (Typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-emitter volt


GT50J102 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT50J102 HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS Unit: mmMOTOR CONTROL APPLICATIONS Third-generation IGBT Enhancement mode type High speed. : tf = 0.30s (Max.) Low saturation voltage. : VCE(sat) = 2.7V (Max.) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITCollector-Emit

GT50J322 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT50J322 FOURTH GENERATION IGBT Unit: mmCURRENT RESONANCE INVERTER SWITCHING APPLICATIONS FRD included between emitter and collector Enhancement mode type High speed : tf = 0.25s (Typ.) (IC = 50A) Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.1V (Typ.) (IC = 50A) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25

GT50J341Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBTGT50J341GT50J341GT50J341GT50J3411. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Dedicated to Current-Resonant Inverter Switching ApplicationsNote: The product(s) described herein should not be used for any other application.2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Sixth generation(2) Enhancemen

GT50J325 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT50J325 High Power Switching Applications Unit: mmFast Switching Applications Fourth generation IGBT Enhancement mode type Fast switching (FS): Operating frequency up to 50 kHz (reference) High speed: tf = 0.05 s (typ.) Low switching loss: Eon = 1.30 mJ (typ.) : Eoff = 1.34 mJ
50jr22 чем заменить в ресанте


| Текущее время: Чт июл 27, 2023 00:27:37 |
Часовой пояс: UTC + 3 часа
Ресанта САИ 190. 2 транзистора вместо 4х.
| Страница 1 из 1 | [ Сообщений: 17 ] |
|
Достался по случаю за гроши сварочный аппарат Ресанта САИ 190. Аппарат после ремонта. При включении в сеть работает. Варить не рискнул, решил сперва поглядеть, что там наковыряли во время ремонта. Вскрыл аппарат и о чудо! Как выяснилось угол платы аппарата, где стоят силовые транзисторы, был сломан и в последствии востановлен. В оригинале там стояло 4 силовых транзистора включенных паралельно 2 из них попросту отсутствуют. Стоят 2 с маркировкой GW40V60DF (Даташит на него). Подозреваю что на максимальном токе они попросту вылетят. В наличии есть RJH60F5 (Датащит на него) в колличестве 3х шт. (4 надо поискать), с аналогичной САИ 190 более нового образца. Возможна ли работа этих разных транзисторов в паре? По даташиту вроде как одинаковые но нужен совет спеца. Возможна ли замена 2х GW40V60DF на 4 RJH60F5 без внесения изменений в схему? Добавлено after 3 hours 22 minutes 18 seconds: _________________ Чаще всего это саи 120-140 который влепили в корпус от 190 . На выходной транс и диоды на выходе смотреть надо . Добавлено after 3 minutes 27 seconds: Да есть такое подозрение что 140 воткнули в корпус 190. Да и вообще аппарат мутный. Нужно смотреть. Добавлено after 8 minutes 6 seconds: Добавлено after 1 hour 18 minutes 5 seconds: _________________ Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет китайцы по желанию заказчика комплектуют аппарат как угодно и с какой угодно надписью. Клонов той же Ресанты много. Можно даже за ,естественно, деньги выпустить САИ Вася Пупкин с любой начинкой. А по схеме—скинул ссылку в личку. Ведущий производитель электрического оборудования компания MORNSUN выпустила серию источников питания на DIN-рейку LI100-20BxxPR3 c выходами на 12, 15, 24 и 48 В. ИП позиционируются для умных домов, а так же используются в составе оборудования для промышленной автоматизации, различных производственных машин, рельсовых систем транспортировки и другого оборудования, работающего в условиях неблагоприятной окружающей среды. _________________ Компания MEAN WELL продолжает активное развитие номенклатуры, осваивая новые направления и обновляя существующую продукцию с учетом возрастающих требований. В настоящий момент в Компэл представлено множество недавно вышедших новинок MEAN WELL. Ремонт РЕСАНТА САИ 190 К SH105 — замена GT50JR22
Ремонт сварочного инвертора РЕСАНТА САИ 190К SH105. Последнее время в погоне за увеличением продаж и удешевлением аппаратов китайские производители инверторов низшего ценового диапазона экономят просто тотально на всём. Уменьшение корпусов и радиаторов, отсутствие дросселей на выходе, применение китайских аналогов IGBT транзисторов и диодов это всё следствие такой экономии. Но в этом аппарате просто верх экономии. Инвертор поступил в ремонт с убитыми транзисторами GT50JR22.
Если присмотреться внимательнее с левой стороны между радиаторами видны следы замыкания.
Вот тот же участок поближе, явно видны следы оплавления и нагар. Как сказал владелец — аппарат падал, не откуда то, а просто завалился набок и перестал работать. Видимо этого «завалился» ему и хватило что бы радиаторы замкнули между собой, расстояние между ними очень маленькое, а той жёлтой пластины, из текстолита прикрученной между радиаторами, изначально не было. Она была прикручена лично мной после ремонта, что бы в дальнейшем избежать хотя бы таких казусов.
В инверторах Ресанта восьми-девятилетней давности, на фото РЕСАНТА САИ 190 GP34, между радиаторами стояла толстая пластиковая стойка которая намертво прикручивалась к радиаторам и корпусу инвертора.
В других использовалась фасонная вставка которая надевалась на радиаторы чтобы исключить замыкание между ними. На фото радиаторы и вставка сварочного инвертора BLUEWELD PRESTIGE 211S.
Такое сравнение явно не в пользу новых аппаратов, а экономить на кусочке пластика это верх жадности. Ну ладно, это отступление, вернёмся к нашему «барану». В этом «баране» то есть в инверторе пришлось заменить оба транзистора GT50JR22 и диоды MURF860. В драйвере уже не помню. Возможно что он и не пострадал, при таких замыканиях они часто выживают, а случаются эти замыкания в последнее время всё чаще и чаще и не только в Ресанте. Подобная диэлектрическая перемычка между радиаторами отсутствует во многих дешёвых аппаратах ценой 3-5 т.р с подобной топологией платы. Грешат этим как известные так и неизвестные бренды. Возможно и в вашем инверторе её нет, но пока всё обходилось. Пока всё это менялось и паялось заодно и режим управления проверил, может пригодится. В инверторе РЕСАНТА САИ 190К SH105 используется плата управления SS4-200KZ-1.2-SMD на микросхемах UC3845B, LM324.
Режим работы платы управления сварочного инвертора РЕСАНТА САИ 190К SH105. Сначала делаем измерения в обычном режиме, затем подаём на выходные клеммы 23 вольта, имитируя рабочий режим инвертора, и делаем измерения при минимальном и максимальном положения регулятора сварочного тока. САИ РЕСАНТА 250 ПН. РемонтВы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта. Последние посетители 0 пользователей онлайн
Топ авторов темыKRAB 8 постов Ahneus 23 постов mal333 19 постов николай Зотин 7 постов Популярные постыNorderПроблема с ШИМ решена заменой его. Притом что 3845B от ST не работала, без увеличения напряжения на усилителе ошибки, пробовал 2 одинаковые микросхемы. От ON Semiconductor всё работало без танцев с бу
предыдущая запись
Agnd на схеме что |









