С6042 транзистор чем заменить

Зарубежные и отечественные транзисторы

Транзистор – популярный полупроводниковый прибор, выполняющий в электросхемах функции формирования, усиления или преобразования электросигналов и переключения электроимпульсов. Выделяют три типа этих приборов:

• Однопереходные – иначе называются «двухбазовыми диодами». Представляют собой трехэлектродные полупроводники с одним p-n переходом;
• Биполярные – имеют два p-n перехода;
• Полевые – специальный класс, могут служить выключателями или регуляторами тока.

Домашним мастерам, специалистам по ремонту радиоаппаратуры, конструкторам часто требуется подобрать отечественный аналог импортных приборов или наоборот. В некоторых случаях это необходимо для экономии средств – российская продукция гораздо дешевле импортной. Это можно сделать несколькими способами:

• Найти data sheets – техническую документацию к зарубежным электронным компонентам, в которой указываются основные параметры, обозначение на схемах и краткое описание. Затем воспользоваться справочниками на отечественные устройства. И методом подбора найти российские аналоги транзисторов или близкие по характеристикам устройства. Это длительный и сложный путь.
• Использовать таблицу, представленную на нашем сайте. Она поможет заменить зарубежный транзистор отечественным или уменьшить диапазон поиска до нескольких экземпляров.

В нашем каталоге транзисторов вы можете подобрать и купить отечественные аналоги зарубежных транзисторов.

Таблицы зарубежных аналогов транзисторов

Если вы нашли неточность в таблицах аналогов или хотите дополнить их — напишите об этом в комментариях внизу страницы!

С6042 транзистор чем заменить

Наименование производителя: 2SC6042

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 375 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора: MSTM

2SC6042 Datasheet (PDF)

2SC6042 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SC6042 High-Speed, High-Voltage Switching Applications Unit: mmSwitching Regulator Applications DC-DC Converter Applications High-speed switching: tf = 0.2 s (max) (IC = 0.3A) High breakdown voltage: VCES = 800 V, VCEO = 375 V Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitColle

2SC6040 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SC6040 High-Speed and High-Voltage Switching Applications Unit: mmSwitching Regulator Applications DC-DC Converter Applications High-speed switching: tf = 0.2 s (max) (IC = 0.3 A) High breakdown voltage: VCES = 800 V, VCEO = 410 V Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitC

Ordering number : ENN8251 2SC6044NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SC6044High-Current Switching ApplicationsApplications Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment.Features Adoption of MBIT process. Low collector-to-emitter saturation voltage. High current capacity. High-speed switching.SpecificationsAbsolute Maximum Ratin

Ordering number : ENN8326 2SC6043NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SC6043High-Current Switching ApplicationsApplications Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment.Features Adoption of MBIT process. High current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switching.SpecificationsAbsolute Maximum Ra

2SC6046FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEDESCRIPTION UnitmmOUTLINE DRAWING 2SC6046 is a silicon NPN epitaxial type transistor designed with high collector current, low VCEsat. 2.8 0.65 1.5 0.65FEATURE High collector current ICMAX=600mA Low collector to emitter saturation voltage VCEsa

Аналоги и замена зарубежных транзисторов

В публикации будут отображены аналоги и возможные замены для транзисторов зарубежного производства. Данная публикация будет пополняться по мере появления новых материалов.

Замена импортных транзисторов отечественными

Поиск транзистора для замены на сайте alltransistors.com

Для поиска эквивалентных замен транзисторов по параметрам можно воспользоваться формами на сайте alltransistors.com:

(для биполярных транзисторов); (для полевых транзисторов).

Ниже приведен пример поиска замены для транзистора NTE53.

Информация по транзистору была найдена на сайте www.weisd.com, там указано что 458-056 NTE Equivalent NTE53 — это высоковольтный быстродействующий кремниевый транзистор NPN-структуры в корпусе TO3 (NTE Electronics Inc). Используется в переключающих устройствах, где нужно высокое быстродействие.

Максимальные параметры транзистора из даташита:

• Напряжение Коллектор-Эмиттер: 400В (максимум 800В);
• Напряжение Эмиттер-База: 9В;
• Продолжительный ток Коллектора: 15А;
• Пиковый ток Коллектора: 30А;
• Рассеиваемая транзистором мощность: 175Ватт.

Исходя из приведенных параметров и используя страничку поиска «Bipolar Transistor Cross-Reference Search» можно поискать похожие по параметрам транзисторы, вот пример заполнения формы, исходя из параметров полученных из даташита на NTE53:

После отправки формы было получено 15 результатов:

В зависимости о того в каком устройстве используется транзистор NTE53, нужно пересмотреть даташиты на все найденные транзисторы для замены и выбрать подходящий по быстродействию (если это параметр критичен там где будет использоваться транзистор).