Kvr16s11 8wp что значит wp

Расшифровка номеров по каталогу Kingston

Узнайте, как читать номера по каталогу модулей памяти Kingston®, включая Kingston FURY™, Server Premier™ ValueRAM®, HyperX®, DDR5, DDR4, DDR3, DDR2, и линейки модулей памяти DDR. Это поможет вам идентифицировать модули памяти по спецификации.

Kingston FURY™ DDR5

Следующая информация предназначена для того, чтобы помочь вам идентифицировать модули памяти Kingston FURY по спецификации.

Номер артикула: KF556C38BBE2AK2-32

KF – Kingston FURY

5 – DDR5

52 – 5200
56 – 5600
60 – 6000
64 – 6400
68 – 6800
72 – 7200

C – UDIMM (небуферизованный, без ECC)
S – SODIMM (небуферизованный, без ECC)
R – EC8 RDIMM (x80)

32 – CL32
36 – CL36
38 – CL38
40 – CL40

B – Beast
I – Impact
R – Renegade

B – черный
S – Серебристый
W – белый

не указано — Intel XMP / Plug and Play
E — AMD EXPO

не указано — 1ᴙ версия
2 — 2ᴙ версия
3 — 3ᴙ версия

не указано — Без RGB-подсветки
A – RGB

не указано – отдельный модуль
K2 – комплект из 2 модулей
K4 — комплект из 4 модулей
K8 — комплект из 8 модулей

8 – 8 ГБ
16 – 16 ГБ
32 – 32 ГБ
64 – 64 ГБ
128 – 128 ГБ
256 – 256 ГБ

Kingston Server Premier DDR5

Следующая информация предназначена для того, чтобы помочь вам идентифицировать модули памяти Kingston Server Premier по спецификации.

Part Number: KSM48R40BD4TMP-64HMR

KSM — Kingston Server Premier

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600

E – EC4 UDIMM (x72)
L – EC8 LRDIMM (x80)
P – EC4 RDIMM (x72)
R – EC8 RDIMM (x80)
T – EC4 SODIMM (x72)

40B – CL40-39-39
42 – CL42-42-42
46B – CL46-45-45

S — одноранковый
D — двухранковый
Q — четырехранковый

4 – x4
8 – x8

I – Renesas
K – RichTek
M – Montage
P – MPS
T – TI

I – Renesas
M – Montage
R – Rambus

I – Renesas
M – Montage
P – MPS
R – Rambus

16 – 16 ГБ
32 – 32 ГБ
64 – 64 ГБ
128 – 128 ГБ

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung

A – A Die
C – C Die
E – E Die
M – M Die

I – Renesas
M – Montage
R – Rambus

Kingston ValueRAM DDR5

Номер артикула: KVR48U40BS8K2-32X

KVR – Kingston ValueRAM

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600
60 – 6000

U – DIMM (небуферизованный, без ECC)
S – SO-DIMM (небуферизованный, без ECC)

40B – CL40
42B – CL42
46B – CL46

S – одноранговый
D – двухранговый

8 – x8
6 – x16

не указано – отдельный модуль
K2 – комплект из 2 модулей
K4 – комплект из 4 модулей

8 – 8 ГБ
16 – 16 ГБ
32 – 32 ГБ
64 – 64 ГБ
128 – 128 ГБ
256 – 256 ГБ

не указано – стандартный пакет
BK – большой пакет

Расшифровка номеров по каталогу Kingston FURY™ DDR4/DDR3

Номер артикула: KF432C16BB1AK4/64

KF — Kingston FURY

3 — DDR3
4 — DDR4

16 — 1600 (1.5V)
16L — 1600 (1.35V)
18 — 1866 (1.5V)
18L — 1866 (1.35V)
26 — 2666
32 — 3200
36 — 3600
37 — 3733
40 — 4000
42 — 4266
46 — 4600
48 — 4800
50 — 5000
51 — 5133
53 — 5333

C — UDIMM (небуферизованный, без ECC)
S — SODIMM (небуферизованный, без ECC)

9 — CL9
10 — CL10
11 — CL11
13 — CL13
15 — CL15
16 — CL16
17 — CL17
18 — CL18
19 — CL19
20 — CL20

B — Beast
R — Renegade
I — Impact

не указано — синий
B — черный
R — красный
W — белый

не указано — 1 я версия
1 — модули 16 ГБ с компонентами 1Gx8 (8 Гбит)
2 — 2 я версия
3 — 3 я версия
4 — 4th Revision

не указано — Без RGB-подсветки
A — RGB-подсветка

Пусто – отдельный модуль
K2 — комплект из 2 модулей
K4 — комплект из 4 модулей
K8 — комплект из 8 модулей

4 — 4 ГБ
8 — 8 ГБ
16 — 16 ГБ
32 — 32 ГБ
64 — 64 ГБ
128 — 128 ГБ
256 — 256 ГБ

Kingston Server Premier DDR4

(PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

Номер по каталогу: KSM26RD4L/32HAI

KSM – Kingston Server Premier

24 – 2400
26 – 2666
29 – 2933
32 – 3200

E – модуль DIMM без буфера (ECC)
R – зарегистрированный модуль DIMM
L – модуль DIMM с уменьшенной нагрузкой
SE – модуль SO-DIMM без буфера (ECC)

S – одинарный
D – двойной
Q – Четырех

4 – x4
8 – x8

L – очень низкопрофильный модуль DIMM

8 – 8 Гб
16 – 16 Гб
32 – 32 Гб
64 – 64 Гб
128 – 128 Гб
256 – 256 Гб

H – SK Hynix
M – Micron

A – A кристалла
B – B кристалла
E – E кристалла

I – IDT
M – Montage
R – Rambus

Kingston ValueRAM DDR4

(PC4-2133, PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

Номер по каталогу: KVR21LR15D8LK2/4HBI

KVR — Kingston ValueRAM

21 — 2133
24 — 2400
26 — 2666
29 — 2933
32 — 3200

Не указано — 1,2 В

E — небуферизованный DIMM (с ECC) с термодатчиком
L — DIMM со сниженной нагрузкой (LRDIMM)
N — небуферизованный DIMM (без ECC)
R — регистровый DIMM с функцией контроля четности адресов/команд с термодатчиком
S — SODIMM, небуферизованный (без ECC)

15 – CL15
19 – CL19
22 – CL22

S — одноранковый
D — двухранковый
Q — четырехранковый
O — восьмиранковый

4 – x4
8 – x8
6 – x16

Не указано — любая высота
H — 31,25 мм
L — 18,75 мм (VLP)

Не указано — отдельный модуль
K2 — комплект из 2 модулей
K3 — комплект из 3 модулей

4 – 4 ГБ
8 – 8 ГБ
16 – 16 ГБ
32 – 32 ГБ

H — SK Hynix
K — Kingston
M — Micron
S — Samsung

B — Версия

I — Сертификация Intel

Модули памяти Kingston Design-In DDR5

Номер по каталогу: CBD48S40BD8MA-32

CBD – модуль Kingston Design-In DRAM

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600

U – небуферизованный DIMM (без ECC)
S – SODIMM, небуферизованный (без ECC)

40B – CL40-39-39
42 – CL42-42-42
46B – CL46-45-45

S – одноранковый
D – двухранковый

8 – x8
6 – x16

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung

A – Ревизия A
B – Ревизия B
M – Ревизия M

8 – 8 ГБ
16 – 16 ГБ
32 – 32 ГБ

Модули памяти Kingston Design-In DDR4

Номер по каталогу: CBD26D4U9D8HJV-16

CBD – модуль Kingston Design-In DRAM

21 – 2133
24 – 2400
26 – 2666
32 – 3200

D4 – DDR4

U – небуферизованный DIMM (без ECC)
S – SODIMM, небуферизованный (без ECC)

5 – CL15-15-15
7 – CL17-17-17
9 – CL19-19-19
2 – CL22-22-22

S – одноранковый
D – двухранковый

8 – x8
1 – x16

H – SK Hynix
K – Kingston
M – Micron
N – Nanya
S – Samsung

A – Ревизия A
B – Ревизия B
C – Ревизия C
D – Ревизия D
E – Ревизия E
F – Ревизия F
H – Ревизия H
J – Ревизия J
R – Ревизия R

черный — с покрытием Flash Gold
H – с покрытием Hard Gold
V – очень низкий профиль

4 – 4 ГБ
8 – 8 ГБ
16 – 16 ГБ
32 – 32 ГБ

Модули памяти Kingston Design-In DDR3

Номер по каталогу: CBD16D3LFU1KBG/2G

CBD — модуль Kingston Design-In DRAM

16 – 1600

D3 – DDR3 (1,5 В)
D3L – DDR3L (1,35 В / 1,5 В)

не указано – x8
F – x16

U – небуферизованный DIMM (без ECC)
S – SODIMM, небуферизованный (без ECC)

1 – CL11-11-11

K – Kingston
S – Samsung

B – Ревизия B
D – Ревизия D
E – Ревизия E

L – очень низкий профиль
G — экологичный (соответствует требованиям RoHS)
H – с покрытием Hard Gold

2G – 2 ГБ
4G– 4 ГБ
8G – 8 ГБ

Расшифровка номеров по каталогу HyperX®

Следующая информация предназначена для того, чтобы помочь вам идентифицировать модули памяти Kingston HyperX по спецификации.

Номер артикула: HX429C15PB3AK4/32

HX — HyperX (прежние модули)

3 — DDR3
4 — DDR4

13 — 1333
16 — 1600
18 — 1866
21 — 2133
24 — 2400
26 — 2666
28 — 2800
29 — 2933
30 — 3000
32 — 3200
33 — 3333
34 — 3466
36 — 3600
37 — 3733
40 — 4000
41 — 4133
42 — 4266
46 — 4600
48 — 4800
50 — 5000
51 — 5133
53 — 5333

C — UDIMM (Non-ECC Unbuffered)
S — SODIMM (Non-ECC Unbuffered)

9 — CL9
10 — CL10
11 — CL11
12 — CL12
13 — CL13
14 — CL14
15 — CL15
16 — CL16
17 — CL17
18 — CL18
19 — CL19
20 — CL20

F — FURY
B — Beast
S — Savage
P — Predator
I — Impact

не указано- синий
B — черный
R — красный
W — белый

2 — 2 я версия
3 — 3 я версия
4 — 4 я версия

не указано — без RGB-подсветки
A — RGB-подсветка

не указано — отдельный модуль
K2 — комплект из 2 модулей
K4 — комплект из 4 модулей
K8 — комплект из 8 модулей

4 — 4 ГБ
8 — 8 ГБ
16 — 16 ГБ
32 — 32 ГБ
64 — 64 ГБ
128 — 128 ГБ
256 — 256 ГБ

(PC3-8500, PC3-10600, PC3-12800)

Расшифровка каталожных номеров модулей памяти ValueRAM

Пример:
Схема нового номера: KVR 16 R11 D4 / 8
Схема старого номера: KVR 1600 D3 D4 R11 S / 8G

Читать:

Как сделать перемычку из проводов и крокодильчиков

Новая схема номеров применяется к продукции, выпущенной после 1 мая 2012 г.

Номер по каталогу: KVR16LR11D8LK2/4HB

KVR: Kingston ValueRAM

16: 1600
13: 1333
10: 1066

Без обозначения: 1,5V
L: 1,35V
U: 1,25V

E: небуферизованный DIMM (ECC)
N: небуферизованный DIMM (не ECC)
R: регистровый DIMM с
L: DIMM со сниженной нагрузкой (LRDIMM)
S: SO-DIMM

11: Латентность (CAS)

S: одноранковый
D: Двухранковый
Q: Четырехранковые

4: микросхема DRAM x4
8: микросхема DRAM x8

L: 18,75mm (VLP)
H: 30mm

K2: комплект из двух модулей
K3: комплект из трех модулей
K4: комплект из четырех модулей

4: 4Гб
8: 8Гб
12: 12Гб
16: 16Гб
24: 24Гб
32: 32Гб
48: 48Гб
64: 64Гб

H: Hynix
E: Elpida
I: Сертификация Intel

B: Версия кристалла

DDR3 & DDR2

DDR3 (PC3-8500, PC3-10600) & DDR2 (PC2-3200, PC2-4200, PC2-5300, PC2-6400)

Номер по каталогу: KVR1066D3LD8R7SLK2/46HB

KVR
1066
D3
L
D
8
R
7
S
L
K2
/
4G
H
B

KVR: Kingston ValueRAM

1066: Скорость

D2: DDR2
D3: DDR3

Без обозначения: 1,5V
L: 1,35V
U: 1,25V

S: одноранковый
D: Двухранковый
Q: Четырехранковые

4: микросхема DRAM x4
8: микросхема DRAM x8

P: регистровый с контролем четности (только для регистровых модулей)
E: небуферизованный DIMM (ECC)
F: FB DIMM
M: Mini-DIMM
N: небуферизованный DIMM (не ECC)
R: регистровый DIMM с функцией контроля четности адресов/команд
S: SO-DIMM
U: Micro-DIMM

7: Латентность (CAS)

Без обозначения: без термодатчика
S: с термодатчиком

Без обозначения:Без обозначения
L: 18,75mm (VLP)
H: 30mm

Без обозначения: Отдельный модуль
K2: комплект из двух модулей
K3: комплект из трех модулей

4G: хранения (Гб)

H: DRAM MFGR

B: Версия

(PC2100, PC2700, PC3200)

Номер по каталогу: KVR400X72RC3AK2/1G

KVR: Kingston ValueRAM

X72: X72 ECC

R: регистровая

C3: Латентность (CAS)

A: DDR400 3-3-3

K2: комплект из двух модулей

1G: хранения (Гб)

Латентность (тайминг)

Приведённая ниже информация поможет проиллюстрировать различные настройки, которые можно регулировать при установке оптимальных по производительности таймингов оперативной памяти в BIOS системной платы. Обратите внимание, что эти настройки могут различаться в зависимости от производителя и модели системной платы, а также версии микропрограммы BIOS.

Пример

CAS-латентность (CL): Задержка между активацией и чтением строки.

Задержка RAS-СAS или RAS-столбец (tRCP): Активирует строку

Задержка предзаряда строки или задержка предзаряда RAS (tRP/tRCP): Отключает строку

Активная задержка строки или активная задержка RAS или время до готовности (tRA/tRD/tRAS): Количество тактовых циклов между активацией/деактивацией строки.

Заявление об ограничении ответственности. Вся продукция компании Kingston проходит тестирование на соответствие опубликованным техническим характеристикам. Некоторые конфигурации систем или материнских плат не могут работать на опубликованных для модулей памяти Kingston скоростях или при опубликованных настройках синхронизации. Компания Kingston не рекомендует пользователям пытаться разгонять свои компьютеры до скоростей, превышающих опубликованные. Завышение тактовой частоты процессора или изменение синхронизации системы может привести к повреждению компонентов компьютера.

* Узнайте больше о мегатрансферах в секунду: МТ/с обозначает число мегатрансферов (миллионов передач) в секунду и представляет эффективную скорость передачи данных памяти DDR (Double Data Rate) SDRAM в вычислениях. Модуль памяти DDR SDRAM передает данные о росте и падении каждого такта (1 Гц).

Например: DDR4-3200 (PC4-3200)
Тактовая частота: 1600 МГц
Скорость передачи данных: 3200 МТ/с
Пропускная способность: 25 600 МБ/с (25,6 ГБ/с)

Характеристики оперативной памяти Kingston ValueRAM 4GB 1600MHz CL11 (KVR16S11S8/4WP)

DDR (Double Data Rate — удвоенная скорость передачи данных) – современный тип оперативной памяти, пришедший на смену SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом). Сейчас память SDRAM считается сильно устаревшей.

На сегодняшний день самым распространенным типом оперативной памяти для ПК является представитель третьего поколения DDR — DDR3.

На смену DDR3 постепенно приходят модули памяти DDR4, но большого распространения они пока не получили из-за высокой стоимости самих планок памяти и материнских плат для них. Теоретическая скорость передачи данных у модулей памяти DDR4 в два раза выше чем у DDR3, но на практике DDR4 пока не сильно выигрывает у DDR3.

DDR — самый первый вид оперативной памяти с удвоенной скоростью передачи данных. Данная технология является устаревшей.

DDR2 — следующее поколение оперативной памяти типа DDR. Может работать на более высокой частоте по сравнению с первой версией DDR.

Совместимость между различными представителями DDR (DDR, DDR2, DDR3, DDR4) отсутствует.

DDR3L — DDR3 с пониженным энергопотреблением (1,35В, вместо 1,5 у стандартных). Совместима с DDR3.

Сейчас иногда еще можно встретить сильно устаревшую память RDRAM.

DIMM (Dual In-line Memory Module, двухсторонний модуль памяти) – форм-фактор модуля памяти, пришедший на смену SIMM (Single In-line Memory Module, односторонний модуль памяти). Основным преимуществом DIMM перед SIMM является ускорение передачи данных. DIMM также имеет функцию обнаружения и исправления ошибок, что обеспечивает более надежную передачу данных.

SO-DIMM (или SODIMM), MicroDIMM, MiniDIMM — форм-факторы памяти, используемые в портативных устройствах (ноутбуках, планшетах).

FB-DIMM (Fully Buffered, полностью буферизованный) – серверная оперативная память. Обеспечивает повышенную скорость и точность передачи данных. Несовместима с обычными небуферизованными модулями памяти DIMM.

LRDIMM (load-reduced dual inline memory module, двухсторонний модуль памяти с уменьшенной нагрузкой) – серверная оперативная память, которая устанавливается в дата-центрах и серверах с большой нагрузкой.

RIMM — устаревший форм-фактор модулей памяти для ПК.

Иногда в комплекте могут продаваться сразу несколько одинаковых модулей памяти.

Количество памяти на каждом модуле, которая доступна для записи информации.

Тактовая частота показывает какое количество операций может совершить модуль памяти за 1 секунду. Соответственно, чем выше данный показатель, тем память работает быстрее. Для всех моделей памяти DDR: DDR, DDR2, DDR3, DDR4 значение таковой частоты указывается удвоенным.

Дополнительные характеристики

Показывает какое количество данных может быть передано или получено за 1 секунду.

EСС (Error Checking and Correction – проверка и исправление ошибок) – это технология, разработанная для нахождения ошибок и их исправления (если ошибок не слишком много). Модули памяти с ECC, как правило, устанавливают на серверах и в дата-центрах, поскольку при небольшой нагрузке (среднестатистического ПК) ошибки практически не возникают. Модули памяти с ECC и без ECC несовместимы.

Буфер (регистр) повышает надежность хранения и передачи информации, но несколько снижает производительность. Буферизованная (регистровая) память устанавливается, как правило, на серверах, поскольку при незначительной нагрузке, такой, как на среднестатистическом ПК буфер только замедляет его работу. Буферизованные и небуферизованные модули памяти несовместимы.

Высота модуля памяти уменьшена до 25мм.

Количество контактов модуля памяти с гнездом материнской платы.

Количество чипов (микросхем), предназначенных для хранения памяти, находящихся на одном модуле.

Напряжение, которое требуется для питания модуля памяти. Для совместимости материнская плата должна поддерживать данное напряжение.

Наличие радиатора повышает теплоотведение, препятствуя перегреву оперативной памяти. Его наличие крайне желательно для модулей памяти, работающих на высоких частотах (больше 1333 МГц).

CAS-latency (column address strobe latency – задержка на получение столбца) — время ожидания (циклов) между запросом на получение данных из ячейки памяти и временем, когда она начнет считываться. CAS-latency (CL или CAS-задежка) является важной характеристикой быстродействия оперативной памяти. Чем она ниже, тем память работает быстрее. Возможно также дробное значение данного показателя (например: 2.5).

Расположение чипов (микросхем) памяти на планке. Чипы могут располагаться с одной или с двух сторон.

tRCD (RAS to CAS Delay) – задержка (в циклах) между сигналами, определяющими адрес строки (RAS — Row Address Strobe) и адрес столбца CAS (Column Address Strobe). Чем она ниже, тем быстрее работает оперативная память.

tRP (Row Address Strobe Precharge Time) — время (в циклах), необходимое для закрытия строки памяти и открытия новой строки. Чем оно меньше, тем быстрее работает модуль памяти.

tRAS (Activate to Precharge Delay) — задержка (в циклах) между командой активации (RAS) и закрытия строки памяти. Чем она меньше, тем быстрее работает модуль памяти.

Ранк — область памяти, состоящая из всех или только части чипов (микросхем) данного модуля памяти. Некоторые материнские платы (в основном серверные) имеют ограничение на количество ранков, поэтому модули памяти с ранком равным единице ценятся немного больше.

Совместимость с материнскими платами или компьютерами, заявленная производителем данного модуля памяти. Полный список совместимых моделей почти всегда гораздо шире.

Оперативная память Kingston DDR3 SODIMM 8GB KVR16S11/8WP PC3-12800, 1600MHz

Представленное описание носит информационный характер. Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного уведомления продавца. Рекомендуем перед покупкой уточнить характеристики товара на сайте производителя.

Указанные цены не являются публичной офертой (ст.435 ГК РФ). Стоимость и наличие товара уточняйте у менеджера.

Модуль памяти SODIMM DDR3 8GB Kingston KVR16S11/8WP в Санкт-Петербургe

Kingston

Модуль памяти SODIMM DDR3 8GB Kingston KVR16S11/8WP в Санкт-Петербургe

Описание
Обзор
Характеристики
Отзывы

Основные характеристики

Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность. Модуль относится к классу DDR3, обладает емкостью 8 ГБ и 204-контактным модулем SODIMM. Предельная частота работы устройства достигает 1600 МГц, а пропускная способность – 12800 Мб/с.

Характеристики Kingston KVR16S11/8WP

Основные характеристики

Описание
Обзор
Характеристики
Отзывы

Kingston KVR16S11/8WP сертифицирован для продажи в России.

Модуль памяти SODIMM DDR3 8GB Kingston KVR16S11/8WP — фото, технические характеристики, условия доставки в Санкт-Петербургe и России. Для того, чтобы купить Модуль памяти SODIMM DDR3 8GB Kingston KVR16S11/8WP в интернет-магазине Xcom-shop.ru достаточно заполнить форму онлайн-заказа или позвонить по телефонам: , .

Изображения товара, включая цвет, могут отличаться от реального внешнего вида. Комплектация также может быть изменена производителем без предварительного уведомления. Данное описание и количество товара не является публичной офертой.

Kvr16s11 8wp что значит wp

Расшифровка номеров по каталогу Kingston

Kingston FURY™ DDR5

Kingston Server Premier DDR5

Kingston ValueRAM DDR5

Расшифровка номеров по каталогу Kingston FURY™ DDR4/DDR3

Kingston Server Premier DDR4

Kingston ValueRAM DDR4

Модули памяти Kingston Design-In DDR5

Модули памяти Kingston Design-In DDR4

Модули памяти Kingston Design-In DDR3

Расшифровка номеров по каталогу HyperX®

DDR3 & DDR2

Латентность (тайминг)

Пример

Характеристики оперативной памяти Kingston ValueRAM 4GB 1600MHz CL11 (KVR16S11S8/4WP)

Дополнительные характеристики

Оперативная память Kingston DDR3 SODIMM 8GB KVR16S11/8WP PC3-12800, 1600MHz

Модуль памяти SODIMM DDR3 8GB Kingston KVR16S11/8WP в Санкт-Петербургe

Основные характеристики

Характеристики Kingston KVR16S11/8WP

Kugo es2 где можно ремонтировать

Kugoo m4 kirin что это

Похожие публикации