Построение схемы для получения вфх в Multisim
При построении схемы для измерения барьерной ёмкости диода в Multisim воспользуемся такими компонентами как Ground (Заземление), Resistor (Сопротивление), Diode(Диод), Battery (Батарейка), Inductor (Катушка индуктивности), Capacitor (Конденсатор).
Характеристики диода, выбранного согласно условиям задания:
.MODEL D1N3890A D (
V1: model – 1MHZ; R1=1Ом, R2=100кОм, R3=0.1Ом, L1=1мВб,
C1=100 пФ, C2=1мкрФ, L2=100мВб, Vvar=1
Проведение частотного анализа. (Analysis->AC)
В качестве варьируемого диапазона частот, в котором варьируется частота источника, выбираем 100 MHz, 500 MHz.
Количество точек равно 9000.
Задаем линейный вид шкалы по оси абсцисс и логарифмический вид шкалы по оси ординат
Перед запуском частотного анализа, рассмотрим семейство кривых. Для этого заполним окно Parameter Sweep:
1.В качестве элемента рассмотрим параметр VVAR.
2.Кривые отличаются друг от друга значением параметра dc.
3.dc.value изменяется в промежутке 1…31 с шагом 2.5.
Теперь запускаем схему на анализ по переменному току и получаем семейство графиков:
Ч 
исленные данные: