П416 п416а п416б в чем преимущество

10

П416, П416А, П416Б

П416, П416А, П416Б — германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, универсальные, маломощные. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах в диапазоне ДВ, КВ и УКВ, а тек же в импульсных схемах РЭА.

Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб=5 В, Iэ=5 мА, f = 5 МГц не более …. 500 пс

Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при Uкб=5 В, Iэ=5 мА, f = 50-1000 Гц, Т = 293 К:

• П416 …. 25-80
• П416А …. 60-125
• П416Б …. 90-200

Модуль коэффициента передачи тока при Uкб=5 В, Iэ=5 мА, f = 20 МГц не менее:

• П416 …. 2
• П416А …. 3
• П416Б …. 4

Выходная полная проводимость в режиме малого сигнала при Uкб=5 В, Iэ=5 мА, f = 50-1000 Гц не более 5 мкСм

Обратный ток коллектора не более:

• при Uкб = 15 В ….5 мкА
• при Uкб = 10 В, Т = 293 К и 213 К ….3 мкА
• при Uкб = 10 В, Т = 343 К ….90 мкА

Обратный ток эмиттера при Uэбо = 2 В не более 100 мкА

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 50 мА, Iб = 3 мА:

• П416 …. 2 В
• П416А, П416Б …. 1,7 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА, Т = 343 К:

• П416 …. 13 В
• П416А, П416Б …. 10 В

Емкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В, f = 5 МГц не более 8 пФ

Емкость эмиттерного перехода при Uэб = 1 В, f = 5 МГц не более 10 пФ

Время рассасывания при Ек = 10 В, Iк = 50 мА, Ти = 5 мкс, f = 1-10 кГц не более:

• при Iб = 4 мА П416 …. 1 мкс

• при Iб = 2 мА П416А …. 1 мкс

• при Iб = 1,25 мА П416Б …. 1 мкс

Постоянная рассеиваемая мощность …. 100 мВт

Литература: Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. 1985 г.

КТ3107А, КТ3107Б, КТ3107В, КТ3107Г, КТ3107Д, КТ3107Е, КТ3107Ж, КТ3107И, КТ3107К, КТ3107Л
КТ3107А, КТ3107Б, КТ3107В, КТ3107Г, КТ3107Д, КТ3107Е, КТ3107Ж, КТ3107И, КТ3107К, КТ3107Л — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, p-n-p, высокочастотные усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для работы в схемах генерирования и переключения сигналов НЧ и ВЧ, являются комплементарными транзисторами КТ3102А-3. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами, на корпусе нанесена маркировка в виде двух точек: КТ3107А — голубая и.

1Т313А, 1Т313Б, 1Т313В, ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В
1Т313А, 1Т313Б, 1Т313В, ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В — германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, универсальные. Предназначены для усиления сигналов ВЧ и СВЧ и для работы в схемах переключения. Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при Uкб = 5 В, Iэ = 5 мА: 1Т313А . 20-250 1Т313Б . 20-80 1Т313В . 60-250 ГТ313А, ГТ313Б . 20-200 ГТ313В . 30-170 Модуль коэффициента передачи тока при Uкб = 5 В, Iэ = 5 мА, f = 100 МГц: 1Т313А . 3-10 .

2Т922А, 2Т922Б, 2Т922В, КТ922А, КТ922Б, КТ922В, КТ922Г, КТ922Д
2Т922А, 2Т922Б, 2Т922В, КТ922А, КТ922Б, КТ922В, КТ922Г, КТ922Д — транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n регенераторные ВЧ. Предназначены для применения в схемах усилителей мощности, в том числе при АМ, в умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 50 МГц при напряжении питания 28 В. Выходная мощность при Uкэ = 28 В, f = 175 МГц, Тк ≤ 313 К 2Т922А, КТ922А . 5 Вт 2Т922Б, КТ922Б . 20 Вт КТ922Г . 17 Вт КТ922Д . 35 Вт 2Т922В, КТ922В .

КТ352А, КТ352Б
КТ352А, КТ352Б — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, p-n-p, универсальные высокочастотные, маломощные. Предназначены для работы в переключательных и усилительных схемах ВЧ. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами, на корпусе нанесена маркировка в виде двух точек: КТ352А — зеленая и розовая КТ352Б — зеленая и желтая Граничная частота при Uкэ = 5 В, Iэ = 10 мА не менее 200 МГц Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 1.

КТ3108А, КТ3108Б, КТ3108В
КТ3108А, КТ3108Б, КТ3108В — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, p-n-p, высокочастотные, с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для работы в логарифмических видеоусилителях и линейных усилителях ВЧ. Граничная частота в схеме с общим эмиттером при Uкб =20 В, Iк = 10 мА не менее: КТ3108А, КТ3108Б . 250 МГц КТ3108В . 300 МГц Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб =10 В, Iк = 10 мА, f = 30 МГц не более 250 пс Коэффициент шума.

П416 п416а п416б в чем преимущество

Германиевые диффузионные высокочастотные p-n-p транзисторы малой мощности.

Справочный лист на них, и заводские паспорта, от «Интеграла», нальчикские старый и поновее, и таллинский на вариант ОС. Любопытно, что нальчикский вариант П416Б (и только он) чуть отличался от других, границы h_21Э для него задавались 90. 250, против 100. 200 у прочих заводов.

Разработаны были в 1960 году по ОКР «Папоротник» как транзисторы повышенной надежности. Исполнителем темы был, насколько я знаю, Таллинский радиотехнический завод имени Х. Пегельмана (в дальнейшем "Тонди-электроника")

Основное назначение — работа в переключательном режиме; впрочем, благодаря удачному сочетанию параметров были довольно универсальными и массовыми приборами.

Встречались и экзотические варианты, такие как П416Б ЭВМ, а также не упомянутые ни в одном справочнике П416В (это вариант с максимальным коэффициентом передачи, 120. 360, но от них быстро отказались в пользу П416Б).

Выпуском их занимались, помимо таллинского завода, Рижский ЗПП (ныне "Альфа"), минский "Интеграл"; с 1967 года к ним присоединился минский же "Транзистор", а в 70-х годах и Нальчикский ЗПП (ПО "Элькор").

К началу 90-х они перешли в категорию неперспективных, с рекомендацией замены на КТ363АМ,БМ для гражданского варианта, и на 2Т326/2Т3108 для военного.

(фото с форума Радиокартинки)

(фото с форума Радиокартинки)

нальчикские транзисторы иногда маркировались голубой краской, вещь довольно редкая:

Вариант с буквой «И», не отмеченный ни в одном справочнике. импульсный?

Вот здесь штамп «интеграловского» военпреда можно разглядеть подробней:

П416Б ЭВМ

Странный вариант всем знакомого транзистора, при чем тут ЭВМ? Ответ я получил, вскрыв упаковку — в паспорте. Оказывается, это особый транзистор "для применения в ЭВМ неспециального назначения".

Судя по всему эти транзисторы предназначались на экспорт, так-то! Указанный на упаковке "Машприборинторг" — внешнеторговое объединение (существует до сих пор, кстати!)

1. Транзисторы и полупроводниковые диоды. Под общей редакцией И. Ф. Николаевского.- Москва, Связьиздат, 1963.
2. Справочник. Часть III. Выпуск 2. Полупроводниковые приборы. 1965.
3. Д. С. Гурлев. Справочник по электронным приборам. Издание третье, дополненное.- Киев, издательство «Технiка», 1964.
4. Автоматизация производства и промышленная электроника. В 4 тт. Главные редакторы А. И. Берг и В. А. Трапезников, т. 4. М., «Советская энциклопедия», 1965. (Энциклопедия современной техники. Энциклопедии. Словари. Справочники). т. 4. Телекомандование — Ячейки стандартные.
5. Д. С. Гурлев. Справочник по электронным приборам. Издание четвертое, переработанное и дополненное.- Киев, издательство «Технiка», 1966.
6. Лабутин В. К. Транзисторы. Издание второе, переработанное и дополненное. Москва, «Энергия», 1967. (Массовая радиобиблиотека. Вып. 638.)
7. Ю.К. Акимов, А.И. Калинин, В.Ф. Кушнирук, Х.Юнгклауссен. Полупроводниковые детекторы ядерных частиц и их применение. Атомиздат, Москва, 1967.
8. Справочник по полупроводниковым диодам и транзисторам. Изд. 2-е. М., «Энергия», 1968.
9. Транзисторы. Справочник. Издание 3-е. Под редакцией И. Ф. Николаевского.- Москва, издательство «Связь», 1969.
10. А.Клейман, К.Шор. Транзисторы для телевизоров. Издательство ДОСААФ. Москва — 1969.
11. Петър Кисьов, Георги Стоянов. Справочник по полупроводникови диоди и транзистори. Техника — София, 196?.
12. Справочник радиолюбителя. Р. М. Терещук, Р. М. Домбругов, Н. Д. Босый, С И. Ногин, В. П. Боровский, А. Б. Чаплинский. В двух частях. Изд. 6-е. «Техника», 1970.
13. Горюнов Н.Н. Свойства полупроводниковых приборов при длительной работе и хранении. М., «Энергия», 1970 (Библиотека по радиоэлектронике. Вып. 223).
14. Справочник по полупроводниковым приборам. Лавриненко В. Ю. Изд. 6-е. «Техника», 1971
15. Расчет электронных схем на ЭЦВМ. Белов Б.И., Норенков И.П. М. «Машиностроение», 1971.
16. Каталог полупроводниковых приборов. — Москва, ЦНИИ «Электроника», 1971.
17. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под общ. ред. Н. Н. Горюнова. Изд. 3-е, переработ. и доп. М., "Энергия", 1972.
18. Дьяконов В.П. Лавинные транзисторы и их применение в импульсных устройствах. Под ред. С.Я. Шаца. М., «Сов. Радио», 1973.
19. Краткий справочник конструктора радиоэлектронной аппаратуры. Под ред. Р. Г. Варламова. М., «Сов. радио», 1973
20. Шитиков Г.Т., Цыганков П.Я., Орлов О.М. Высокостабильные кварцевые автогенераторы. Под ред. Шитикова Г.Т. М., «Сов. радио», 1974.
21. Краткий справочник радиолюбителя. Березовский М.А., Писаренко В.М. — Киев «Технiка», 1975.
22. Малогабаритная радиоаппаратура. Справочник радиолюбителя. — Киев «Наукова думка», 1975.
23. Малинин Р.М. Справочник по транзисторным схемам. Изд. 2-е, перераб. М., «Энергия», 1975 (Массовая радиобиблиотека. Вып. 852).
24. Пляц О. М. Справочник по электровакуумным, полупроводниковым приборам и интегральным схемам. Минск, <Вышэйш. школа>, 1976.
25. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под общ. ред. Н. Н. Горюнова. Изд. 4-е, перераб. и доп. М., «Энергия», 1977
26. Терещук Р. М. и др. Полупроводниковые приемно-усилительные устройства: Справочник радиолюбителя.- Киев: «Наукова думка», 1981.
27. Транзисторы для аппаратуры широкого применения: Справочник / К. М. Брежнева, Е. И. Гантман, Т. И. Давыдова и др. Под ред. Б. Л. Перельмана. — М.: Радио и связь, 1981
28. Атанас Шишков. Транзистори и диоди. Кратък справочник. Второ допълнено издание. София, Държавно издателство «Техника». 1981.
29. Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник/В. А. Аронов, А. В. Баюков, А. А. Зайцев и др. Под общ. ред. Н. Н. Горюнова,— М.: Энергоиздат, 1982.
30. Нефедов Л. В., Гордеева В. И. Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги: Справочник. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Радио и связь, 1985.
31. Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник/Под общей редакцией Н. Н. Горюнова. Издание второе, переработанное, — М.: Энергоатомиздат, 1985.
32. Транзисторы: Справочник/ О. П. Григорьев, В. Я. Замятин, Б. В. Кондратьев, С. Л. Пожидаев — М.: Радио и связь, 1989.— (Массовая радиобиблиотека; Вып. 1144)
33. Нефедов А. В., Гордеева В. И. Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги: Справочник. — 3-е изд., перераб. и доп.— М.: Радио и связь, 1990. (Массовая радиобиблиотека; Вып. 1154).
34. Перечень неперспективных ПП и рекомендуемых замен. — Центральное конструкторское бюро «Дейтон», 1991.
35. Аксенов А. И. и др. Элементы схем бытовой радиоаппаратуры. Диоды. Транзисторы: Справочник / А. И. Аксенов, А. В. Нефедов, А. М. Юшин.— М.: Радио и связь, 1992. (Массовая радиобиблиотека; Вып. 1190).
36. Справочник по полупроводниковым приборам (транзисторы). Москва, 1992. МП «Источник".
37. Триполитов С.В., Ермилов А.В. Микросхемы, диоды, транзисторы: Справочник.— М.: Машиностроение, 1994.

П416, П416А, П416Б

П416, П416А, П416Б — германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, универсальные, маломощные. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах в диапазоне ДВ, КВ и УКВ, а тек же в импульсных схемах РЭА.

Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб=5 В, Iэ=5 мА, f = 5 МГц не более …. 500 пс

Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при Uкб=5 В, Iэ=5 мА, f = 50-1000 Гц, Т = 293 К:

• П416 …. 25-80
• П416А …. 60-125
• П416Б …. 90-200

Модуль коэффициента передачи тока при Uкб=5 В, Iэ=5 мА, f = 20 МГц не менее:

• П416 …. 2
• П416А …. 3
• П416Б …. 4

Выходная полная проводимость в режиме малого сигнала при Uкб=5 В, Iэ=5 мА, f = 50-1000 Гц не более 5 мкСм

Обратный ток коллектора не более:

• при Uкб = 15 В ….5 мкА
• при Uкб = 10 В, Т = 293 К и 213 К ….3 мкА
• при Uкб = 10 В, Т = 343 К ….90 мкА

Обратный ток эмиттера при Uэбо = 2 В не более 100 мкА

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 50 мА, Iб = 3 мА:

• П416 …. 2 В
• П416А, П416Б …. 1,7 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА, Т = 343 К:

• П416 …. 13 В
• П416А, П416Б …. 10 В

Емкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В, f = 5 МГц не более 8 пФ

Емкость эмиттерного перехода при Uэб = 1 В, f = 5 МГц не более 10 пФ

Время рассасывания при Ек = 10 В, Iк = 50 мА, Ти = 5 мкс, f = 1-10 кГц не более:

• при Iб = 4 мА П416 …. 1 мкс

• при Iб = 2 мА П416А …. 1 мкс

• при Iб = 1,25 мА П416Б …. 1 мкс

Постоянная рассеиваемая мощность …. 100 мВт

Литература: Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. 1985 г.

КТ3107А, КТ3107Б, КТ3107В, КТ3107Г, КТ3107Д, КТ3107Е, КТ3107Ж, КТ3107И, КТ3107К, КТ3107Л
КТ3107А, КТ3107Б, КТ3107В, КТ3107Г, КТ3107Д, КТ3107Е, КТ3107Ж, КТ3107И, КТ3107К, КТ3107Л — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, p-n-p, высокочастотные усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для работы в схемах генерирования и переключения сигналов НЧ и ВЧ, являются комплементарными транзисторами КТ3102А-3. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами, на корпусе нанесена маркировка в виде двух точек: КТ3107А — голубая и.

1Т313А, 1Т313Б, 1Т313В, ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В
1Т313А, 1Т313Б, 1Т313В, ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В — германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, универсальные. Предназначены для усиления сигналов ВЧ и СВЧ и для работы в схемах переключения. Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при Uкб = 5 В, Iэ = 5 мА: 1Т313А . 20-250 1Т313Б . 20-80 1Т313В . 60-250 ГТ313А, ГТ313Б . 20-200 ГТ313В . 30-170 Модуль коэффициента передачи тока при Uкб = 5 В, Iэ = 5 мА, f = 100 МГц: 1Т313А . 3-10 .

2Т922А, 2Т922Б, 2Т922В, КТ922А, КТ922Б, КТ922В, КТ922Г, КТ922Д
2Т922А, 2Т922Б, 2Т922В, КТ922А, КТ922Б, КТ922В, КТ922Г, КТ922Д — транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n регенераторные ВЧ. Предназначены для применения в схемах усилителей мощности, в том числе при АМ, в умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 50 МГц при напряжении питания 28 В. Выходная мощность при Uкэ = 28 В, f = 175 МГц, Тк ≤ 313 К 2Т922А, КТ922А . 5 Вт 2Т922Б, КТ922Б . 20 Вт КТ922Г . 17 Вт КТ922Д . 35 Вт 2Т922В, КТ922В .

КТ352А, КТ352Б
КТ352А, КТ352Б — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, p-n-p, универсальные высокочастотные, маломощные. Предназначены для работы в переключательных и усилительных схемах ВЧ. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами, на корпусе нанесена маркировка в виде двух точек: КТ352А — зеленая и розовая КТ352Б — зеленая и желтая Граничная частота при Uкэ = 5 В, Iэ = 10 мА не менее 200 МГц Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 1.

КТ3108А, КТ3108Б, КТ3108В
КТ3108А, КТ3108Б, КТ3108В — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, p-n-p, высокочастотные, с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для работы в логарифмических видеоусилителях и линейных усилителях ВЧ. Граничная частота в схеме с общим эмиттером при Uкб =20 В, Iк = 10 мА не менее: КТ3108А, КТ3108Б . 250 МГц КТ3108В . 300 МГц Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб =10 В, Iк = 10 мА, f = 30 МГц не более 250 пс Коэффициент шума.

Транзистор П416

П416
Транзисторы П416 германиевые сплавные p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилительных и генераторных каскадах в диапазоне от длинных до коротких и ультракоротких волн, а также в импульсных каскадах радиоэлектронных устройств.
Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТЮ-3-4.
Масса транзистора не более 2,2 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК», «ВП».
Технические условия:
— приемка «1» ЩБ3.365.003ТУ;
— приемка «5» ЩП3.365.001ТУ.
Зарубежный аналог: 2N602, 2N603, SFT319, SFT320.

Основные технические характеристики транзистора П416:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 360 мВт;
• fгр — Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 40 МГц;
• Uкбо проб — Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;
• Uэбо проб — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 25 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА;
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 25. 80;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 8 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом

Транзисторы П416 и П214.

Т ранзисторы П416 — германиевые, маломощные, высокочастотные, структуры — p-n-p.
Корпус металлостекляный.
Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса. Эмиттер находится с краю — отмечен цветной точкой на корпусе. Коллектор находится посередине, база с противоположной стороны, от эмиттера. На рисунке ниже — маркировка и цоколевка П416.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала, при температуре окружающей среды +25 по Цельсию.
У транзисторов П416 без буквы — от 25 до 80
У транзисторов П416А — от 60 до 125
У транзисторов П416Б — от 90 до 200

Граничная частота передачи тока.
У транзисторов П416 без буквы — 40 МГц.
У транзисторов П416А — 60 МГц.
У транзисторов П416Б — 80 МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 12 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный) — 25 мА.

Транзисторы П214

Транзисторы П214 — большой мощности низкочастотные германиевые сплавные p-n-p. Предназначены для работы в схемах переключения, выходных каскадах усилителей НЧ, преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения. Корпус металлический, герметичный. Маркировка буквенно — цифровая, сверху корпуса. На рисунке ниже — цоколевка и маркировка П214.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока
У транзисторов П214В, П214Г — 20.
У транзисторов П214 без буквы — от 20 до 60.
У транзисторов П214А — от 50 до 150.
У транзисторов П214Б — от 20 до 150.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер — 45в.

Максимальный ток коллектора — 5А.

Обратный ток коллектора при напряжении эмиттер-коллектор 60в и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию У транзисторов П214 без буквы, П214А — 0,3 мА.
у транзисторов П214Б, П214В,П214Г — 1,5 мА.

Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 2в не более — 100 мкА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 3 А и базовом 0,35А:
У транзисторов П214 без буквы, П214А,П214Б — 0,9 в.
У транзисторов П214В,П214Г при коллекторном токе 2 А и базовом 0,3А — 2,5 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 3А и базовом 0,37А:
У транзисторов П214 без буквы, П214А — 1,2 в.
У транзисторов П214Б при коллекторном токе 2 А и базовом 0,3А — 0,9 в.

Рассеиваемая мощность коллектора — около 10 Вт(на радиаторе).

Граничная частота передачи тока — от 100 до 150 КГц.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Транзисторы П416 — драгметаллы, характеристики, аналоги

Транзисторы П416 — драгметаллы, характеристики, аналоги

• Содержание статьи: Описание
• Где найти
• Таблица
• Ориентировочные цены скупки
• Калькулятор
• Стоимость в виде изделия
• Характеристики

Описание транзистора П416

П416 – это транзисторы из германиевого сплава, выпускающиеся в металлическом герметичном корпусе типа КТЮ-3-4, с гибкими выводами и изоляторами из стекла. Высокочастотный с небольшой мощностью. Довольно универсален.

Где можно найти П416?

• Встречаются в устройствах: переключатели (основной режим использование)
• каскадные низкочастотные усилители
• импульсные каскады
• генераторные каскады
• усилители низких частот (УНЧ)
• гражданские приборы широкого назначения
• спец приборы

Таблица содержания драгметалла в граммах для транзисторов серии П416

Таблица веса драгметаллов в транзисторе П416 в граммах для 1шт и 1000шт, с учётом нормы возврата
Норма возврата. Стоит учесть, после переработки удаётся извлечь не весь драгметалл указанный в паспорте. По этой причине, приведён расчёт учитывая норму возврата (Н.возвр). Были изучены разные источники и собраны средние данные по возврату. Хоть и бывает такое что извлекается почти 100%, ориентироваться на нормы возврата будет более реалистичным. Скупаются радиоэлементы дешевле цены металла в них на 15-50%.

Важный нюанс. Производить изделия могли в разное время и у разных изготовителей, что может сказаться на базовом значении веса драгметалла, а в последствии и на переработанном. РЭА произведённые в более раннем году, имеют более высокие шансы содержать драгметаллы и чаще в большем количестве чем у последующих версий. Прослеживается для любых радиоэлементов в большинстве случаев. Новые же, по причине развития техпроцесса, иногда вовсе без драгметалла.

Расcчитайте вес и примерную цену сдачи РЭА

Цена предлагаемая скупщиками

Посмотрев на расценки, видно что скупщики принимают реле за 50% – 100% от текущей курсовой стоимости драгметалла. Для того чтобы лучше ориентироваться в цене, желательно свериться с актуальной ценой на мировых торговых биржах.

• Исторические цены драгметалла на мировых биржах: Золото за 1 гр – 1600-4500 руб

Цены указаны для высшей пробы. В конкретном случае важно понимать, что чем ниже проба, тем меньше стоимость. А так же в зависимости от того по какой цене согласен покупать скупщик.

Примечания относительно цен на драгметаллы.

• Золото неуклонно росло с 2005 по 2012, с цены 800 до 3800 руб за грамм. С тех пор упало почти в 2 раза и колеблется в диапазоне 2100-2800 руб за грамм с 2013 года. Как можно заметить, в ожидании кризиса 2021 году цена золота снова выросла. После рисковых ситуаций в мире обычно снова возвращается к средней цене.

Надеюсь этим удастся помочь сориентироваться относительно влияния мировых цен на выгодность.

Часто целесообразно такие изделия сдавать на лом после выработки рабочего ресурса, как изделия они стоят иногда существенно дороже.

Стоимость транзистора П416 в качестве изделия

Цены в основном распределены от 5 – 32 рублей за штуку. Сильно колеблются в зависимости от характеристик, производителя, желаний продавца и года выпуска.

• Цены для примера, в среднем, за 1 шт: П416Б, 1970х – 2-3 руб
• П416А, 1990х – 17-48 руб
• П416 – 10-35 руб

Характеристики транзисторов П416

• Масса: 2.2 гр
• Цоколевка: эмиттер с краю, отмечен на корпусе точкой, коллектор по центру, ну и база соответственно тот что остался
• Температура эксплуатации: °C -60+70°C
• Аналоги Зарубежные: 2SA27
• П416 – 2N602
• П416А – 2N604
• П416Б – 2SA279

Драгметаллы в радиодеталях

Драгметаллы в радиодеталях

Запасы радиодеталей есть у многих радиолюбителей. Многие старые радиодетали врядли когда-нибудь будут использованы, т.к. сейчас появились новые с лучшими характеристиками, меньших размеров, и т.д. Однако многие старые детали содержат драгоценные металлы, и их можно выгодно продать. Ниже приведен список деталей, которые можно продать. В вашем городе номенклатура принимаемых деталей может отличаться от приведенного перечня. Для уточнения проконсультируйтесь с местными покупателями. Какие детали сдавать выгоднее всего? Самое выгодное — конденсаторы КМ (до 11000 руб. за кг.), а также большие позолоченные разъемы. Обычно детали принимают на радиорынках, также есть специальные организации, узнать о них можно из объявлений в газетах, например. У разных покупателей цены на некоторые детали могут значительно различаться (иногда в 2 и более раз). Поэтому не спешите продавать свои запасы первому попавшемуся, даже если цена Вам показалась привлекательной. Обратите внимание на объявления в газетах и др. средствах массовой информации о скупке радиодеталей, позвоните по указанным там телефонам, узнайте цены на детали, которые есть у Вас, расспросите своих знакомых, сравните цены и тогда решайте. Где можно найти ценные детали? Списанное старое оборудование, особенно старые ЭВМ. (По непроверенным данным, в одной Д3-28 ценных деталей примерно на 3000 руб.). В импортной технике ничего ценного нет. Реле принимаются поштучно, в целых корпусах, с целыми выводами.

Конденсаторы

Транзисторы

Разъемы и переключатели

Дополнить список Источник: shems.h1.ru

Транзистор П416

Транзистор П416 Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.

Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)

Содержание драгоценных металлов в транзисторе: П416

Золото: 8.0E-5 Серебро: 0 Платина: 0 МПГ: 0.001 По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70

Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.

Типы транзисторов

Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.

1. Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером. 2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).

Маркировка транзисторов СССР

Обозначение транзисторов до 1964 года Первый элемент обозначения — буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором. Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами — МП, буква М означала модернизацию. Второй элемент обозначения — одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты. От 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы. От 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы. От 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы. От 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы. От 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы. От 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы. От 601 до 699 — германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы. От 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.

Обозначение транзисторов после 1964 года

Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала Буква Г или цифра 1 — германий. Буква К или цифра 2 — кремний. Буква А или цифра 3 — арсенид галлия.

Второй символ обозначает тип транзистора П — полевой транзистор Т — биполярный транзистор

Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты 1 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц). 2 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц). 3 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные. 4 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц). 5 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц). 6 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ. 7 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц). 8 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц). 9 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.

Четвертый и пятый элементы обозначения — определяют порядковый номер разработки.

Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей — третьего элемента.

Для биполярных транзисторов: 1 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц. 2 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц. 4 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц. 7 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц. 8 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц. 9 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.