Как снять вах диода в мультисим

Построение схемы для получения вфх в Multisim

При построении схемы для измерения барьерной ёмкости диода в Multisim воспользуемся такими компонентами как Ground (Заземление), Resistor (Сопротивление), Diode(Диод), Battery (Батарейка), Inductor (Катушка индуктивности), Capacitor (Конденсатор).

Характеристики диода, выбранного согласно условиям задания:

.MODEL D1N3890A D (

V1: model – 1MHZ; R1=1Ом, R2=100кОм, R3=0.1Ом, L1=1мВб,

C1=100 пФ, C2=1мкрФ, L2=100мВб, Vvar=1

Проведение частотного анализа. (Analysis->AC)

В качестве варьируемого диапазона частот, в котором варьируется частота источника, выбираем 100 MHz, 500 MHz.

Количество точек равно 9000.

Задаем линейный вид шкалы по оси абсцисс и логарифмический вид шкалы по оси ординат

Перед запуском частотного анализа, рассмотрим семейство кривых. Для этого заполним окно Parameter Sweep:

1.В качестве элемента рассмотрим параметр VVAR.

2.Кривые отличаются друг от друга значением параметра dc.

3.dc.value изменяется в промежутке 1…31 с шагом 2.5.

Теперь запускаем схему на анализ по переменному току и получаем семейство графиков:

Ч исленные данные:

кэт. 2 кэт. Занятие 4 Исследование полупроводниковых диодов (Multisim) отчет по лабораторной работе 2

Единственный в мире Музей Смайликов

Самая яркая достопримечательность Крыма
Скачать 1.19 Mb.

ОТЧЕТ ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ №2
Дата 28.10.2021 ФИО Басырева Елизавета Олеговна Уч.гр РЦТ-03

2.1. Прямая ветвь ВАХ.

1. Измерение напряжения и тока, протекающего через диод.

1.1. Измерение напряжения диода при прямом и обратном включении.

Рис. 1.1. – Схема измерения напряжения диода при прямом включении.

Рис. 1.2. – Схема измерения напряжения диода при обратном включении.
1.2. Измерение тока диода при прямом и обратном включении.

Рис. 1.3. – Схема измерения тока диода при прямом включении.

Рис. 1.4. – Схема измерения тока диода при обратном включении.

1.2. Продемонстрировать преподавателю работу данных схем.
1.3. По результатам измерения вычислить ток диода при прямом и обратном включении:

1. Снятие вольтамперной характеристики (ВАХ) диода

Рис. 2.1. – Схемы для снятия прямой и обратной ветвей ВАХ.

Таблица 1 – Результаты эксперимента 2

1. График прямой ветви ВАХ
1. График обратной ветви ВАХ

ВЫВОД:
При прямой полярности диода точку А ВАХ проходит при 1 В, а при обратной при 20 В.

3. Измерение нагрузочной характеристики параметрического стабилизатора.
3.1. Измерение нагрузочной характеристики параметрического стабилизатора.



Рис. 3.1. Схема измерения нагрузочной характеристики параметрического стабилизатора.
3.2. Продемонстрировать преподавателю работу данной схемы.
3.3. По результатам измерения и расчетов заполнить табл. 3.1.

Результаты измерения нагрузочной характеристики параметрического стабилизатора.

RL, Ом	UСТ, В	IL, мА	IСТ, мА
50	4.286	86	0,888
100	5.010	50	0,033
200	5.021	25	58
500	5.026	10	73
700	5.027	7,181	76
КЗ	100,1*10 -12	100	0

4. Однополупериодный выпрямитель.

Рис. 4.1. – Схема исследования однополупериодного выпрямителя.


Рис. 4.2. – Вид осциллограммы однополупериодного выпрямителя.

5. Исследование мостового выпрямителя

Рис. 5.1. – Схема мостового выпрямителя.
= 0,636*120=76,32В

Как снять вах диода в мультисим



При построении схемы для получения обратной ветви ВАХ в Multisim воспользуемся такими компонентами как Ground(Заземление), Resistor(Сопротивление), Diode(Диод), Power(Батарейка).

Характеристики диода, выбранного согласно условиям задания:

.MODEL D1N3890A D (

Сопротивления резисторов 10 Ом и 10 кОм.

Эта схема отличается от предыдущей. Диод включен в противоположном направлении, а приборы подключены несколько иначе. Такое подключение приборов приведет к меньшей погрешности (т.к. на обратной ветви большие напряжения и маленькие токи).

Проведение анализа по постоянному току. (Simulate -> Analyses -> DC Sweep)

— В качестве варьируемого параметра выбираем напряжение источника V1.
Т.к. схема имеет базу, то варьируется напряжение и на диоде.

— В качестве диапазона изменений выбираем промежуток 0…2 В с шагом 0.01В.

— По оси Х задаем выражение V1 – напряжение на диоде, а по оси Y ток через диод -I(D1[ID]).

— Перед I(D1[ID]) ставим знак минус — это переносит график в первую четверть.

— Масштаб по оси X задаем в пределах 0…2 В с шагом сетки 0.2 В; по оси Y пределы и шаг выберем автоматические.

Запускаем на анализ (Run) и получаем график зависимости тока через диод I(D1) от напряжения V1, что и является Вольт-Амперной характеристикой (ВАХ).

Проектирование электронных устройств в Multisim 12.0. Часть 15

Мы продолжаем серию публикаций о работе с виртуальными приборами в программной среде Multisim. Данный цикл статей представляет описание виртуальных инструментов, их конфигурирование, процедуры подключения к исследуемой схеме. Так же рассматриваются такие вопросы как работа с несколькими инструментами, сохранение данных инструмента, просмотр результатов работы. В статье будут рассмотрены особенности работы с таким прибором как характериограф-IV.

Характериограф – это устройство, предназначенное для наблюдения и исследования характеристик радиоэлектронных устройств и компонентов, при этом измерительная информация отображается на экране в виде кривых. В Multisim характериограф-IV (I — ток, V — напряжение) используется для измерения вольт-амперных характеристик диодов, PNP и NPN транзисторов, PMOS и NMOS устройств. При этом, в отличии от других виртуальных приборов Multisim, характериограф-IV подключается не к схеме, а непосредственно к исследуемому устройству. В том случае, когда необходимо произвести измерение характеристик устройства, которое уже используется в схеме – предварительно отключите его от схемы. Для того, что бы открыть лицевую панель прибора, необходимо дважды щелкнуть левой кнопкой мыши по его пиктограмме на схеме. Рассмотрим лицевую панель характериографа-IV более подробно. В левой части панели расположен графический дисплей, который предназначен для графического отображения формы сигнала. Так же прибор оснащен курсором для проведения измерений в любой точке графика, курсор при необходимости можно перемещать при помощи левой кнопки мыши. Управлять положением курсора можно так же и при помощи стрелок перемещения вертикального курсора, которые расположены в нижней левой части лицевой панели характериографа-IV под графическим дисплеем. Между стрелками находятся три информационных поля, в которых отображаются данные, полученные на пересечении вертикального курсора и кривой. Кривую, для которой будут отображаться данные, можно выбрать при помощи щелчка по ней левой кнопкой мыши, в результате чего на пересечении вертикального курсора и кривой появится метка-точка (именно для той кривой, на которой находится метка-точка, и будут отображаться данные в информационных полях). В правой части лицевой панели прибора находится панель управления, предназначенная для настройки параметров характериографа-IV. Рассмотрим данную панель более подробно. В верхней части панели находится поле «Выбор компонента», в котором из выпадающего списка можно выбрать для анализа следующие компоненты:

• Diode;
• BJT PNP;
• BJT NPN;
• PMOS;
• NMOS.

Под полем «Выбор компонента» расположены поля «Шкала тока (А)» и «Шкала напряжения (V)», в которых можно задать параметры горизонтальной и вертикальной осей координат при логарифмической или линейной шкале. Переключение шкалы производится при помощи кнопок «Лог» (логарифмическая) и «Лин» (линейная). Масштаб горизонтальной (ось Х) и вертикальной (ось Y) осей определяется начальным («Н») и конечным («В») значениями.

Под полем «Шкала напряжения (V)» размещены две кнопки. Кнопка «Экран» предназначена для инверсии цвета графического дисплея (черный/белый). Кнопка «Моделирование» используется для произведения настроек параметров моделирования. После нажатия на эту кнопку открывается окно «Параметры моделирования». Содержание данного диалогового окна меняется в зависимости от компонента, выбранного из выпадающего меню в поле «Выбор компонента» и подробно будет рассмотрено в настоящей статье далее для каждого компонента в отдельности. В нижней правой части лицевой панели характериографа-IV находится окно, отображающее схему подключения выбранного компонента к данному виртуальному прибору.

Пример подключения характериографа-IV к PMOS-транзистору, вольт-амперная характеристика PMOS-транзистора и лицевая панель данного прибора представлены на рисунке 1.



Рис. 1. Подключение характериографа-IV к PMOS-транзистору, вольт-амперная характеристика PMOS-транзистора и лицевая панель характериографа-IV.

Измерение характеристик устройства производится следующим образом:

1. откройте лицевую панель характериографа-IV;
2. в верхней правой части лицевой панели в поле «Выбор компонента» из выпадающего меню выберите нужный компонент;
3. выберите из библиотеки компонентов данный компонент, поместите его в рабочую область проекта и присоедините к характериографу-IV, следуя схеме в нижней правой части лицевой панели прибора;
4. на панели управления характериографа-IV установите нужные настройки в полях «Шкала тока (А)» и «Шкала напряжения (V)»;
5. при необходимости вы можете инвертировать цвет графического экрана при помощи кнопки «Экран»;
6. при помощи кнопки «Моделирование» откройте окно «Параметры моделирования» и установите необходимые параметры, после чего нажмите на кнопку «ОК» для закрытия диалогового окна и вступления в силу внесенных изменений;
7. запустите симуляцию проекта.

В результате выполненных действий на лицевой панели характериографа-IV в окне графического дисплея рассматриваемого прибора будут получены IV-кривые для анализируемого компонента.

Рассмотрим диалоговое окно «Параметры моделирования» для PMOS-транзистора (рис. 2).



Рис. 2. Диалоговое окно «Параметры моделирования» для PMOS-транзистора.

Данное окно открывается в результате выбора на панели управления характериографа-IV в поле «Выбор компонента» пункта PMOS и нажатия на кнопку «Моделирование». В левой части окна находится поле «Источник: V_ds», в котором можно установить следующие значения V_ds (напряжение сток-исток):

• «Начало» — начальное значение V_ds;
• «Окончание» — конечное значение V_ds;
• «Приращение» — значение шага V_ds (полученные точки будут использованы для построения графика).

В правой части окна расположено поле «Источник: V_gs», в котором можно установить следующие значения V_gs (напряжение затвор-исток):

• «Начало» — начальное значение V_ gs;
• «Окончание» — конечное значение V_ gs;
• «Приращение» — число шагов V_ gs (количество кривых на графике).

Установка/снятие флажка в чекбоксе «Нормализация» отображает значения V_ds на кривых по оси Х с положительными/отрицательными значениями.

Рассмотрим диалоговое окно «Параметры моделирования» для диода (рис. 3).



Рис. 3. Пример диалогового окна «Параметры моделирования» для диода.

Данное окно открывается в результате выбора на панели управления характериографа-IV в поле «Выбор компонента» пункта Diode и нажатия на кнопку «Моделирование». В левой части окна находится поле «Источник: V_pn», в котором можно установить следующие значения V_pn:

• «Начало» — начальное значение V_pn;
• «Окончание» — конечное значение V_pn;
• «Приращение» — значение шага V_pn (полученные точки будут использованы для построения графика).

На рисунке 3 представлен пример диалогового окна «Параметры моделирования», согласно с заданными параметрами которого напряжение диода будет изменяться от – 5 В до 5 В с шагом в 10 мВ. Пример подключения характериографа-IV к диоду и вольт-амперная характеристика данного компонента представлены на рисунке 4.



Рис. 4. Пример подключения характериографа-IV к диоду и вольт-амперная характеристика данного компонента.

Рассмотрим диалоговое окно «Параметры моделирования» для NMOS-транзистора (рис. 5).



Рис. 5. Диалоговое окно «Параметры моделирования» для NMOS-транзистора.

Данное окно открывается в результате выбора на панели управления характериографа-IV в поле «Выбор компонента» пункта NMOS и нажатия на кнопку «Моделирование». В левой части окна находится поле «Источник: V_ds», в котором можно установить следующие значения V_ds (напряжение сток-исток):

• «Начало» — начальное значение V_ds;
• «Окончание» — конечное значение V_ds;
• «Приращение» — значение шага V_ds (полученные точки будут использованы для построения графика).

В правой части окна расположено поле «Источник: V_gs», в котором можно установить следующие значения V_gs (напряжение затвор-исток):

• «Начало» — начальное значение V_ gs;
• «Окончание» — конечное значение V_ gs;
• «Приращение» — число шагов V_ gs (количество кривых на графике).

На рисунке 5 представлен пример диалогового окна «Параметры моделирования», согласно с заданными параметрами которого для получения вольт-амперной характеристики NMOS-транзистора напряжение сток-исток (V_ds) будет изменяться от 0 В до 14 В с шагом в 120 мВ, а напряжение затвор-исток (V_ gs) – от 3,5 В до 5 В. Пример подключения характериографа-IV к NMOS-транзистору и вольт-амперная характеристика данного компонента представлены на рисунке 6.



Рис. 6. Пример подключения характериографа-IV к NMOS-транзистору и вольт-амперная характеристика данного компонента.

Количество кривых на графике вольт-амперной характеристики соответствует установленному в поле «Источник: V_gs» значению параметра «Приращение» (рис. 5) – в нашем случае данное значение равно пяти.

На рисунке 7 представлен пример диалогового окна «Параметры моделирования» для PNP-транзистора.



Рис. 7. Диалоговое окно «Параметры моделирования» для PNP-транзистора.

Данное окно открывается в результате выбора на панели управления характериографа-IV в поле «Выбор компонента» пункта BJT PNP и нажатия на кнопку «Моделирование». В левой части окна находится поле «Источник: V_ce», в котором можно установить следующие значения V_ce (напряжение коллектор-эмиттер):

• «Начало» — начальное значение V_се;
• «Окончание» — конечное значение V_се;
• «Приращение» — значение шага V_се (полученные точки будут использованы для построения графика).

В правой части окна расположено поле «Источник: I_b», в котором можно установить следующие значения I_b (ток базы):

• «Начало» — начальное значение I_b;
• «Окончание» — конечное значение I_b;
• «Приращение» — число шагов I_b (количество кривых на графике).

Установка/снятие флажка в чекбоксе «Нормализация» отображает значения V_се на кривых по оси Х с положительными/отрицательными значениями. Пример подключения характериографа-IV к PNP-транзистору и вольт-амперная характеристика данного компонента представлены на рисунке 8.



Рис. 8. Пример подключения характериографа-IV к PNP-транзистору и вольт-амперная характеристика данного компонента.

На рисунке 9 представлен пример диалогового окна «Параметры моделирования» для NPN-транзистора.



Рис. 9. Диалоговое окно «Параметры моделирования» для NPN-транзистора.

Данное окно открывается в результате выбора на панели управления характериографа-IV в поле «Выбор компонента» пункта BJT NPN и нажатия на кнопку «Моделирование». В левой части окна находится поле «Источник: V_ce», в котором можно установить следующие значения V_ce (напряжение коллектор-эмиттер):

• «Начало» — начальное значение V_се;
• «Окончание» — конечное значение V_се;
• «Приращение» — значение шага V_се (полученные точки будут использованы для построения графика).

В правой части окна расположено поле «Источник: I_b», в котором можно установить следующие значения I_b (ток базы):

• «Начало» — начальное значение I_b;
• «Окончание» — конечное значение I_b;
• «Приращение» — число шагов I_b (количество кривых на графике).

Пример подключения характериографа-IV к NPN-транзистору и вольт-амперная характеристика данного компонента представлены на рисунке 10.



Рис. 10. Пример подключения характериографа-IV к NPN-транзистору и вольт-амперная характеристика данного компонента.

Представленный пример демонстрирует график вольт-амперной характеристики для отображения I_b = 1 мA, от 1 мA до 735 мA по оси Y, и от 1 мВ до 3,3 В по оси Х.

beluikluk Опубликована: 13.02.2016 0 2

Порядок выполнения работы

Снять обе ветви ВАХ диода (прямую и обратную) в программе моделированияMultisim. Для этого включить режим моделирования и изменять напряжение на диоде: клавишей «r» уменьшая, сочетанием «Shift»+«r» — увеличивая его. Величину напряжения снимать с вольтметра соответствующей схемы, величину тока — с амперметра. Показания приборов занести в таблицу. Выключить режим моделирования.

Расчетная часть

Построить характеристику диода. В точках, указанных преподавателем, произвести расчет дифференциального сопротивления методом треугольника и касательной: Ri= ΔUпр/ ΔIпр

Контрольные вопросы

1 Почему и до каких пределов Uпр прямая ветвь ВАХ нелинейная в нижней части?

2 Какие свойства p-n перехода используются в выпрямительных диодах?

3 Как определяется рабочий режим выпрямительного диода?

4 Чем отличаются кремниевые диоды от германиевых?

5 Что такое предельно допустимое обратное напряжение?

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №2
Исследование полупроводникового стабилитрона

Цель работы:исследовать работу полупроводникового (ПП) стабилитрона, изучить его ВАХ и рассчитать заданный параметр устройства.

Используемое оборудование:

– ПК,ПО Multisim

Краткие сведения

ПП стабилитрон– это кремниевый диод, работающий в режиме электрического пробоя и предназначенный для стабилизации напряжения. В нем используется свойство обратно включенного p-n перехода отраженное на ВАХ этого прибора.

При увеличении Uвх, сопротивление стабилитрона уменьшается, а ток, проходящий через него возрастает, напряжение на нем и на нагрузке почти не изменяется. Излишек напряжения гасится на балластном сопротивлении Rогр. С помощью Rогр подбирается режим работы стабилитрона.

Стабилизацию переменного напряжения можно получить при включении стабилитрона в прямом направлении, такой диод называется стабистором.Стабисторы отличаются от стабилитронов меньшим напряжением стабилизации.

При увеличении Uвх, сопротивление стабилитрона уменьшается, а ток, проходящий через него возрастает, напряжение на нем и на нагрузке почти не изменяется. Излишек напряжения гасится на балластном сопротивлении Rогр. С помощью Rогр подбирается режим работы стабилитрона.

Стабилизацию напряжения можно получить при включении стабилитрона в прямом направлении, такой диод называется стабистором.Стабисторы отличаются от стабилитронов меньшим напряжением стабилизации.

Вопросы допуска

1 Дайте определение полупроводникового стабилитрона.

2 Какова уникальная особенность стабилитрона?

3 Что определяет напряжение, при котором стабилитрон испытывает пробой?

4 Что определяет максимальный ток стабилизации стабилитрона?

5 В чем разница между максимальным током стабилизации и обратным током стабилизации?

6 Как можно температурно скомпенсировать стабилитрон?

Задание:

— провести исследование работы полупроводникового стабилитрона;

— построить ВАХ и сравнить ее с теоретической;

— определить рабочий участок характеристики;

— рассчитать напряжение стабилизации.

Содержание отчета

1 Название и цель работы.

2 Принципиальна схема включения стабилитрона.

Рисунок 1 — Схема исследования полупроводникового стабилитрона

3 Таблица измерений

%изменения Uвх

Iст.мА

Uст, В

4 Графическая характеристика.

5 Расчетная часть.

Порядок выполнения работы

Снять ВАХ стабилитрона в программе моделирования Multisim. Для этого включить режим моделирования и изменять напряжение на стабилитроне: клавишей «r» уменьшая, сочетанием «Shift»+«r» — увеличивая его. Величину напряжения снимать с вольтметра Us, величину тока — с амперметра I. Показания приборов занести в таблицу. Выключить режим моделирования.

Расчетная часть

По полученным данным построить ВАХ Uст = f (Iст) графически определить Rст :

Контрольные вопросы

1 В каком включении и какие свойства p-n перехода используются в стабилитроне?

2 Как происходит стабилизация напряжения в практических схемах?

3 Что называется напряжением стабилизации Uст.?

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №3
Исследование ВАХ биполярного транзистора в схеме с общей базой (ОБ)

Цель работы:Исследовать работу биполярного транзистора в схеме с ОБ с помощью измерительных приборов, построить его ВАХ и выполнить расчет заданных параметров.

Используемое оборудование:

– ПК, ПО Multisim

Краткие сведения

Биполярный транзистор (БТ) – ПП с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда.

Резкое увеличение диффузии основных носителей (ОН) через переход, при котором в каждую из областей вводятся дополнительные неосновные заряды (НЗ), являющиеся для нее неосновными носителями (НН), называется инжекцией (прямое включение p-n перехода).

Снижение диффузии ОН, при котором в каждую область вводится небольшое количество НЗ, являющиеся для нее ОН, называется экстракцией.

Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый кристалл, имеющий три области с чередующимся типом проводимости. Две крайние области имеют одинаковый тип проводимости, а средняя, находящаяся между ними, — противоположный.

Существуют транзисторы структурp-n-pиn-p-n .

Концентрация ОН в трех областях различна по своей величине. В соответствии с концентрацией ОН и процессами, происходящими в транзисторе, области называют эмиттер (Э), база (Б), коллектор (К), таким образом, создаются два p-n перехода: эмиттерный (ЭП) – между эмиттером и базой и коллекторный (КП) – между коллектором и базой.

При использовании транзисторов в качестве элементов схем к каждому его p-n переходу подключается внешнее постоянное напряжение, смещающее переход в том или ином направлении.

Имеются три основных режима работы транзисторов:

— активный, когда эмиттерный переход смещают в прямом направлении, а коллекторный – в обратном ;

— насыщения, когда оба перехода смещены в прямом направлении;

— отсечки, когда оба перехода смещены в обратном направлении.

Между этими токами существуют следующие соотношения:

Iэ = Iк + Iб; Iб << Iк; Iэ = Iк.

При использовании транзисторов различают две электрические цепи: входная, в которую включается источник сигнала, и выходная, в которую включается нагрузка. Для получения двух замкнутых цепей при трех выводах транзистора один их этих выводов делают общим для входной и выходной цепей. Поэтому имеется три возможные схемы включения биполярного транзистора: с общим эмиттером (ОЭ), с общей базой (ОБ), с общим коллектором (ОК). Каждая из этих схем включения имеет свои особенности, достоинства и недостатки.

Схема с ОБ.

В этой схеме эмиттер является входным электродом, коллектор – выходным, а база общим, поэтому:

Iвх = Iэ; Iвых = Iк; Uвх = Uэб; Uвых = Uкб.

Учитывая, что Iэ – прямой ток и Iк = Iэ; Uэб – прямое напряжение;
Uкб – обратное напряжение, можно получить:

Коэффициент передачи по потоку Кт =Iк / Iэ< 1 = 0,95…0,99;

Коэффициент передачи по напряжению Кн = Uкб / Uэб — сотни раз;

Коэффициент передачи по мощности Км = К –сотни раз;

Входное сопротивление Rвх = Uэб / Iэ — единицы – десятки Ом.;

Выходное сопротивление Rвых = Uкб / Iк — десятки – сотни кОм.

Вывод. Схема с ОБ не дает усиления по току, имеет низкое входное и высокое выходное сопротивление, не меняет фазу входного напряжения.

Вопросы допуска:

1 Почему в схеме с ОБ ток коллектора почти не зависит от напряжения на коллекторе и остается почти равным току эмиттера даже при напряжении на коллекторе равном нулю?

2 Каков механизм влияния коллекторного напряжения на эмиттерную характеристику?

3 Что определяет режим работы транзистора?

4 Какие недостатки имеет схема с ОБ?

5 Что такое дифференциальный коэффициент передачи тока базы?

Задание:

— практически снять реальные входные и выходные вольт – амперные характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме с общей базой;

— сравнить полученные ВАХ с теоретическими;

— произвести графический расчет h-параметров биполярного транзистора, включенного по схеме с общей базой.

Как снять вах диода в мультисим

Сообщение vadimdoka » 22 апр 2020, 00:47




guru
Сообщения: 5412 Зарегистрирован: 02 дек 2009, 17:44 Награды: 7 Версия LabVIEW: 2015, 2016 Откуда: СССР Благодарил (а): 25 раз Поблагодарили: 76 раз

Re: ВАХ характеристика

Сообщение IvanLis » 22 апр 2020, 01:36

Если вы выложите файл в более упрощенном виде, то Вам скорее помогут, т.к. мало у кого установлен MultiSim.
Например можно выложить контрол (XYGraph) с данными и указать, чего хотите получить.

Если нужно отобразить точку на графике и вы знаете значение X или Y, то для этого можно использовать курсор.
Как-то так.

Знание нескольких принципов освобождает от знания многих фактов!

vadimdoka beginner
Сообщения: 22 Зарегистрирован: 19 апр 2020, 19:12 Версия LabVIEW: LabVIEW 11 Контактная информация:

Читать:
Что означает желто черная разметка