Flash eeprom что это

Русские Блоги

Время, а затем вы можете сделать это снова, поэтому вы не можете менять его несколько раз в день. Колесо истории продолжается, великий EEPROMПоявилось, спасло большое количество программистов и, наконец, можно свободно модифицировать содержимое ПЗУ.

Полное название EEPROM — «Электрически стираемое программируемое постоянное запоминающее устройство», то есть «Электрически стираемая программа».rammable Постоянная память. Это относительно ультрафиолетового стирания ПЗУ. Но сегодня существует много вариантов EEPROM, которые стали общим названием типа памяти.

Характеристика этого ПЗУ состоит в том, что любой байт может быть доступен и изменен случайным образом, и 0 или 1 могут быть записаны в каждый бит. Это наиболее традиционный тип EEPROM: данные не теряются после отключения питания, их можно хранить в течение 100 лет, а также можно стирать и записывать 100 раз. Имеет более высокую надежность, но схема сложная / дорогая. Таким образом, текущие EEPROM составляют от десятков килобайт до сотен килобайт и редко превышают 512K.

Flash — это обобщенная EEPROM, потому что это также электрически стираемое ПЗУ. Однако, чтобы отличить его от общего EEPROM, которое стирается байтом, мы называем его Flash.

Так как два похожи, почемуСКМДолжны ли мы иметь Flash и EEPROM?

Обычно Flash в микроконтроллере используется для хранения рабочего кода, который не может быть изменен во время операции, а EEPROM используется для сохранения пользовательских данных, которые могут быть изменены во время операции, таких какчасыВремя будильника изначально установлено на 12:00, а затем изменено на 6:00 во время работы. Оно сохраняется в EEPROM. Вы не боитесь сбоя питания и вам не нужно перенастраивать его на 6:00, даже если вы снова включаете питание.

Но самая большая разница на самом деле: FLASH работает по секторам, EEPROM работает по байтам Способы адресации этих двух различны, и структура блока памяти также различна. Структура схемы FLASH относительно проста. Та же емкость занимает небольшую область микросхемы, а стоимость, естественно, ниже, чем у EEPROM. Поэтому она подходит для памяти программ, и EEPROM больше используется как Энергонезависимое хранение данных. Конечно, также можно использовать FLASH в качестве памяти данных, но эта операция более хлопотна, чем EEPROM, поэтому она более «гуманна»MCUПроект будет интегрировать энергонезависимую память FLASH и EEPROM, в то время как дешевые проекты часто имеют только FLASH, а ранние стираемые микроконтроллеры представляют собой структуры EEPRM, которые в основном были прекращены.

Во внутренней микросхеме микросхемы FLASH и EEPROM не только имеют разные схемы, но также имеют разные адресные пространства.Методы работы и инструкции также различны, независимо от структуры фон Неймана или структуры Гарварда. Технически, и программная память, и энергонезависимая память данных могут использовать только структуру FALSH или структуру EEPROM, и даже «гибкие» технические средства могут использоваться для имитации «области хранения данных» в области хранения программ, но даже в этом случае концептуально эти два объекта все еще По-другому, это вопрос здравого смысла.

ЭСППЗУ: электрически стираемое и программируемое постоянное запоминающее устройство. Рабочие характеристики Flash полностью соответствуют определению ЭСППЗУ. Это, несомненно, ЭСППЗУ. Когда была запущена первая флэш-память, в руководстве по данным четко указывалось, что это была ЭСППЗУ, что также имеет место в большинстве руководств по флеш-памяти. указывается, Отношения между ними — «белая лошадь» и «лошадь» , Что касается того, почему в отрасли необходимо различать эти два фактора, основная причина заключается в том, что метод работы Flash EEPROM полностью отличается от традиционного EEPROM.Вторичная причина заключается в сжатости языка. Flash EEPROM в неофициальных документах и разговорной речи для краткости называется Flash. Это «белый» атрибут белой лошади, а не ее «конь», чтобы отличать Flash от традиционной EEPROM.

Характеристики Flash — простая структура, один и тот же процесс и одна и та же область матрицы могут получить более высокую емкость и более быструю работу с большим объемом данных, но недостатком является то, что процесс работы является громоздким, особенно когда небольшой объем данных многократно перезаписывается, поэтому Flash-структура в MCU подходит для памяти программ без частого переписывания 。

Во многих приложениях Необходимость часто перезаписывать некоторые небольшие объемы данных и отключение энергонезависимой, EEPROM с традиционной структурой очень подходит здесь, Поэтому многие микроконтроллеры разработали два типа структур EEPROM, FLASH и традиционные, чтобы получить баланс затрат и функций, что значительно облегчает пользователям. С популярностью ISP и IAP, особенно в серии MCU, где адресное пространство хранения программ и адресное пространство хранения данных перекрываются, все больше и больше производителей MCU теперь поддерживают память программ IAP для имитации памяти данных, соответствующей EEPROM. Обходной путь для внедрения энергонезависимого хранилища данных при низких затратах. Чтобы достичь «эквивалентности» процесса двойной EEPROM в коммерческой пропаганде, многие производители, использующие программную память Flash для «симуляции» (обратите внимание, что техническая концепция на самом деле не является аналогом), производители памяти данных EEPROM заявили, что их продукты оснащены EEPROM Строго говоря, это очень строгое, но у продавца есть цель и метод продавца, и использование Flash для «симуляции» EEPROM может принести большую выгоду для бизнеса, так что на самом деле источником путаницы в технической концепции являются именно они.

Вспомнить всё. Разбираемся в полупроводниковой памяти

Когда я писал в начале года статью “Кто есть кто в мировой микроэлектронике”, меня удивило, что в десятке самых больших полупроводниковых компаний пять занимаются производством памяти, в том числе две – только производством памяти. Общий объем мирового рынка полупроводниковой памяти оценивается в 110 миллиардов долларов и является постоянной головной болью участников и инвесторов, потому что, несмотря на долгосрочный рост вместе со всей индустрией микроэлектроники, локально рынок памяти очень сильно лихорадит – 130 миллиардов в 2017 году, 163 в 2018, 110 в 2019 и 110 же ожидается по итогам 2020 года.

Топ-10 мировых микроэлектронных компаний, производители памяти выделены красным.

Объем рынка памяти близок к трети всей микроэлектроники, а в десятке самых больших компаний памятью занимается половина. Так чем же полупроводниковая память такая особенная? Давайте разбираться.

Особую важность памяти придает то, что ее всегда нужно много. Я бы даже сказал, что ее всегда нужно больше, чем есть. Билл Гейтс, которого вы наверняка сейчас вспомнили, на самом деле никогда ничего не говорил про 640 Кб, примерно как Мария-Антуанетта ничего не говорила про пирожные. Впрочем, в начале восьмидесятых 640 КБ были огромной цифрой. “И что с того, что памяти нужно много?” – спросите вы. Очень просто – большие тиражи позволяют разработчикам концентрироваться на одном продукте и оптимизировать не только дизайн, но и технологию производства. Сейчас в большинстве случаев чипы памяти производятся на фабриках, специально предназначенных для чипов памяти и принадлежащих производителям памяти. Это принципиальное отличие от всех остальных типов микросхем, где пути разработчиков и производителей давным-давно разошлись, и бал правят контрактные фабрики типа TSMC.

Начнем, собственно, с определения и классификации. Точнее, с классификаций, потому что типов памяти очень много, и различных применений тоже. Классическое разделение памяти по применению – на кэш-память, оперативную память и память хранения данных. Оно же примерно соответствует делению на статическую (SRAM), динамическую память (DRAM) и “диски” (HDD и SSD).

Зачем нужны разные типы памяти? Почему нельзя выбрать самый лучший и производить только его? Разница растет из того, что для разных применений важны разные качества памяти. В кэше, рядом с вычислительными мощностями – скорость. В хранении – объем и энергонезависимость. В оперативной памяти – плотность упаковки. Разумеется, никто бы не отказался от быстрой, плотной, энергонезависимой и малопотребляющей памяти, но соединить все эти качества в одной технологии еще никому не удалось, поэтому приходится совместно использовать разные варианты в тех частях систем, куда они подходят лучше всего.

Диаграмма иерархии памяти в вычислительных системах, с относительными объемами памяти и задержками обращения.

Кэш-память

Самый первый уровень памяти в вычислительной системе – это регистровый файл и кэш-память. Для них определяющее значение имеет скорость доступа, а вот объем может быть небольшим, особенно если его вдумчиво наполнять. Кэш обычно делается на основе статической памяти. Ячейка статической памяти может быть выполнена по-разному, но обязательно содержит в себе положительную обратную связь, которая позволяет хранить информацию и не терять ее (в отличие от динамической памяти, которой требуется периодическая перезапись). В КМОП-технологии ячейка статической памяти состоит из четырех транзисторов собственно запоминающего элемента и одного и более транзисторов, обеспечивающих чтение и запись информации. “Промышленный стандарт” – так называемая 6T-ячейка.

Электрическая схема 6T-ячейки SRAM

Шесть транзисторов – это очень много, особенно в сравнении с DRAM или флэш-памятью, где для хранения одного бита информации требуется два, а то и всего один элемент. Тем не менее, скорость работы сделала свое дело, и в большинстве современных цифровых микросхем статическая память занимает десятки процентов площади. Этот факт, кстати, сделал ячейку SRAM точкой опоры в определении проектных норм производства чипов: когда маркетинговые цифры – те самые пресловутые 28, 7 или 5 нм – отвязались от физических размеров элементов на кристалле, улучшение плотности упаковки стали считать как соотношение площади ячейки SRAM на старом и новом техпроцессах. Если в новой технологии ячейка стала в два раза меньше, значит проектные нормы уменьшились в корень из двух раз.

Разные варианты топологии шеститранзисторной ячейки статической памяти. Источник — G. Apostolidis et. al., «Design and Simulation of 6T SRAM Cell Architectures in 32nm Technology», Journal of Engineering Science and Technology Review, 2016

Отдельные чипы SRAM были популярны в составе многокристалльных микропроцессоров, таких как девайсы, построенные на базе серии Am2900 или советской 581 серии. При этом, как только появилась возможность поместить достаточно транзисторов на один чип, кэш-память стали размещать на том же кристалле, что и вычислитель, чтобы сэкономить мощность и увеличив скорость работы, избавившись от медленных и громоздких соединений между чипами. В современных микропроцессорах на одном кристалле помещается многоуровневый набор блоков кэш-памяти объемом в несколько Мегабайт. Это, кстати, привело к тому, что рынок SRAM как отдельного продукта практически перестал существовать: его объем оценивается всего в 420 миллионов долларов, то есть в 0.3% от всего рынка полупроводниковой памяти, и продолжает сокращаться. Последние из остающихся могикан – чипы для тяжелых условий эксплуатации, вроде космоса, высокотемпературных промышленных установок или медицинской техники, где нельзя свободно применять обычные коммерческие микросхемы и где из-за этого микроэлектронный прогресс несколько отстает. Есть некоторые перспективы роста в автомобильной электронике и в интернете вещей, где для постоянно включенных устройств не играет роли главный недостаток SRAM – неспособность хранить информацию после отключения питания. Только хранить, а не обрабатывать SRAM может с минимальным энергопотреблением, так что это может быть интересным вариантом. Впрочем, в этой конкретной нише, кроме флэш-памяти, есть еще активно развивающиеся новые виды памяти, такие как MRAM, так что перспективы на самом деле весьма туманны, а производители один за одним уходят из стагнирующего сегмента, что позволило Cypress получить больше половины рынка – повторюсь, крошечного по мировым меркам.

Оперативная память и динамическая память

Главный недостаток статической памяти – большое количество элементов в каждой ячейке, прямо транслирующееся в высокую стоимость, а также в большие габариты. Для того, чтобы преодолеть этот недостаток (а на самом деле еще и огромные габариты повсеместно использовавшейся в шестидесятых и начале семидесятых памяти на магнитных сердечниках) была придумана динамическая память.

Схемы ячейки динамической и статической памяти

Намного более простая ячейка позволяет существенно увеличить количество памяти на кристалле. Уже самый первый серийный кристалл DRAM (Intel 1103) в 1970 году содержал 1024 бита, а современные чипы умещают уже 16 Гигабит! Это стало возможным благодаря постоянному прогрессу технологии производства, а именно разнообразным улучшениям конструкции интегрального конденсатора. Если в самых первых чипах использовалась просто МОП-емкость, крайне похожая по конструкции на транзистор, в современных чипах DRAM конденсатор для экономии площади располагается не горизонтально, а вертикально, под или над транзистором.

Условная схема прогресса технологии производства DRAM.

То, что технологический прогресс в области DRAM сосредоточен на конденсаторе, и обусловило обособление отрасли и появление компаний, специализирующихся на разработке памяти и больше ни на чем.

Небольшой исторический экскурс, про Intel

Компания Intel была основана в 1968 году с прицелом на рынок памяти. Основатели фирмы считали, что относительно новые тогда интегральные схемы имеют потенциал вытеснить с рынка вычислительных машин память на магнитных сердечниках. Первыми продуктами Intel были чипы биполярной статической памяти, почти сразу же за ними последовала серия крайне успешных чипов DRAM, а вот заказы на разработку микропроцессоров очень долго рассматривались как что-то временное и побочное до середины восьмидесятых, когда серьезная конкуренция со стороны японских производителей DRAM, таких как Toshiba, вынудила компанию уйти с рынка памяти.

Позднее, Intel развивал бизнес по производству флэш-памяти, совместно с другой американской компанией, Micron, но буквально на днях продал эти активы ей же, и в ближайшем будущем под маркой Intel будет выпускаться только память Optane, основанная на фазовых эффектах.

Общий объем мирового рынка DRAM оценивается в 60-80 миллиардов долларов и составляет чуть больше половины мирового рынка памяти. Оставшуюся часть почти целиком занимает NAND Flash, а на долю всего остального разнообразия приходится не более трех процентов рынка. Производство чипов DRAM держится на трех китах – корейских Samsung и SK Hynix, а также американской компании Micron. Все три – в пятерке крупнейших полупроводниковых компаний мира, причем если Samsung чем только не занимается, то Micron и SK Hynix производят только память, DRAM и Flash. Три гиганта занимают без малого 95% рынка, а остатки рынка почти полностью разделены между несколькими тайваньскими компаниями.

Основные рыночные ниши – это потребительская электроника, включая смартфоны (40-50%), а также персональные компьютеры (15-20% ), серверное и телекоммуникационное оборудование (20-25%). Самые большие перспективы роста при этом ожидаются в автомобильном секторе, благодаря разного рода автопилотам и другим системам помощи водителю, а также в вычислениях, связанных с искусственным интеллектом.

Стоит отметить, что все чаще речь идет не о привычных нам “планках памяти”, а об аккуратной интеграции чипов на плату телефона или даже непосредственно в корпус процессора, в виде так называемой HBM – high bandwidth memory. Такая конфигурация позволяет увеличить пропускную способность памяти за счет использования многоразрядных шин, которые нет возможности реализовать при соединении корпусов на печатной плате, уменьшить задержки и потребление, а также эффективно разместить кристаллы памяти в несколько слоев, разместить большую емкость на меньшей площади.

Внутренности корпуса графического ускорителя AMD Fiji. Центральный кристалл – собственно вычислитель, по обеим сторонам – упакованные в несколько слоев чипы HBM DRAM.

Впрочем, и планки памяти тоже никуда не денутся в обозримом будущем, и спрос на них стабильно растет – стараниями не только геймеров, но и производителей серверов. Объем рынка модулей памяти составляет приблизительно 16 миллиардов долларов, и он выглядит как Гулливер в окружении лилипутов – рыночная доля Kingston Technology превышает 80%, против 2-3% у ближайших конкурентов. При этом сами чипы Kingston закупают у двух из трех больших производителей – Micron и SK Hynix. Samsung не привлекается, видимо, в силу того, что большинство их чипов DRAM предназначено для мобильных телефонов.

Еще один небольшой исторический экскурс, про Kingston

Kingston – американская компания, основанная в 1987 году, стала одним из пионеров внедрения SIMM-модулей как удобной альтернативы прямому поверхностному монтажу микросхем памяти. Быстро развиваясь на фоне роста рынка персональных компьютеров, Kingston стали “единорогом” с миллиардной капитализацией уже к 1995 году, и с тех пор выросли еще на порядок, увеличив долю на рынке модулей DRAM c 25% до 80% и расширившись на производство других продуктов, таких как SSD, где Kingston тоже является мировым лидером, правда с более скромными 26% мирового рынка против 8% и 6% у ближайших конкурентов.

Модуль оперативной памяти Kingston. Обратите внимание на плотность упаковки чипов на плате.

Kingston — интересный пример того, как можно быть успешной электронной компанией без собственной разработки микросхем и без полной вертикальной интеграции, популярной в последнее время. Добавленную стоимость и уникальные характеристики можно обеспечить на разных этапах создания продукта, и как раз Kingston как успешная электронная компания без собственного производства микросхем может быть хорошим примером для отечественных разработчиков.

А что же японцы, правившие бал в восьмидесятых и вытеснившие с рынка DRAM Intel? В 1999 году профильные подразделения Hitachi и NEC объединились в компанию Elpida, которая позже поглотила DRAM-бизнес Mitshibishi. В двухтысячных компания активно развивалась, много вкладывала в перспективные производства и была поставщиком, например, для Apple. Но финансовый кризис 2009 года очень сильно подкосил Elpida, и в 2012 году она была вынуждена подать на банкротство, после чего была куплена Micron.

На этой печальной ноте давайте заканчивать с DRAM и переходить к flash-памяти, где все еще есть по крайней мере одна успешная японская компания.

Флэш-память и системы хранения данных

Главный недостаток как SRAM, так и DRAM – то, что информация в них пропадает в случае, если им отключить питание. Но, сами понимаете, никогда не отключать питание довольно затруднительно, поэтому всю историю вычислительной техники использовались какие-нибудь системы для постоянного хранения данных – начиная от перфокарт. Большую часть времени в качестве систем постоянного хранения данных использовались магнитные носители – лента или жесткий диск. Жесткие диски – сложные электромеханические системы, которые прошли огромный путь от первого образца IBM размером с небольшой холодильник, до 2.5-дюймовых HDD для ноутбуков. Тем не менее, прогресс в микроэлектронной технологии был быстрее, и сейчас мы с вами наблюдаем процесс практически полного замещения жестких дисков полупроводниковыми SSD. Последним годом денежного роста для рынка HDD был 2012, и сейчас он составляет уже не более трети от рынка флэш-памяти.

Разные поколения жестких дисков.

Ячейка флэш-памяти устроена как МОП-транзистор с двумя затворами, один из которых подключен к схемам управления, а второй – “плавающий”. В обычной ситуации на плавающем затворе нет никакого заряда, и он не влияет на работу схемы, но если подать на управляющий затвор высокое напряжение, то напряженности поля будет достаточно для того, чтобы какое-то количество заряда попало в плавающий затвор, откуда ему потом некуда деться – даже если питание чипа отключено! Собственно, именно так и достигается энергонезависимость флэш-памяти – для изменения ее состояния нужно не низкое напряжение, а высокое.

Структура ячейки флэш-памяти

Чтение из флэш-памяти происходит следующим образом: на сток транзистора подается напряжение, после чего измеряется ток через транзистор. Если ток есть, значит на одном из двух затворов есть напряжение, если тока нет – на обоих затворах ноль.

На практике структура чипов флэш-памяти несколько сложнее, потому что, кроме самого транзистора, есть еще металлизация управляющих линий, и инженерам пришлось пойти на некоторые ухищрения, чтобы уменьшить ее площадь. Изначально типов флэш-памяти было два – NOR Flash и NAND Flash, различающихся как раз способом доступа к ячейкам. Названы они так по подобию соединения ячеек с соответствующими логическими элементами – в NAND последовательно, в NOR параллельно.

Сравнение архитектур NOR Flash и NAND Flash

Чтение из NOR Flash происходит ровно так, как описано выше, и позволяет удобно добраться до любого интересующего нас куска памяти. Чтение из NAND Flash несколько более занятно: для того, чтобы узнать значение интересующего нас бита в последовательно включенном стеке, нужно открыть управляющие затворы всех остальных транзисторов – тогда на состояние выхода будет влиять только интересующий нас бит. Согласитесь, заряжать-разряжать множество управляющих затворов ради того, чтобы узнать значение только одного бита – это как-то чересчур расточительно? Особенно с учетом того, что мы должны открыть управляющие затворы всех транзисторов не только в интересующем нас стеке, но и во всех соседних стеках, подключенных к тем же word line. Именно поэтому на практике NAND Flash читается не побитно, а целыми страницами. Это может показаться неудобным, ведь мы, по сути, делаем нашу память не совсем random-access.

Любые рассуждения на тему того, что лучше – NAND Flash или NOR Flash, неизбежно натыкаются на мнение рынка, сделавшего однозначный выбор: объем рынка NAND – 40-60 миллиардов долларов, а NOR – около четырех. Почему же побеждает менее удобная память? Дело на самом деле не в удобстве или неудобстве, а в целевых приложениях и в стоимости. NOR Flash удобнее и быстрее читается, но очень медленно записывается, зато ячейка NAND Flash в два с лишним раза меньше, что, разумеется, критично в ситуации, когда вам нужно БОЛЬШЕ ПАМЯТИ.

Кроме того, если немного подумать над главным недостатком NAND Flash – чтением только большими кусками, то в обычной вычислительной системе чтение из долгосрочной памяти в любом случае происходит большими кусками – чтобы оптимизировать работу кэш-памяти и минимизировать число кэш-промахов. То есть этот недостаток на самом деле и не недостаток вовсе. Так что по факту единственное настоящее преимущество NOR Flash – быстрота чтения, и ее основные применения – как раз те, где требуется быстрое чтение, но не нужна частая и быстрая запись. Например, прошивки разнообразных embedded девайсов, где NOR Flash активно заменяет другие виды EEPROM.

Небольшое отступление: PROM

И, раз уж я упомянул EEPROM, нелишне обсудить и экстремальный случай – когда память только читается, но не перезаписывается – то есть Read-Only Memory или ROM. Такая память гораздо чаще используется в промышленных применениях и для разнообразных прошивок. Такая память может быть запрограммирована на этапе производства с помощью наличия или отсутствия металлических соединений (или транзисторов, как это было сделано в Intel 8086. Но что, если раз-другой записать память все-таки нужно, причем уже после того, как чип произведен? На этот случай существует довольно много разновидностей PROM (P – programmable), довольно часто встраиваемых на кристалл вычислительной системы, например, микроконтроллера, но продолжающих активно использоваться и в качестве отдельных чипов.

Самый простой вариант – это однократно программируемая память типа Antifuse, она же память на пережигаемых перемычках. Идея очень проста: у нас есть структура (транзистор или резистор), которая может быть необратимо разрушена, превратившись в короткое замыкание или разрыв цепи. Чтение такой памяти выглядит как проверка на наличие замыкания или разрыва, а запись возможна только один раз, потому что изменение структуры необратимо.

Внешний вид памяти на пережигаемых перемычках

В случае, если может быть нужно записывать память несколько раз, например изредка обновлять прошивку, в дело вступают разные варианты EPROM (E – erasable) и EEPROM (EE – electrically erasable). Технологически они базируются на транзисторах с плавающим затвором и являются примитивной разновидностью флэш-памяти. Сейчас под термином EEPROM обычно подразумевают NOR Flash c возможностью побайтной записи и удаления данных.

NAND Flash

Что же касается NAND Flash, то ее стоимость за бит уже давно снизилась настолько, что этот вид памяти стремительно завоевывает рынок памяти для хранения информации, один за одним забивая гвозди в крышку гроба HDD и, например, дав нам возможность иметь много памяти в крошечных мобильных телефонах. Ключевые производители чипов NAND Flash – Samsung (33% и почти половина накопителей для телефонов), Kioxia (бывшая Toshiba, 20% рынка), Western Digital (14%), SK Hynix (11%), Micron (10%), Intel (8%).

Из этого списка, впрочем, надо исключить Intel, которые недавно объявили о переходе своей доли в совместном с Micron производстве к последним и об уходе с рынка флэш-памяти. Еще один интересный игрок – Western Digital, один из гигантов HDD, ныне стремительно переориентирующийся на твердотельные диски и ставший для этого уникальным зверем – fabless-производителем памяти. WD выкупили для этого больше трети производственных мощностей Kioxia, которые делают одни и те же чипы для себя и для клиента. Еще одно неожиданное последствие переориентации WD – они стали одним из наиболее заметных участников коммьюнити RISC-V, активно внедряя эту систему команд в свои контроллеры накопителей.

И в завершение рассказа про NAND Flash, надо непременно рассказать о произошедшей в последние годы технологической революции. Флэш-память, как и “обычная” микроэлектроника, уже уперлась в технологический предел миниатюризации транзисторов, и если в вычислительных системах можно хотя бы попробовать отыграть что-то за счет архитектуры, то в памяти плотность упаковки – это главное и единственное, что по-настоящему волнует. Поэтому, пока разговоры о переходе обычных КМОП-микросхем в третье измерение все еще остаются разговорами, 3D NAND уже четыре года как массово присутствует на рынке, позволяя разместить на кристалле в десятки, а то и в сотни раз больше ячеек памяти, чем обычное планарное решение.

Схематичный разрез двухмерной и трехмерной NAND Flash памяти

На электрической схеме выше транзисторы размещены последовательно, сверху вниз, тогда как в планарном варианте изготовления они расположены на плоскости, занимая ценную площадь на кристалле. Однако простая и монотонная структура позволила реализовать самое логичное, что можно сделать – сквозной вертикальный канал транзистора, выглядящий примерно так же, как и электрическая схема (и показанный на схеме справа желтым, идущим сквозь зеленые затворы). Разумеется, оно только звучит логично и просто, а на практике создание глубокого отверстия с вертикальными стенками – это одна из самых сложных операций, возможных в микроэлектронной технологии. Тем не менее, инженерные задачи были решены, и сейчас такие этажерки, как на рисунке выше, включают в себя уже до 128 транзисторов в серийно производимых чипах и до 192 слоев в девайсах, ожидаемых через год-два. Проектные нормы производства современной флэш-памяти примерно соответствуют уровню 15-20 нм, так что такая плотность упаковки – это эквивалент норм 0.1-0.2 нм! В обычном КМОП повторить этот фокус в точности не удастся, но свежие исследования по GAAFET предполагают упаковку нескольких горизонтальных каналов друг поверх друга. Samsung рассчитывает таким образом выйти на уровень 1 нм, а то и чуть меньше.

На этом мы прошли полный путь от кэша микропроцессора до памяти долговременного хранения и посмотрели на технологии, занимающие больше 97% рынка полупроводниковой памяти. Однако в оставшихся небольших процентах, в числе прочего скрываются и новые перспективные типы памяти, на которые тоже было бы неплохо взглянуть.

Новые типы энергонезависимой памяти

Читая научные исследования новых видов полупроводниковой памяти, я в какой-то момент перестал воспринимать их всерьез, потому что обещания златых гор можно было лицезреть ежегодно, а вот с готовыми к серийному производству продуктами вечно была напряженка. В основном исследования концентрировались и концентрируются на том, чтобы преодолеть разрыв между DRAM и флэш-памятью, создав нечто одновременно быстрое, энергонезависимое и дешевое. Никаких серьезных достижений на этом поприще пока не достигнуто, и те разработки, которые все же дошли до стадии коммерциализации, в основном составляют небольшую долю от рынка EEPROM, как в виде отдельных чипов, так и дополнительных опций в КМОП-технологии.

Три наиболее зрелых технологии такого рода – это MRAM (магнитная RAM), FRAM (ферроэлектрическая или сегнетоэлектрическая RAM) и PCM (phase-change memory).

FRAM основана на сегнетоэлектрическом эффекте – свойстве некоторых материалов менять свои свойства под действием высокого напряжения. В частности, в FRAM используется изменение емкости конденсатора. Эта память появилась в серийных продуктах, например в микроконтроллерах MSP430, еще двадцать лет назад, но почти тогда же проявился ее главный недостаток – пленки сегнетоэлектрических слоев оказались плохо масштабируемыми, и развитие технологии остановилось на уровне 130 нм, а существующие до сих пор продукты – в основном довольно старые радиационностойкие микросхемы. Впрочем, в последние годы работы по сегнетоэлектрикам снова активизировались, и возможно нас ждет новое пришествие FRAM, на этот раз в виде FeFET, где из сегнетоэлектрика будет делаться затвор транзистора.

Читать:

Panasonic rx es29 aux как подключить

Разные варианты MRAM используют несколько физических эффектов, позволяющих манипулировать спином магнитных материалов и посредством него, на их электрические свойства. По сути, мы говорим о физической реализации концепции мемристора – резистора, сопротивление которого зависит от его предыдущего состояния. Первые серийные чипы MRAM появились еще в 2004, но проиграли технологическую войну флэш-памяти. Тем не менее, технология продолжает активно развиваться, подогреваемая тем, что у MRAM потенциально на несколько порядков большее количество циклов перезаписи, чем у флэш, а значит ее можно использовать как гибрид кэша и памяти долгосрочного хранения. Считается, что такое сочетание может быть востребовано в малопотребляющих микросхемах интернета вещей, и сейчас встраиваемые блоки MRAM предлагают такие именитые фабрики, как Samsung и GlobalFoundries.

PCM – класс памяти, основанной на изменении фазового состояния некоторых веществ, например с кристаллического в аморфное, под действием внешних факторов типа высокого напряжения или кратковременного нагрева (обычно проводимого при помощи пропускания большого тока через запоминающий элемент). Потенциальные преимущества PCM примерно такие же, как у MRAM – быстрое чтение и большое количество циклов перезаписи, что в теории может позволить заменить даже все три типа памяти одним унифицированным решением. На практике же изначальное внедрение PCM обернулось грандиозным провалом: в 2012 году Micron с помпой представили серийную линейку для применения в мобильных телефонах, однако уже к 2014 году все эти продукты были отозваны с рынка. Их вторая попытка стала более успешной – совместно с Intel в 2017 году была представлена память 3D Xpoint и линейка SSD Optane (Intel) X100 (Micron). Продажи пока что невелики, но отзывы потребителей довольно хорошие. Посмотрим, выдержит ли новая технология проверку временем и сможет ли действительно потеснить традиционные SSD на основе NAND Flash.

Традиционная невеселая рубрика “А что в России?”

И, конечно же, мой рассказ был бы неполон без упоминания о том, что происходит в России. К сожалению, хорошего можно рассказать немного. Производство памяти – это именно что производство, а с микроэлектронными заводами у России довольно печальная ситуация. Соответственно, речи о собственных чипах DRAM и flash-памяти нет и в обозримом будущем не предвидится. А что есть?

Во-первых, есть какое-то количество микросхем SRAM. Самый технологически продвинутый продукт – микросхема 1663РУ1, представляющая собой 16 Мбит статической памяти по нормам 90 нм, производства завода “Микрон”. Кроме этого чипа, есть и другие, в основном предназначенные для аэрокосмических применений.

Во-вторых, «Микрон» на нормах 180 нм имеет опцию производства EEPROM, с максимальным заявленным в серийных продуктах (RFID-микроконтрроллерах) размером блока в 16 кбит. Это отличное решение для недорогих МК, но, к сожалению, мало подходящее для производства больших накопителей информации.

Кроме статической памяти и EEPROM, есть еще одно производство – “Крокус-наноэлектроника”, производящая MRAM. Расположенная в Москве фабрика КНЭ – единственная в России, умеющая работать с пластинами диаметром 300 мм. Правда, Крокус-нано не обладает полным циклом производства, а может делать только металлизацию и совмещенные с ней магнитные слои, формирующие ячейку MRAM. Транзисторная часть при этом должна быть изготовлена на другой фабрике (иностранной, потому что в России с пластинами 300 мм работать некому). На сайте КНЭ заявлена доступность микросхем объемом от 1 до 4 Мбит, скоростью считывания 35 нс и записи 35/90/120/150 нс. Еще немного света на функционирование и происхождение этих чипов проливают также заявленные в качестве продуктов на официальном сайте сложнофункциональные блоки MRAM, совместимые с техпроцессами китайской фабрики SMIC и израильской TowerJazz. Вероятно, именно эти производители являются технологическими партнерами и при производстве собственных чипов КНЭ.

Последнее, о чем стоит упомянуть в контексте производства памяти в России – это твердотельные системы хранения данных, являющиеся одним из важных драйверов импортозамещения в российской электронике. Российский рынок подобных систем оценивается в 122 миллиона долларов, доля отечественной продукции растет, идут жаркие споры насчет протекционистского законодательства и сравнения качества отечественных и импортных решений – в общем, настоящая жизнь. К сожалению, как уже было сказано выше, о собственном производстве чипов NAND flash речи не идет, и под импортозамещением понимается сборка импортных чипов в корпус и на плату, а также разработка или адаптация встроенного ПО. Из хороших новостей – в России ведутся разработки микросхем контроллеров флэш-памяти. Собственные контроллеры, хоть и не смогут решить проблему технологического отставания и зависимости от импорта, позволяют обеспечить контроль за функционированием импортных кристаллов памяти и безопасность решений на их основе. На этой позитивной ноте, я пожалуй, и закончу на сегодня.

EEPROM против Flash: разница и сравнение

Различные типы памяти используются для различных приложений в зависимости от их доступности, скорости, простоты использования и т. Д. Например, флэш-память используется, когда задействован большой объем данных, и его можно легко перезаписать. Но EEPROM более популярен, когда требуется более быстрый тип памяти, где данные могут быть доступны побайтно. Итак, эта разновидность памяти интегрируется в устройства в соответствии с их назначением.

Основные выводы

EEPROM позволяет стирать и перезаписывать отдельные байты, а флэш-память стирает и записывает большими блоками.
Флэш-память обеспечивает более высокую скорость записи и стирания по сравнению с EEPROM.
EEPROM потребляет меньше энергии во время операций записи и стирания, чем флэш-память.

ЭСППЗУ против флэш-памяти

Разница между EEPROM и флэш-памятью заключается в том, что EEPROM — это разновидность флэш-памяти, в которой для хранения данных используются логические вентили типа НЕ-ИЛИ. Таким образом, это быстрее, но и дороже одновременно. С другой стороны, флэш-память использует логические элементы типа NAND для хранения данных, но она сравнительно дешевле и широко используется в устройствах хранения, таких как флэш-накопители, SD-карты, цифровые камеры и т. д.

ЭСППЗУ против флэш-памяти

EEPROM является аббревиатурой для электрически стираемой программируемой постоянной памяти. Он используется, когда необходимо сохранить небольшое количество данных, особенно в микроконтроллерах электронных устройств. EEPROM может получать доступ к данным и удалять их побайтно и в основном используется в системах, где перезапись кода происходит не очень часто.

Флэш-память, также известная как флэш-память, определяет технологию записи и хранения данных, в которой используются микросхемы флэш-памяти. Приложения флэш-памяти разнообразны, поскольку они могут использоваться в небольших устройствах хранения, таких как флэш-накопители, в системах корпоративного уровня. Флэш-память превосходит любой другой тип жесткого диска с подвижными компонентами, поскольку имеет очень низкую задержку и данные не теряются при выключении системы.

Сравнительная таблица

Что такое ЭСППЗУ?

EEPROM — это тип энергонезависимой флэш-памяти, в которой используется система хранения типа NOR для чтения, записи и хранения данных. EEPROM известна своей отличной производительностью и очень быстрым откликом, но в то же время она намного дороже других типов флэш-памяти.

Нет необходимости извлекать EEPROM из компьютерной системы, когда есть необходимость перезаписать или удалить данные. Самым большим преимуществом EEPROM является то, что он может получать доступ к данным и удалять их побайтно, что значительно сокращает время извлечения. Одной из наиболее часто используемых микросхем EEPROM является серия 24CXX, которая включает в себя несколько моделей.

Общими чертами EEPROM являются работа при низком напряжении (1.8 В, 2.7 В, 5 В), фильтрация входных сигналов для шум подавление, использование двух проводов для чтения и записи данных, двунаправленный протокол передачи данных и т. д. EEPROM имеет несколько применений в телекоммуникационном и автомобильном секторах.

Что такое Флэш?

Флэш-память или флэш-память использует микросхемы флэш-памяти для хранения данных. Этот тип хранилища позволяет перезаписывать и удалять данные, но поблочно, что замедляет процесс извлечения данных. Флэш-память использует систему хранения типа NAND, и она более доступна, чем EEPROM. Он имеет энергонезависимую память, что означает, что даже после выключения системы он сохраняет данные.

Существует несколько типов флэш-памяти. Некоторыми из них являются массивы хранения, флэш-накопители SSD, флеш-массивы, хранилища NVMe, гибридные флэш-накопители и т. д. Все эти типы флэш-хранилищ имеют преимущество перед жесткими дисками (HDD), поскольку первые не имеют задержки. , и поэтому время отклика очень быстрое.

Внедрение флэш-памяти в ИТ-сектор сделало хранение данных более экономичным. Это связано с тем, что флэш-память может хранить большое количество данных, а при ее установке также повышается производительность системы.

Основные различия между EEPROM и флэш-памятью

EEPROM использует память типа NOR (комбинация Not и OR) для хранения данных, тогда как Flash использует память типа NAND (комбинация Not и AND) для хранения данных.
EEPROM — это тип флэш-памяти, но не наоборот.
EEPROM в основном используется в компьютерах, микроконтроллерах для смарт-карт и т. Д. С другой стороны, флэш-память широко используется в устройствах хранения, таких как USB-накопители, SD-карты, планшеты и т. д., а также в области хранения и сетевых технологий.
В случае EEPROM возможны доступ и удаление побайтовых данных, тогда как флэш-память допускает поблочное удаление данных.
В EEPROM данные перезаписываются редко, в то время как во флэш-памяти данные перезаписываются постоянно.
EEPROM очень дорогой по сравнению с Flash, потому что он использует память типа NOR, тогда как Flash дешевле, потому что использует память типа NAND.

Я приложил столько усилий, чтобы написать этот пост в блоге, чтобы предоставить вам ценность. Это будет очень полезно для меня, если вы подумаете о том, чтобы поделиться им в социальных сетях или со своими друзьями/родными. ДЕЛИТЬСЯ ♥️

Flash eeprom что это

/>14 июля
Тема:Способы уменьшения размера памяти страниц форума
От:petrov

/>14 июля
Тема:Способы уменьшения размера памяти страниц форума
От:petrov

—>

Другие известные форумы и сайты по электронике

все что посвящено электронике и общению специалистов. реклама других ресурсов.

Магазины
Форумы и конференции
Производители
Информационные ресурсы
Поисковики
FTP-серверы

/>16 часов назад
Тема:Куда пропал доступ к www.ti.com
От:UART

/>16 часов назад
Тема:Куда пропал доступ к www.ti.com
От:UART

—>

В помощь начинающему

вопросы начального уровня

Модераторы раздела VAI aosp SergM fill vetal KRS Alexandr des00 Uladzimir Rst7 iosifk ViKo Herz l1l1l1 Tanya Сергей Борщ Omen_13 Vasily_ Егоров Walrus

ARM, 32bit
MCS51, AVR, PIC, STM8, 8bit
Программирование
Схемотехника
Интерфейсы

/>2 часа назад
Тема:STM32F407 и его толерантные к 5В входы
От:quark

/>2 часа назад
Тема:STM32F407 и его толерантные к 5В входы
От:quark

—>

International Forum

This is a special forum for English spoken people, read it first.

/>14 мая
От:byRAM

/>14 мая
От:byRAM

—>

Образование в области электроники

все что касается образования, процесса обучения, студентам, преподавателям.

Модераторы раздела des00

/>20 июля
Тема:Защита электроники от статики, промышленных элек…
От:Unicorn

/>20 июля
Тема:Защита электроники от статики, промышленных элек…
От:Unicorn

—>

Обучающие видео-материалы и обмен опытом

Обсуждение вопросов создания видео-материалов

Модераторы раздела iosifk

/>17 февраля
Тема:Dilduino
От:k155la3

/>17 февраля
Тема:Dilduino
От:k155la3

Cистемный уровень проектирования

Последнее сообщение

—>

Вопросы системного уровня проектирования

Применение MATLAB, Simulink, CoCentric, SPW, SystemC ESL, SoC

Модераторы раздела Rst7

/>12 июля
Тема:Графика в матлабе
От:_sda

/>12 июля
Тема:Графика в матлабе
От:_sda

—>

Математика и Физика

Модераторы раздела Rst7

/>15 июля
Тема:Численная реализация МНК
От:amaora

/>15 июля
Тема:Численная реализация МНК
От:amaora

—>

Операционные системы

Linux, Win, DOS, QNX, uCOS, eCOS, RTEMS и другие

Модераторы раздела Rst7

Программирование
Linux
uC/OS-II
scmRTOS
FreeRTOS
Android

/>14 июля
Тема:Финальная версия Chrome/Chromium для Windows 7
От:Pupkin

/>14 июля
Тема:Финальная версия Chrome/Chromium для Windows 7
От:Pupkin

—>

Документация

оформление документации и все что с ней связано

Модераторы раздела Rst7

/>Вторник в 02:04
Тема:Вопрос про УГО
От:Kiber99

/>Вторник в 02:04
Тема:Вопрос про УГО
От:Kiber99

—>

Системы CAD/CAM/CAE/PLM

обсуждение САПР AutoCAD, Компас, SolidWorks и др.

/>5 февраля
Тема:Ошибка установки Solidworks
От:baumanets

/>5 февраля
Тема:Ошибка установки Solidworks
От:baumanets

—>

Разработка цифровых, аналоговых, аналого-цифровых ИС

Модераторы раздела Rst7

/>Понедельник в 10:10
Тема:Отечественный аналог AD9361/AD9364
От:_4afc_

/>Понедельник в 10:10
Тема:Отечественный аналог AD9361/AD9364
От:_4afc_

—>

Электробезопасность и ЭМС

Обсуждение вопросов электробезопасности и целостности сигналов

Модераторы раздела Rst7

ЭМС
Электробезопасность

/>13 июля
Тема:Плавкие предохранители: на каком времени нормиру…
От:Arlleex

/>13 июля
Тема:Плавкие предохранители: на каком времени нормиру…
От:Arlleex

—>

Управление проектами

Управление жизненным циклом проектов, системы контроля версий и т.п.

Модераторы раздела Rst7

/>30 октября, 2022
Тема:Как тестировать разработанную электронику и встр…
От:KBH

/>30 октября, 2022
Тема:Как тестировать разработанную электронику и встр…
От:KBH

—>

Нейронные сети и машинное обучение (NN/ML)

Форум для обсуждения вопросов машинного обучения и нейронных сетей

Модераторы раздела Rst7

/>28 июня
Тема:Модуль на VHDL кусочно-линейной (семь участков) …
От:Мур

/>28 июня
Тема:Модуль на VHDL кусочно-линейной (семь участков) …
От:Мур

Программируемая логика ПЛИС (FPGA,CPLD, PLD)

Последнее сообщение

—>

Среды разработки — обсуждаем САПРы

Quartus, MAX, Foundation, ISE, DXP, ActiveHDL и прочие.
возможности, удобства.

Модераторы раздела vetal />des00 />

/>Пятница в 14:41
Тема:Gowin EDA — релизы и общие вопросы
От:_4afc_

/>Пятница в 14:41
Тема:Gowin EDA — релизы и общие вопросы
От:_4afc_

—>

Работаем с ПЛИС, области применения, выбор

на чем сделать? почему не работает? кто подскажет?

Модераторы раздела vetal />des00 />

/>49 минут назад
Тема:ПЛИС PangoMicro
От:Gas Wilson

/>49 минут назад
Тема:ПЛИС PangoMicro
От:Gas Wilson

—>

Языки проектирования на ПЛИС (FPGA)

Verilog, VHDL, AHDL, SystemC, SystemVerilog и др.

Модераторы раздела aosp vetal des00

/>Вторник в 08:25
Тема:Допилить передачу VHDL FT601
От:Worldmaster

/>Вторник в 08:25
Тема:Допилить передачу VHDL FT601
От:Worldmaster

—>

Системы на ПЛИС — System on a Programmable Chip (SoPC)

разработка встраиваемых процессоров и периферии для ПЛИС

Модераторы раздела vetal des00 Omen_13

/>16 часов назад
Тема:MicroBlaze MCS не компилирует
От:1891ВМ12Я

/>16 часов назад
Тема:MicroBlaze MCS не компилирует
От:1891ВМ12Я

Цифровая обработка сигналов — ЦОС (DSP)

Последнее сообщение

—>

Сигнальные процессоры и их программирование — DSP

Обсуждение различных сигнальных (DSP) процессоров, возможностей, совместимости и связанных с этим тем.

Модераторы раздела des00

/>18 июля
Тема:Драйвера и софт для SUP 2000 от SoftBaugh
От:pavel1991

/>18 июля
Тема:Драйвера и софт для SUP 2000 от SoftBaugh
От:pavel1991

—>

Алгоритмы ЦОС (DSP)

Обсуждение вопросов разработки и применения (программирования) алгоритмов цифровой обработки сигналов.

Модераторы раздела des00

/>19 июля
Тема:Подавление акустической обратной связи в система…
От:repstosw

/>19 июля
Тема:Подавление акустической обратной связи в система…
От:repstosw

Микроконтроллеры (MCU)

Последнее сообщение

—>

Cредства разработки для МК

FAQ, How-to, тонкости работы со средствами разработки

Модераторы раздела haker_fox

IAR
Keil
GNU/OpenSource средства разработки

/>Вторник в 12:42
Тема:Ошибки Error: L6218E: Undefined symbol
От:Olmsky

/>Вторник в 12:42
Тема:Ошибки Error: L6218E: Undefined symbol
От:Olmsky

—>
Модераторы раздела haker_fox

STM
NXP
Microchip (Atmel)
TI, Allwinner, GigaDevice, Nordic, Espressif и другие

/>12 минут назад
Тема:stm32 usb com
От:xVekx

/>12 минут назад
Тема:stm32 usb com
От:xVekx

—>

RISC-V

Микроконтроллеры на базе ядер RISC-V, RISC-X

Модераторы раздела haker_fox

/>19 июля
Тема:Таблица векторов прерываний
От:makc

/>19 июля
Тема:Таблица векторов прерываний
От:makc

—>
Модераторы раздела haker_fox

/>Понедельник в 02:21
Тема:Чтение блока данных с SDHC карты по интерфейсу S…
От:Romeo13Cs

/>Понедельник в 02:21
Тема:Чтение блока данных с SDHC карты по интерфейсу S…
От:Romeo13Cs

—>

MSP430

Модераторы раздела VAI />haker_fox />

/>23 июня
Тема:Ghidra для MSP430
От:Aries

/>23 июня
Тема:Ghidra для MSP430
От:Aries

—>

Все остальные микроконтроллеры

и все что с ними связано

Модераторы раздела haker_fox

PIC
MCS51
PowerQUICC
HC(S)08
AVR32
STM8
MIPS

/>Понедельник в 21:59
Тема:Silabs. Копирование прошивки.
От:Obam

/>Понедельник в 21:59
Тема:Silabs. Копирование прошивки.
От:Obam

—>

Отладочные платы

Вопросы, связанные с отладочными платами на базе МК: заказ, сборка, запуск

Модераторы раздела haker_fox

Arduino
Raspberry Pi
Rainbow
Siberia
EVMxxxx

/>23 июня
Тема:China-Link, Вариант отладчика из Китая
От:nibelung

/>23 июня
Тема:China-Link, Вариант отладчика из Китая
От:nibelung

Печатные платы (PCB)

Последнее сообщение

—>

Разрабатываем ПП в САПР — PCB development

FAQ, вопросы проектирования в ORCAD, PCAD, Protel, Allegro, Spectra, DXP, SDD, WG и др.

Модераторы раздела SergM />fill />

Библиотеки компонентов
Altium Designer, DXP, Protel
P-CAD 200x howto
Эремекс, Delta Design
Cadence
Примеры
Zuken CADSTAR
Siemens EDA — Xpedition, PADS (ex. Mentor)
Бесплатные САПР: KiCAD, EasyEDA, EAGLE и др.

/>14 минут назад
Тема:1 компонент для одного типоразмера всех номинало…
От:musa

/>14 минут назад
Тема:1 компонент для одного типоразмера всех номинало…
От:musa

—>

Работаем с трассировкой

тонкости PCB дизайна, от Spectra и далее.

Модераторы раздела fill

/>9 июля
Тема:Вопрос по трассировке
От:Uladzimir

/>9 июля
Тема:Вопрос по трассировке
От:Uladzimir

—>

Изготовление ПП — PCB manufacturing

Фирмы, занимающиеся изготовлением, качество, цены, сроки

Модераторы раздела fill

ПСБ Технолоджи
ТеПро
PS-Electro
Резонит
PCB Professional
Абрис
ОАО "НИЦЭВТ"
ООО "М-Плата"
в домашних условиях

/>1 час назад
Тема:2PCB
От:2PCB Tech

/>1 час назад
Тема:2PCB
От:2PCB Tech

Сборка РЭУ

Последнее сообщение

—>

Пайка и монтаж

вопросы сборки ПП, готовых изделий, а также устранения производственных дефектов

/>Суббота в 11:24
Тема:Печь для пайки SMD T-962
От:ZodiaK

/>Суббота в 11:24
Тема:Печь для пайки SMD T-962
От:ZodiaK

—>

Корпуса

обсуждаем какие есть копруса, где делать и прочее

/>18 июля
Тема:Разница между TSSOP-8 и SOIC-8
От:gerber

/>18 июля
Тема:Разница между TSSOP-8 и SOIC-8
От:gerber

—>

Вопросы надежности и испытаний

расчеты, методики, подбор компонентов

/>19 марта
Тема:Поверка контрольно-измерительного оборудования
От:HardEgor

/>19 марта
Тема:Поверка контрольно-измерительного оборудования
От:HardEgor

Аналоговая и цифровая техника, прикладная электроника

Последнее сообщение

—>

Вопросы аналоговой техники

разработка аналоговых схем, моделирование схем в SPICE, расчёты и анализ, выбор элементной базы

Модераторы раздела Alexandr rloc ViKo Tanya Егоров

/>6 часов назад
Тема:Выбор опорного напряжения и схемы обвязки АЦП пр…
От:Plain

/>6 часов назад
Тема:Выбор опорного напряжения и схемы обвязки АЦП пр…
От:Plain

—>

Цифровые схемы, высокоскоростные ЦС

High Speed Digital Design

Модераторы раздела rloc

/>5 июля
Тема:XDS110 EnergyTrace: TMDSEMU110-ETH нужна схема
От:UART

/>5 июля
Тема:XDS110 EnergyTrace: TMDSEMU110-ETH нужна схема
От:UART

—>

RF & Microwave Design

wireless технологии и не только

Модераторы раздела rloc />l1l1l1 />

/>23 минуты назад
Тема:Еще раз — про маленькие китайские усилочки
От:khach

/>23 минуты назад
Тема:Еще раз — про маленькие китайские усилочки
От:khach

—>

Метрология, датчики, измерительная техника

Все что связано с измерениями: измерительные приборы (осциллографы, анализаторы спектра и пр.), датчики, обработка результатов измерений, калибровка, технологии измерений и др.

Модераторы раздела rloc ViKo Tanya

/>Вчера в 06:03
Тема:лазерный дальномер
От:spirit_1

/>Вчера в 06:03
Тема:лазерный дальномер
От:spirit_1

—>

АВТО электроника

особенности электроники любых транспортных средств: автомашин и мотоциклов, поездов, судов и самолетов, космических кораблей и летающих тарелок.

Модераторы раздела rloc />Vasily_ />

/>2 июля
Тема:Провод для автомобильного компрессора
От:byRAM

/>2 июля
Тема:Провод для автомобильного компрессора
От:byRAM

—>

Умный дом

Модераторы раздела rloc

/>18 апреля
Тема:Анализ Яндекс Станции
От:jcxz

/>18 апреля
Тема:Анализ Яндекс Станции
От:jcxz

—>

3D печать

3D принтеры, наборы, аксессуары, ПО

Модераторы раздела rloc

/>5 июля
Тема:Демонстрация работы моего 3D-принтера
От:vov4ick

/>5 июля
Тема:Демонстрация работы моего 3D-принтера
От:vov4ick

—>

Робототехника

Модели, классификация, решения, научные исследования, варианты применения

Модераторы раздела rloc

/>28 июня
Тема:Минималистичный Форт компьютер на TTL логике (ди…
От:KPG

/>28 июня
Тема:Минималистичный Форт компьютер на TTL логике (ди…
От:KPG

—>

Ремонт и отладка

обсуждение вопросов ремонта и отладки различных устройств и готовых изделий

Модераторы раздела rloc />Herz />

/>20 июля
Тема:Ремонт осциллограф Rigol DS1074Z
От:ded2016

/>20 июля
Тема:Ремонт осциллограф Rigol DS1074Z
От:ded2016

Силовая электроника — Power Electronics

Последнее сообщение

—>

Силовая Преобразовательная Техника

Источники питания электронной аппаратуры, импульсные и линейные регуляторы. Топологии AC-DC, DC-DC преобразователей (Forward, Flyback, Buck, Boost, Push-Pull, SEPIC, Cuk, Full-Bridge, Half-Bridge). Драйвера ключевых элементов, динамика, алгоритмы управления, защита. Синхронное выпрямление, коррекция коэффициента мощности (PFC)

Модераторы раздела Herz />Егоров />

/>18 июля
Тема:Помогите определиться со схемой инверторного ста…
От:MPetrovich

/>18 июля
Тема:Помогите определиться со схемой инверторного ста…
От:MPetrovich

—>

Обратная Связь, Стабилизация, Регулирование, Компенсация

Организация обратных связей в цепях регулирования, выбор топологии, обеспечение стабильности, схемотехника, расчёт

Модераторы раздела Herz />Егоров />

/>11 июля
Тема:Писк трансформатора Flyback при малой нагрузке
От:UART

/>11 июля
Тема:Писк трансформатора Flyback при малой нагрузке
От:UART

—>

Первичные и Вторичные Химические Источники Питания

Li-ion, Li-pol, литиевые, Ni-MH, Ni-Cd, свинцово-кислотные аккумуляторы. Солевые, щелочные (алкалиновые), литиевые первичные элементы. Применение, зарядные устройства, методы и алгоритмы заряда, условия эксплуатации. Системы бесперебойного и резервного питания

Модераторы раздела Herz />Егоров />

/>28 июня
Тема:13s4p лития титанат 160А спроектировать балансир
От:Plain

/>28 июня
Тема:13s4p лития титанат 160А спроектировать балансир
От:Plain

—>

Высоковольтные Устройства — High-Voltage

Высоковольтные выпрямители, умножители напряжения, делители напряжения, высоковольтная развязка, изоляция, электрическая прочность. Высоковольтная наносекундная импульсная техника

Модераторы раздела Herz

/>Вчера в 01:54
Тема:Защита и регулировка входа осциллографа от высок…
От:ded2016

/>Вчера в 01:54
Тема:Защита и регулировка входа осциллографа от высок…
От:ded2016

—>

Электрические машины, Электропривод и Управление

Электропривод постоянного тока, асинхронный электропривод, шаговый электропривод, сервопривод. Синхронные, асинхронные, вентильные электродвигатели, генераторы

Модераторы раздела Herz

/>23 минуты назад
Тема:Запуск асинхронного двигателя с помощью ЛАТР
От:Shelectronix

/>23 минуты назад
Тема:Запуск асинхронного двигателя с помощью ЛАТР
От:Shelectronix

—>

Индукционный Нагрев — Induction Heating

Технологии, теория и практика индукционного нагрева

Модераторы раздела Herz

/>30 мая
Тема:Какое может быть количество индукторов для индук…
От:Лапух

/>30 мая
Тема:Какое может быть количество индукторов для индук…
От:Лапух

—>

Системы Охлаждения, Тепловой Расчет – Cooling Systems

Охлаждение компонентов, систем, корпусов, расчёт параметров охладителей

Модераторы раздела Herz

/>30 июня
Тема:Сравнение экспериментальных данных с расчетом
От:ChristinaChadzynski

/>30 июня
Тема:Сравнение экспериментальных данных с расчетом
От:ChristinaChadzynski

—>

Моделирование и Анализ Силовых Устройств – Power Supply Simulation

Моделирование силовых устройств в популярных САПР, самостоятельных симуляторах и специализированных программах. Анализ устойчивости источников питания, непрерывные модели устройств, модели компонентов

Модераторы раздела Herz />Егоров />

/>7 часов назад
Тема:QSPICE
От:Yuri7751

/>7 часов назад
Тема:QSPICE
От:Yuri7751

—>

Компоненты Силовой Электроники — Parts for Power Supply Design

Силовые полупроводниковые приборы (MOSFET, BJT, IGBT, SCR, GTO, диоды). Силовые трансформаторы, дроссели, фильтры (проектирование, экранирование, изготовление), конденсаторы, разъемы, электромеханические изделия, датчики, микросхемы для ИП. Электротехнические и изоляционные материалы.

Модераторы раздела Herz />Егоров />

/>8 часов назад
Тема:Соединители аналоги СНЦ23
От:sio83

/>8 часов назад
Тема:Соединители аналоги СНЦ23
От:sio83

Интерфейсы

Последнее сообщение

—>

Форумы по интерфейсам

все интерфейсы здесь

ISDN/G.703/E1
ISA/PCI/PCI-X/PCI Express
Wireless/Optic
RS232/LPT/USB/PCMCIA/FireWire
Fast Ethernet/Gigabit Ethernet/FibreChannel
Интерфейсы для "интеллектуального дома"
от ТТЛ до LVDS здесь
IDE/ATA/SATA/SAS/SCSI/CF
Аудио/Видео интерфейсы
Сотовая связь и ее приложения
FAQ по XPort/WiPort
Controller Area Network (CAN)

/>Вторник в 20:15
Тема:USB 3 и USB Type-C
От:Vasily_

/>Вторник в 20:15
Тема:USB 3 и USB Type-C
От:Vasily_

Поставщики компонентов для электроники

Последнее сообщение

—>

Поставщики всего остального

от транзисторов до проводов

/>27 минут назад
Тема:Подкладки под конденсаторы
От:Vasily_

/>27 минут назад
Тема:Подкладки под конденсаторы
От:Vasily_

—>

Компоненты

Закачка тех. документации, обмен опытом, прочие вопросы.

Тех. документация
Микросхемы
Транзисторы
Диоды
Резисторы
Средства индикации

/>19 июля
Тема:Отечественный разъем для Ethernet канала
От:sio83

/>19 июля
Тема:Отечественный разъем для Ethernet канала
От:sio83

Майнеры криптовалют и их разработка, BitCoin, LightCoin, Dash, Zcash, Эфир

Последнее сообщение

—>

Обсуждение Майнеров, их поставки и производства

наблюдается очень большой спрос на данные устройства.

/>25 апреля
Тема:Ремонт Асиков
От:mantech

/>25 апреля
Тема:Ремонт Асиков
От:mantech

Дополнительные разделы — Additional sections

Последнее сообщение

—>