Как определить микросхему по маркировке на корпусе sot23 5

12

Расшифровка обозначений на smd-компонентах

C-Di— (Capacitance diode [varactor, varicap]) — емкостной диод (варикап);
MOS-N(P)-FET-d(e)— (Metal oxide FET, enhancement type) — МДП — транзистор с каналом N (P);
N-FET— (N-channel field-effect transistors) — полевой транзистор с N-каналом;
PIN-Di— (PIN -diode) — диод;
P-FET— (P- channel field-effect transistors) — полевой транзистор с Р-каналом;
S— (Sensor devices) — сенсорная схема;
Si-Di— (Silicon diode) — кремниевый диод;
Si-N— (Silicon NPN transistor) — кремниевый NPN (обратный) транзистор;
Si-N-Darl— (Silicon NPN Darlington transistor) — кремниевый NPN (обратный) транзистор по схеме Дарлингтона;
Si-P— (Silicon PNP transistor) — кремниевый PNP (прямой) транзистор;
Si-P-Darl— (Silicon PNP Darlington transistor) — кремниевый PNP (прямой) транзистор по схеме Дарлингтона;
Si-St— (Silicon-stabi-diode [operation in forward direction]) — стабилизирующий диод (стабилитрон);
Т— (Tuner Diodes) — переключающий диод;
Tetrode— (P- + N-gate thyristor) — транзистор с четырехслойной структурой;
Vrf— (Voltage reference diodes) — высокостабильный опорный диод;
Vrg— (Voltage requlator diodes) — регулируемый опорный диод;
AM— (RF application) — амплитудная модуляция;
Band-S— (RF band switching) — ключевой элемент (электронный переключатель диапазона);
Chopper— (Chopper) — прерыватель;
Dual— (Dual transistors for differential amplifiers or dual diode) — сдвоенный транзистор (диод);
FED— (Field effect diode) — диод, управляющий напряжением;
FM— (RF application) — частотная модуляция;
HF— (RF application [general]) — высокочастотный диапазон;
LED— (Light-emitting diode) — светодиод;
M— (Mixer stages) — смесительный;
Min— (Miniaturized) — миниатюрный;
NF— (AF applications) — низкочастотный (звуковой) диапазон;
О— (Oscillator stages) — генераторная схема;
ln— (Low noise) — малошумящий;
S— (Switching stages) — ключевой;
SS— (Fast switching stages) — быстродействующий ключ;
sym— (SyMinetrical types) — симметричный;
Tr— (Driver stages) — мощной устройство (мощный управляющий ключ);
tuning(RF tuning diode) — переключающий диод для схем переключения диапазона;
Tunnel-Di— (Tunnel diode) — тунельный диод;
UHF— (RF applications [>250MHz]) — ультрокороткий (СВЧ) диапазон;
Uni— (General purpose tyres) — универсальный (массового применения);
V— (Pre/input stages) — предварительный (для входных цепей);
VHF— (RF applications [approx. 100. 250 MHz]) — высокочастотный (УКВ) диапазон;
Vid— (Video output stages) — видеочастотный (для цепей видеочастоты);

Как определить деталь по SMD маркировке

Данная статья- небольшая попытка разобраться в той путанице, которая происходит в SMD маркировке радиоэлементов.

Если в маркировке радиодеталей советского производства существовала какая-то закономерность, то среди зарубежных радиоэлементов всегда были свои тонкости, заключающиеся в первую очередь в том, что каждый производитель, как правило, вносил свои буквенные индексы в название деталей, а с переходом на SMD ситуация только лишь ухудшилась…

Главная проблема заключается в том, что на SMD корпусе катастрофически мало места, но помимо названия детали, производитель очень часто пытается впихнуть туда еще и дополнительную инфу- номер партии, адрес производства и т.д…

Кроме этого корпус радиоэлемента так-же совершенно ни о чем не говорит- так, к примеру в довольно распространенном корпусе SOT-23 могут быть как транзисторы, так и стабилитроны (или диоды), и вот пара примеров: стабилитроны серии BZX84

А вот транзистор BCX41

В 4-х и более выводных SMD корпусах ситуация еще запутанней- это могут быть и транзисторы, и транзисторные сборки, и различные микросхемы.

Конечно- же производитель обычно указывает информацию по маркировкам в даташитах, но и от этого ничуть не легче- как правило в даташитах прилагается дополнительная инфа в виде символов типа «*» или буквенных индексов

Пример первый : информация из даташита цифрового транзистора серии PDTC123E:

Здесь сказано что буква «W» перед кодом 26 означает что данный транзистор китайского производства.

Пример второй : довольно распространенная микросхема ШИМ-контроллер LD7536 в корпусе SOT-26

Сама по себе микросхема имеет SMD маркировку p36 , однако на корпусе имеются еще несколько символов: это и год изготовления, и неделя изготовления и код продукции.

Имеется и еще одна, не совсем страшная, но все-таки проблема- это различная маркировка корпусов у разных производителей.
Дело в том, что и тут имеются свои стандарты:
1. De Facto Standart — общепринятое обозначение корпуса

2 JEDEC — Joint Electron Devices Engineering Council (США)

3. JEITA — Japan Electronics and Information Technology Industries Association

4. А иногда и фирменное — обозначение корпуса, принятое в отдельной компании

Так, к примеру, довольно распространенный корпус

В разных даташитах может называться по разному: SOT-523, SOT-490, SC89-3.

В общем, подводя итоги всего вышесказанного вывод напрашивается сам- если возникла необходимость определить деталь по SMD маркировке, то необходимо одновременно рассматривать несколько вариантов. Для ясности- приведем один пример:

Предположим, у нас имеется неизвестная деталька, в 3-х ногом SMD корпусе, и выглядит она так:

Для того чтобы определить наименование, требуется одновременно рассматривать три варианта маркировки:

1. W26 смотрим в этой таблице
2. W2* смотрим в этой таблице
3. *26 смотрим в этой таблице

При этом так-же еще необходимо и учитывать размеры корпуса ( в данном случае это SOT-23) и схемы включения.

Согласен- итоги статьи малоутешительны, однако если у Вас возникли проблемы- Вы можете заглянуть к нам на ФОРУМ, подумаем вместе!
Кроме этого- мы стараемся ежедневно просматривать массу различных источников и даташитов, так что информация на сайте постоянно пополняется.

Важно. Для того чтобы пройти регистрацию на нашем форуме, настоятельно советую заглянуть сначала СЮДА.

Ниже приводится таблица SMD корпусов различных радиоэлементов, надеемся она облегчит Вам поиски нужной информации

Маркировка SMD микросхем зарядки

Специализированные микросхемы для зарядки литий-ионных (Li-Ion) аккумуляторов служат для оптимального процесса зарядки, который обеспечивает максимальный срок службы батареи.

При замене такой микросхемы пользователи сталкиваются с трудностями в определении ее типа. Так как название микросхемы бывает достаточно длинным и не помещается на микроскопическом корпусе, производители вместо названия указывают код на SMD-корпусе.

Поскольку максимальный зарядный ток микросхем не превышает 500 -1000 mA, заряжаемые аккумуляторные батареи должны иметь емкость не более двух ампер-часов, иначе время заряда окажется неприемлемо большим. Поэтому такие микросхемы часто используются в BlueTooth гарнитурах, наушниках, малогабаритных колонках, радиоприемниках, навигаторах, эхолотах и других небольших электронных приборах.

Назначение выводов микросхем:

• IN — входное напряжение питания 4,5. 6,5в.
• GND — земля, общий провод.
• BAT — выход для подключения литий-ионной аккумуляторной батареи.
• PRG — вход для подключения резистора R_prog, задающего величину зарядного тока тока.
• /CHR — выход для подключения светодиода индикации зарядки.
• /STB — выход для подключения светодиода индикации дежурного режима (есть только у микросхем в корпусе SOT23-6 с 6 выводами).
• EN или /EN — (только для некоторых моделей) напряжение включения. При подаче напряжения на вход EN (или уровня логического нуля на вход /EN) микросхема начинает заряжать аккумулятор.

Конденсаторы C1, C2 применяются емкостью 10 мкф, резистор R1 имеет сопротивление от 300 до 1000 Ом, в зависимости от применяемых светодиодов.

Алгоритм работы этих устройств следующий: если батарея глубоко разряжена, то микросхема поддерживает низкий зарядный ток (примерно одна десятая от номинального) до достижения напряжения на батарее порядка 2.9 вольта. Дальнейший процесс зарядки ведется номинальным током, который задается по следующей формуле:

Значения U_prog и K для каждой микросхемы приведены в таблицах.

При увеличении напряжения на батарее до 90% от максимального порога (4.2 вольта) ток заряда ограничивается до того момента, пока напряжение на аккумуляторной батарее не достигнет 4.2 вольта. После этого процесс заряда прекращается. Таким образом эти микросхемы обеспечивают оптимальный режим заряда литий-ионных аккумуляторов.

Большинство моделей микросхем имеют защиту от перегрева. При превышении температуры ее кристалла выше 120 градусов зарядка останавливается.

Таблица маркировки преобразователей в корпусе SOT23-5.

Условные обозначения:
y — буква, код года изготовления

m — буква, код месяца изготовления

w — буква, код недели изготовления

a — буква, код места изготовления

p — буква, код партии

Таблица маркировки преобразователей в корпусе SOT23-6

Условные обозначения:
y — буква, код года изготовления

m — буква, код месяца изготовления

w — буква, код недели изготовления

a — буква, код места изготовления

p — буква, код партии

Если вы не нашли нужного кода, напишите в комментариях, и мы постараемся дополнить таблицу. Если вы знаете SMD-коды подобных микросхем, отсутствующие в таблице, пожалуйста, напишите об этом.

Маркировка компонентов в корпусе SOT-23

При замене этих компонентов многие сталкиваются с трудностями в определении их типа. Поскольку название радиодетали бывает достаточно длинным и не помещается на микроскопическом корпусе, производители вместо него на SMD-корпусе указывают код.

Мы уже касались маркировки микросхем в корпусах SOT23-5 и SOT23-6 (с пятью и шестью выводами) здесь, здесь, здесь, здесь и здесь. Теперь рассмотрим маркировку радиокомпонентов с тремя выводами.

Существует большое количество сайтов, на которых можно узнать маркировку таких элементов, однако нам больше всего нравится http://www.s-manuals.com/ru/smd компактной табличной формой выбора маркировки. Все, что здесь требуется, это выбрать первые два символа маркировки из таблицы и перейти к результатам.

Для примера воспользуемся приведенным фото и выберем компоненты с маркировкой «1A. «, «2A», «Y2»:

Для кода «1AM» — все однозначно: это NPN-транзистор MMBT3904.

Как видим, для SMD-кода «2A» также все однозначно: это PNP транзистор ***3906. Разные префиксы перед цифрами указывают на разных изготовителей.

А вот для SMD-кода «Y2» однозначности нет. Компонент с маркировкой «Y2» может быть как стабилитроном, так и PNP-транзистором. Чтобы определить тип этого радиоэлемента, необходимо будет его выпаять и анализировать. В ряде случаев это можно сделать и обычным мультиметром, но гораздо удобнее для этих целей использовать специальный анализатор.

Испытуемая деталь вставляется в гнезда панельки с нулевым усилием, пронумерованные 1 -2 -3. Для удобства подключения деталей разного размера номера на панельке повторяются. Далее нажимается кнопка «Test», и через несколько секунд на экране появляется электрическое обозначение испытуемого компонента и его параметры.

Таких приборов существует достаточно много. Вот наиболее популярные из них:

Fish-8840TFT — способен анализировать структуру и измерять основные параметры диодов, биполярных и полевых транзисторов, конденсаторов, резисторов, дросселей (индуктивностей). Питание прибора — батарея «крона» (6F22). Панелька с нулевым усилием входит в комплект и может сниматься с прибора. Экран — цветной TFT 128×160 точек, 3,5 дюйма.

LCR-TC1, помимо всех функций Fish-8840TFT, может еще измерять стабилитроны и анализировать коды пультов дистанционного управления. В этом приборе применена литий-ионная батарея, а заряжается он от стандартного зарядного устройства для телефонов через разъем Micro-USB (в комплект обычно не входит). Панелька с нулевым усилием не съемная — она впаяна в плату. Экран — цветной TFT 128×160 точек, 3,5 дюйма.

LCR-T4— эконом вариант тестера без корпуса. Если две первые модели стоят на момент написания статьи около 1200 -1300 рублей, то этот вариант обойдется немного дороже 600. Перечень измеряемых компонентов у него такой же, как и у Fish-8840TFT. Дисплей монохромный с подсветкой 128×160 точек, 3,5 дюйма. Питание — батарея «крона» (6F22)

Для удобства подключения к прибору SMD-компонентов можно изготовить простейший переходник из монтажной платы с отверстиями шагом 2,5 мм. Для этого нужно отрезать от платы прямоугольный кусочек на котором помещается 4 ряда по 7 отверстий. В левое верхнее, нижнее и правое нижнее, а также в предпоследнее правое верхнее запаиваются штырьки от разъема с любой неисправной материнской платы. По центру запаиваются еще три штырька и подгибаются для удобства пайки к ним SMD-элемента. Крайние штырьки соединяются со средними проволочными перемычками.

Теперь можно припаять к нашему переходнику элемент с маркировкой «2Y» и подключить к прибору. У нас в наличии прибор Fish-8840TFT. Вот результат:

Как видно из скриншота — это совсем не стабилитрон, а биполярный PNP-транзистор с коэффициентом усиления 255. Цель достигнута. Испытуемая деталь — транзистор SS8850.