Tip3055 транзистор какая у него емкость
Биполярный транзистор TIP3055 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TIP3055
Тип материала: Si
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
TIP3055 Datasheet (PDF)
TIP2955TIP3055Complementary power transistorsFeatures Low collector-emitter saturation voltage Complementary NPN — PNP transistorsApplications General purpose Audio Amplifier321DescriptionTO-247The devices are manufactured in epitaxial-base planar technology and are suitable for audio, power linear and switching applications.Figure 1. Internal sche
TIP3055 (NPN),TIP2955 (PNP)Complementary SiliconPower TransistorsDesigned for general-purpose switching and amplifier applications.http://onsemi.comFeatures DC Current Gain — 15 AMPEREhFE = 20 — 70 @ IC POWER TRANSISTORS= 4.0 AdcCOMPLEMENTARY SILICON Collector-Emitter Saturation Voltage — 60 VOLTS, 90 WATTSVCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc Excell
TIP3055NPN SILICON POWER TRANSISTOR Designed for Complementary Use with the SOT-93 PACKAGETIP2955 Series (TOP VIEW) 90 W at 25C Case TemperatureB1 15 A Continuous Collector CurrentC 2 Customer-Specified Selections Available3EPin 2 is in electrical contact with the mounting base.MDTRAAAabsolute maximum ratings at 25C case temperature (unless otherwis
TIP3055Silicon NPN Power TransistorsDESCRIPTION With TO-247 package Complement to type TIP2955 90 W at 25C case temperature 15 A continuous collector current APPLICATIONS Designed for generalpurpose switching and amplifier applications. PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-247) and symbol
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor TIP3055DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaDC Current Gain-: h =20-70@I = 4AFE CCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1.1 V(Max)@ I = 4ACE(sat CComplement to Type TIP2955Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general-purpose
Order this documentMOTOROLAby TIP3055/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPNTIP3055Complementary Silicon PowerPNPTIP2955Transistors. . . designed for general purpose switching and ampli
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPOWER TRANSISTORS TIP2955F PNPTIP3055F NPNTO- 3P Fully IsolatedPlastic PackageBCEDesigned for General Purpose Switching and Amplifier ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector-Emitter Voltage VCEO 60 VCollector-Emitter Voltage VCER 70 VCollector-
isc Silicon NPN Power Transistor TIP3055TDESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaDC Current Gain-: h =20-70@I = 4AFE CCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 0.8V(Max)@ I = 4ACE(sat CComplement to Type TIP2955TMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general-purpose switching and amplifier
Tip3055 транзистор характеристики и его российские аналоги
Биполярный транзистор TIP3055 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TIP3055
Тип материала: Si
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO218
TIP3055 Datasheet (PDF)
1.1. tip3055r.pdf Size:104K _motorola
Order this document MOTOROLA by TIP3055/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN TIP3055 Complementary Silicon Power PNP TIP2955 Transistors . . . designed for general�purpose switching and amplifier applications. � DC Current Gain � hFE = 20�70 @ IC = 4.0 Adc 15 AMPERE � Collector�Emitter Saturation Voltage � VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc IIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIII POWER TRANSISTO
TIP2955 TIP3055 Complementary power transistors Features � Low collector-emitter saturation voltage � Complementary NPN — PNP transistors Applications � General purpose � Audio Amplifier 3 2 1 Description TO-247 The devices are manufactured in epitaxial-base planar technology and are suitable for audio, power linear and switching applications. Figure 1. Internal schematic diagr
TIP3055 (NPN), TIP2955 (PNP) Complementary Silicon Power Transistors Designed for general-purpose switching and amplifier applications. http://onsemi.com Features � DC Current Gain — 15 AMPERE hFE = 20 — 70 @ IC POWER TRANSISTORS = 4.0 Adc COMPLEMENTARY SILICON � Collector-Emitter Saturation Voltage — 60 VOLTS, 90 WATTS VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc � Excellent Safe
1.4. tip3055.pdf Size:82K _bourns
TIP3055 NPN SILICON POWER TRANSISTOR ? Designed for Complementary Use with the SOT-93 PACKAGE TIP2955 Series (TOP VIEW) ? 90 W at 25�C Case Temperature B 1 ? 15 A Continuous Collector Current C 2 ? Customer-Specified Selections Available 3 E Pin 2 is in electrical contact with the mounting base. MDTRAAA absolute maximum ratings at 25�C case temperature (unless otherwise noted) RAT
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company POWER TRANSISTORS TIP2955F PNP TIP3055F NPN TO- 3P Fully Isolated Plastic Package B C E Designed for General Purpose Switching and Amplifier Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector-Emitter Voltage VCEO 60 V Collector-Emitter Voltage VCER 70 V Collector-Bas
1.7. tip3055.pdf Size:142K _inchange_semiconductor
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION Ў¤ With TO-3PN package Ў¤ Complement to type TIP2955 Ў¤ 90 W at 25°C case temperature Ў¤ 15 A continuous collector current APPLICATIONS Ў¤ Designed for generalpurpose switching and amplifier applications. PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION TIP3
* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта
Описание
NPN 70V, 15A, 90W (Comp. TIP2955)
Биполярный транзистор, NPN, 70 В, 15 А, 90 Вт
Транзистор 2N3055 – мощный биполярный транзистор n-p-n типа, который может быть использован в различных устройствах: в источниках питания, в аудио усилителях, в схемах переключения и т.д. В данной статье приведены его подробные электрические характеристики в соответствии с документацией производителя «ON Semiconductor».
Транзистор 2N3055
Наверно многие радиолюбители слышали о 2N3055 транзисторе, поскольку он широко используется в уже течение многих лет. Его металлический корпус идеален для рассеивания большого количества тепла при помощи хорошего радиатора.
Комплементарной парой транзистора 2N3055 является транзистор MJ2955. Он имеет такие же характеристики, но имеет p-n-p структуру.
Если вы хотите собрать усилитель, вы можете использовать эту пару транзисторов. В этом случае, напряжение питания усилителя не должно превышать +/- 30 вольт.
Распиновка транзистора 2N3055
Распиновка транзистора 2N3055 в его классическом металлическом корпусе: корпус является коллектором, а два оставшихся вывода – это база и эмиттер.
Транзистор 2N3055, как и MJ2955, выпускается также в плоском корпусе (TO-218 и TO-247), который проще монтировать на радиаторе: TIP3055 и TIP2955 соответственно. Здесь в отличие от полностью металлического корпуса рассеиваемая мощность чуть ниже, 90 ватт против 115 ватт.
Транзистор TIP3055: параметры, цоколевка, аналог, datasheet
Габаритные и установочные размеры транзистора TIP3055
Аналог транзистора TIP3055
Вы можете заменить TIP3055 на: BD745A, BD745B, BD745C, NTE392, TIP3055G, TIP35A, TIP35AG, TIP35B, TIP35BG, TIP35C, TIP35CA, TIP35CG.
Комплементарной парой TIP3055 является транзистор TIP2955.
Бессвинцовой версией TIP3055 является транзистор TIP3055G.
Транзистор TIP3055
Этот мощный биполярный транзистор в корпусе TO-247 изготовлен с применением эпитаксиальной планарной технологии и подходит для универсального использования в коммутационных и линейных электронных системах.
Транзистор TIP3055 выпускается в плоском корпусе TO-247, который обычно используют в паре с радиатором.
Аналоги TIP3055 при необходимости, этот радио компонент можно заменить на следующие варианты: MJW21194, MJW21194G, MJW21196, MJW21196G, TIP3055G, TIP35
Комплементарной парой для биполярника n-p-n структуры TIP3055 является мощный транзистор TIP2955. Он имеет такие же характеристики, но внутреннюю p-n-p структуру.
Основные технические параметры TIP3055
U коллектор-эмиттер, не более: 60 В
Ток коллектора, не более: 15 А
U коллектор-база, не более: 70 В
Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 90 Вт
Напряжение эмиттер-база, не более: 7 В
Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 20 до 70
Корпус: TO-247
Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
Биполярный транзистор состоит из двух P-N переходов. Его выводы называются, как эммитер, база и коллектор. Слой, который посередине, называется базой. Эммитер и коллектор находятся по краям. В P-N-P транзисторе в классической схеме включения ток втекает в эммитер и собирается в коллекторе. А ток базы регулирует ток в коллекторе. Не будем на этом подробно останавливаться, если у вас и возникло желание разобраться с работой, то вы можете посмотреть соответствующую лекцию.
Данное устройство, которое легко собрать своими руками, позволит проверить биполярные полупроводниковые приборы абсолютно любой проводимости, не выпаивая иx из схемы.
Схема преобразователя постоянного напряжения с 12 до 24 Вольт. Если на выходе преобразователя нужен ток выше 5 А, тогда используют силовые ключи на составных транзисторах, допустим TIP120 или TIP3055. Но в этом случае диоды, должны быть рассчитаны на протекающий ток свыше 10 А, а сами ключи, рекомендуется разместить на радиаторы охлождения.
Лабораторный источник питания 0-30В 3А
Схема источника питания основана на микросхеме регуляторе напряжения UA723 и TIP3055 в роли силового мощного транзистора. Транзистор TIP3055 необходимо установить на радиатор. Лабораторный БП имеет защиту по току, как только напряжение между эмиттером и базой VT2 становиться больше 0,6 В транзистор VT3 закрывается отключая нагрузку.
Трансформатор с максимальным током нагрузки 4 А имеет вторичную обмотку с отводом от середины (2*12В), позволяя питать источник питания от напряжения 12В и 24В (АС), в этом случае максимальное выходное напряжение будет 12В и 30 В соответственно.